这篇文章用于记录平时设计电路或者在书中遇到的一些电路方面的知识,会不定期更新。就先从运算放大器开始,对此做个简单的介绍。
运算放大器
说到运算放大器就不得不说两个概念,虚短与虚断。
虚短: 在理想情况下,运算放大器的两个输入端的电位相等,就好像两个输入端短接在一起,但事实上并没有短接。
虚断: 在理想情况下,流入集成运算放大器输入端电流为零。
注:V+V+V+ 表示运算放大器同相输入端输入电压,V−V-V− 表示运算放大器反相输入端输入电压,ViViVi表示信号输入电压,VoVoVo表示信号输出电压,输入信号VVVi 是峰值为1v1v1v的正弦波,用红色曲线表示,对应通道BBB,输出信号VVVo用绿色曲线表示,对应通道AAA。
同相放大器
因为虚短,所以VVV+ = VVV - = VVVi,因为虚断,所以iii+ = iii- = 000 , 于是
图中所示,令RRR11 = 10K10K10K , RRR10 = 10K10K10K,故而VVVo = 222VVVi ,仿真波形如下
在正负峰值时采样电压可知,成222倍关系。
电压跟随器
在同相放大器中,我们知道
电路图如下
仿真波形如下
从波形上看,输入电压VVVi与输出电压VVVo同相且相等。
反相放大器
同样因为虚断与虚短,所以VVV+ = VVV - = 000 , iii+ = iii- = 000 , 于是
令RRR11 = 10K10K10K , RRR10 = 5K5K5K,故而VVVo = −2-2−2VVVi ,仿真波形如下
在峰值时采样,输入信号VVVi 与输出信号VVVo 呈−2-2−2倍关系。
加法电路
VVV1 与VVV2 分别为峰值2v2v2v与4v4v4v的正弦波。
同理,VVV+ = VVV - = 000 , iii+ = iii- = 000 , 于是
令RRR11 = 5K5K5K , RRR10 = 5K5K5K,RRR12 = 5K5K5K ,故而VVVo = −(-(−(VVV1+V+V+V2))) ,仿真波形如下
蓝色曲线代表VVV1,红色曲线代表VVV2,绿色曲线代表VVVo,在峰值处采样,可以看出和的关系。
差分放大电路
注:V+V+V+ 表示运算放大器同相输入端输入电压,V−V-V− 表示运算放大器反相输入端输入电压,VVV1 与VVV2表示信号输入电压,VoVoVo表示信号输出电压,输入信号VVV1 用蓝色曲线表示,对应通道BBB,输入信号VVV2 用红色曲线表示,对应通道CCC,输出信号VVVo用绿色曲线表示,对应通道AAA。
VVV1 与VVV2 分别为峰值6v6v6v与2v2v2v的正弦波。
同理,VVV+ = VVV - , iii+ = iii- = 000 , 于是
令RRR10 = RRR11 =RRR12=RRR13 = 5K5K5K ,故而VVVo = VVV1−V-V−V2 ,仿真波形如下
蓝色曲线代表VVV1,红色曲线代表VVV2,绿色曲线代表VVVo,在峰值处采样,可以看出差的关系。
令RRR11=RRR13 = 10K10K10K , RRR10 =RRR12= 5K5K5K ,故而VVVo = 2(V2(V2(V1−V-V−V2))) ,仿真波形如下
蓝色曲线代表VVV1,红色曲线代表VVV2,绿色曲线代表VVVo,在峰值处采样,可以看出差的222倍关系。
积分电路
注:V+V+V+ 表示运算放大器同相输入端输入电压,V−V-V− 表示运算放大器反相输入端输入电压,ViViVi表示信号输入电压,用红色曲线表示,对应通道BBB,VoVoVo表示信号输出电压,用绿色曲线表示,对应通道AAA。
同理,因为虚断和虚短,因此VVV+ = VVV - = 000, iii+ = iii- = 000 ,于是
输入为占空比505050% 的方波,幅值为1v1v1v,令RRR10 =100K100K100K,CCC6= 1nf1nf1nf,即
输出波形如下
在176.136us176.136us176.136us时,输入的方波信号由+1v+1v+1v跳至−1v-1v−1v,有
与上图中输出电压VVVo =−1.762v-1.762v−1.762v相吻合。
微分电路
同理,因为虚断和虚短,因此VVV+ = VVV - = 000, iii+ = iii- = 000 ,于是
输入频率为1kHz1kHz1kHz的正弦波,幅值为1v1v1v,令RRR10 =80K80K80K,CCC6= 26nf26nf26nf,输出波形如下
选取其中一段,如下图所示
蓝线表示从此时开始,即输入的正弦波电压为000,在黄线处截止,共运行121.591us121.591us121.591us,其中红线表示VVVi,绿线表示VVVo,有
通过上述计算,基本与示波器显示的−9.553v-9.553v−9.553v相吻合。
三极管放大电路
电压放大倍数AAAv
我们从一个最简单的放大电路开始,如下图
先假设该电路工作在理想状态下,即静态工作点合理。于是由交流输入电压VVVi引起的IIIe的交流变化为
则VVVc的交流变化为
在三极管放大电路中,由于基极电流IIIb很小,故而可近似认为集电极电流等于发射级电流,即IIIc = IIIe,所以他们的单位时间的变化量也可近似认为相等,即
所以
