当电源电压大于PMOS 管的最大栅源电源时,不能直接把栅极拉到地,需要一点特殊的电路来限制栅极驱动电压。有的地方是用电阻分压器做的,比如这种:
NPN 三极管导通时,MOS 管栅极电压是两个电阻中间的电压。这种设计最大的缺点就是太慢了,要使MOS 管导通,只能通过电阻缓慢给栅极充电。如果需要更快的开启速度,可以考虑用大伙都知道的射极输出器电路,如下:
栅极驱动电压通过6.8V 稳压管D2 和串联的10k 电阻得到,当下方的NPN 三极管导通时,PNP 三极管Q13 的基极电压大约是30V - 6.8V,以电源正极为参考,就是-6.8V;相应的,MOS 管的栅极电压就是大约-6.1V。如果电源电压范围比较稳定,也可以用电阻分压器替代稳压管。这种电路用射极输出器驱动栅极,MOS 管开启速度显然要快的多;而MOS 管关闭时,只能通过1K 电阻R27 给栅极放电,所以关断速度比较慢。
另外,图中的1K 电阻两端电压是6.1V,那么MOS 管导通后,流过PNP 三极管的常态电流就是6.1mA,而三极管的CE 电压是30 - 6.1 = 23.9V,那么PNP 三极管上的功耗就有大约0.15W,不算很小,需要关注一下发热。开启MOS 管的瞬间电流肯定会大不少,但是时间很短应该没问题。如果想减少PNP 管上的功耗,只能增大放电电阻的阻值,那MOS 关断就更慢了。