1、1EDB9275F 采用DSO-8 150mil封装的单通道隔离栅极驱动器（PG-DSO-8）

EiceDRIVER™ 1EDB 产品系列 单通道栅极驱动器IC具有3 kVrms的输入输出隔离电压额定值。

栅极驱动器系列具有+6/-4 ns传输延迟精度，可针对具有高系统级效率的快速开关应用进行了优化。为支持功能安全的系统运行，共模瞬态抗扰性（CMTI）超过300 V/ns，典型输出级箝位速度短至20 ns，输出级欠压锁定（UVLO）为14.4 V。

优势
对开关噪声具有极好的抗扰性
基于硬件的安全工作区保护（SOA）
启动期间的直通保护
极低的MOSFET开关损耗 
死区时间损失极低

特征描述
3 kVrms 磁电隔离
符合UL 1577认证标准
300 V/ns共模瞬态抗扰性（CMTI）
输出阻抗
95 Ω (典型值）源极
48 Ω (典型值）漏极
+6/-4ns传播延迟精度
20 ns（典型值）输出夹紧速度
14.4 V的欠压锁定（UVLO）

2、1EDS5663H GaN EiceDRIVER™IC具有出色的稳健性和效能，非常适合驱动GaN HEMT（PG-DSO-16）

新型单通道电隔离栅极驱动器IC组件1EDS5663H非常适合增强型GaN HEMT。 它具有非隔离栅极（二极管输入特性）和低阈值电压， 例如CoolGaN™。 它可确保稳健高效的高压GaN开关操作，同时大大减少研发工作并缩短产品上市时间。

技术：磁耦合
通道数：1
电压 - 隔离：5700Vrms
共模瞬变抗扰度（最小值）：150V/ns
传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）：44ns，44ns
脉宽失真（最大）：18ns（일반）
上升/下降时间（典型值）：6.5ns，4.5ns
电流 - 输出高、低：4A，8A
电流 - 峰值输出：-
电压 - 正向 (Vf)（典型值）：-
电压 - 输出供电：3.13V ~ 3.47V
工作温度：-40°C ~ 85°C
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）
供应商器件封装：PG-DSO-16-30
认证机构：CQC，CSA，UL，VDE
基本产品编号：1EDS5663

四款坚固耐用、小尺寸、1EDB9275F、1EDS5663H、1EDN9550B、1EDN7512G单通道栅极驱动器IC —— 明佳达

3、1EDN9550B 具有真差分输入的单通道非隔离式栅极驱动器IC（PG-SOT23-6）

1EDN8550B是一款非隔离式栅极驱动器IC，采用小型SOT-23封装。它具有真正的差分输入，可在以下方面实现具有出色功率密度的高性价比解决方案：

采用开尔文源MOSFET的升压PFC
同步整流阶段
控制IC和栅极驱动器IC之间距离较长的设计
降压-升压转换器
低压和中压半桥
高密度48V至12V中间总线转换器

特征描述
•真差分输入
•4A源电流
•8A灌电流
•独立的源/汇输出
•低电阻输出级
•最小输入脉冲宽度：29ns
•-7 ns/+10 ns传播延迟精度
•输出的5A反向电流鲁棒性
•15V UVLO版本
•SOT-23封装，6引脚

优势
•坚固耐用
•小尺寸
•PCB布局灵活
•高功率密度
•上市时间短

4、1EDN7512G 坚固，低温，快速，单通道低侧边4/8 A栅极驱动器IC（PG-WSON-6）

单通道MOSFET栅极驱动器IC是控制IC与功能强大的MOSFET和GaN开关器件之间的关键要素。栅极驱动器IC可实现系统级高效率，出色的功率密度和始终如一的系统稳健性。

 1EDN 系列:快速，精确，强大且兼容

• 通过较短的5ns转换速率实现高效SMPS，具有±5ns传播延迟精度，可实现快速MOSFET和GaN开关
• 独立的拉/灌电流输出简化应用设计
• 工业标准封装和引脚输出便于系统设计升级

驱动配置：低端
通道类型：单路
驱动器数：1
栅极类型：N 沟道 MOSFET
电压 - 供电：4.5V ~ 20V
逻辑电压 - VIL，VIH：-
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：4A，8A
输入类型：反相，非反相
上升/下降时间（典型值）：6.5ns，4.5ns
工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：6-WDFN 裸露焊盘
供应商器件封装：PG-WSON-6-1
基本产品编号：1EDN7512

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