目录
一、场效应管(FET)基础知识
1.名称
2.电路符号
3.分类
4.应用场景
5.厂商介绍
二、MOS管G、S、D以及判定
三、耗尽型场效应管工作原理 (耗尽型：depletion mode)
四、NMOS与PMOS的区别 (区别：difference) (多晶硅：polysilicon)
1.根本原因
2.结构
3.电路接法
4.成本分析
五、MOS管与三极管区别
六、MOS管应用电路
一、场效应管(FET)基础知识
1.名称
场效应晶体管（Field Effect Transistor 缩写(FET)），简称场效应管。
结型场效应管（junction FET-JFET)
金属 - 氧化物半导体场效应管 （metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET）
由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管，属于电压控制型半导体器件。
与之对应的是由两种载流子参与导电的双极型晶体管，三极管(BJT)，属于电流控制型半导体器件。
常见如图：
2.电路符号
3.分类
4.应用场景
- 电路主电源开关，完全切断，低功耗省电。
- 大功率负载供电开关，如：电机，太阳能电池充电\放电，电动车电池充电
- 逆变器SPWM波升压部分功率电路
- 功放，音响的功率线性放大电路
- 数字电路中用于电平信号转换
- 开关电源中，高频大功率状态
- 用于LED灯的恒流驱动电路
- 汽车、电力、通信、工业控制、家用电器等
5.厂商介绍
- 美系：英飞凌(Infineon)、IR((International Rectifier)，威世，ST，AOS，安森美，仙童，TI ，PI等；
- 日系：东芝，瑞萨，ROHM罗姆等；
- 韩系：美格纳，KEC，AUK，森名浩，信安，KIA；
- 国产台系：ANPEC，CET，友顺UTC；
- 国产：吉林华微电子股份有限公司，扬州扬杰电子科技股份有限公司；
二、MOS管G、S、D区分以及电流流向
MOS管G、S、D代表什么？
G：gate 栅极S：source 源极D：drain 漏极
MOS管是金属(Metal)—氧化物(Oxid)—半导体(Semiconductor)场效应晶体管。市面上常有的一般为N沟道和P沟道。N沟道的电源一般接在D，输出S，P沟道的电源一般接在S，输出D。
详细介绍可参考大佬：MOS管从入门到精通以及nmos和pmos D G S 判别_mos管dgs-CSDN博客
三、耗尽型场效应管工作原理 (耗尽型：depletion mode)
关键点
- 材料工艺
- 沟道一直存在，DS加电就导通
- Ugs与沟道和电阻电流的关系
- 与结型场效应管相同夹断电压是负值
- 不同的是结型只在Ugs<0时可控制ID，而耗尽型在正负一定范围内可实现对ID的控制
四、NMOS与PMOS的区别 (区别：difference) (多晶硅：polysilicon)
1.根本原因
- PMOS管空穴迁移率低，尺寸与电压相等的条件下，PMOS的跨导小于NMOS
- 形成空穴沟道比电子沟道更难，PMOS的阈值电压较NMOS高，因此需要更高的驱动电压，充放电时间长，开关速度便低
- 空穴移动比电子移动更难，所以PMOS导通电阻大，发热大，不易通过大电流
2.结构
3.电路接法
4.成本分析
NMOS价格便宜，厂商多，可选型号多
PMOS价格贵，厂商少，可选型号少
五、MOS管与三极管区别
参考大佬：MOS管与三极管的区别（不讲理论，只谈原理） - 知乎 (zhihu.com)
六、MOS管应用电路
NMOS同时用于上管和下管，专用半桥驱动芯片，电荷泵升压控制极