最终输出的电压VVVo是集电极电压VVVc经过退藕电容CCC5后得到的电压,也就是说VVVo就是集电极电压VVVc减去直流分量,也就是VVVc变化的部分,即
那么该电路的交流电压反相放大倍数AAAv为
故而可以认为电压反相放大倍数是RRR6与RRR9的比值决定的。
设计放大电路
设VccVccVcc= 15v15v15v,VVVbe表示三极管基级-发射极电压,VVVbe=0.7v=0.7v=0.7v,VVVbmin表示基级最低电压,VVVbmax表示基级最高电压,VVVimax表示输入信号的最高电压,kkk表示电压放大倍数,这里取k=5k=5k=5,即设计一个电压反相放大倍数为5倍的放大电路,可得如下条件
可得
于是可得到一个输入信号VVVi峰值范围最大的静态工作点VVVb为
可得输入信号VVVi最大峰值VVVimax为
带入参数,可得
通过上述计算,得到了基级电压,那么 RRR7 ::: RRR8 =13.1:1.9=13.1 : 1.9=13.1:1.9,可使RRR7 =131k=131k=131k,RRR8 =19k=19k=19k,因为k=5k=5k=5,即RRR6 /// RRR9 =5=5=5,可使RRR6 =10k=10k=10k,RRR9 =2k=2k=2k,如下图所示
输入信号VVVi为峰值100mv100mv100mv频率1khz1khz1khz的正弦波,仿真波形如下
红色曲线表示输入信号VVVi,对应通道BBB,绿色曲线表示输出信号VVVo,对应通道AAA,在峰值处采样,如上图红框中的数据,可得出输出信号VVVo被反相放大555倍。
提高放大倍数
在上面的叙述中,可知交流信号的放大倍数与集电极电阻和发射极电阻的比值有关,如果要改动放大倍数,则必须改动静态工作点,那么偏置电阻也要改动,这就是说要重新设计一个电路,这样不符合实际某些要求,我们将电路做如下改动
在无信号输入情况下,该电路的发射极电阻为RRR9与RRR10的和,当有信号输入时,电阻RRR10便被电容CCC6给旁路掉,此时电路中发射极电阻相当于只有RRR9一个,但是静态工作点并没有改变,也就是说,在不改变静态工作点的情况下,不接旁路电容CCC6,信号的反相放大倍数为
接上旁路电容CCC6后,信号的反相放大倍数为
举个例子,上面所设计的反相放大倍数为5倍的放大电路中,RRR6=10k=10k=10k,RRR9=2k=2k=2k,现在我们将这个电路改为反相放大倍数为10倍的放大电路,只需将RRR9拆分为两个1k1k1k的电阻,CCC6取200uf200uf200uf,在交流电路中,电容是存在容抗的,其公式为
由公式可知,电容越大,其容抗越低,通常取值100uf100uf100uf以上,最好能保证其容抗小于111,便可以忽略掉他的容抗。
电路如图所示
示波器波形如下
在峰值处采样,通过数据可以认为达到了反向放大10倍的要求。
三极管恒流电路
恒流源可用在一些高精度的采样电路中,例如使用PT−100PT-100PT−100或PT−1000PT-1000PT−1000的四线制测温。
该电路主要运用电压跟随器的原理,RRR4在有限范围内变化时都能使VVVb始终稳定在VVVa电位处,故RRR3用于控制输出电流。在运放的输出端接了由两个三极管组成的达林顿管,用于增强输出电流,如果单个三极管输出电流可以达到要求,可以只使用单个三极管。总结如下
故上述电路VVVb=V=V=Va=5v=5v=5v,输出电流为20mA20mA20mA,查看示波器
电流近似20mA20mA20mA,该电路可达到要求。如果需要得到大电流,可用MOSMOSMOS管代替三极管。
三极管开关电路
提高三极管开关速度
在三极管的基级电阻RRR2上并联一个电容CCC1,因为电容具有通高频阻低频的特性,在三极管导通的瞬间,RRR2被电容CCC1旁路掉,大量电流涌入使三极管迅速从截止区变化到饱和区,同理,三极管在关断的瞬间,大量电流从集电极流出,也加快了其关断速度。取CCC1=200pf=200pf=200pf,基级电流如下图
放大导通瞬间波形,如下
探针为1mv/mA1mv/mA1mv/mA,示波器中此时112.081mv112.081mv112.081mv,即为112.081mA112.081mA112.081mA,当电容CCC1进入稳态后,电流降至22.541mA22.541mA22.541mA,并稳在此值。在关断瞬间如下图
三级管推挽电路
三级管推挽电路是一个npnnpnnpn的射极跟随器和一个pnppnppnp的射极跟随器相连而成,该电路的驱动电流很大,且输入信号与输出信号同相,但输出信号幅值受输入信号限制,VVVi为高电平时,VVVi−V-V−Vo=0.7v=0.7v=0.7v,VVVi为低电平时,VVVo−V-V−Vi=0.7v=0.7v=0.7v。三级管推挽电路常用作输出级,例如功放电路驱动喇叭,也可用作MOSMOSMOS管驱动。
NE555NE555NE555方波发生电路
该电路可在0−100%0-100\%0−100%占空比可调,电容CCC1由RRR1和DDD1充电,由RRR2和DDD2放电,公式如下
当RRR1=R=R=R2=7.2k,C=7.2k,C=7.2k,C1=0.01uf=0.01uf=0.01uf,可输出频率10kHz10kHz10kHz,占空比50%50\%50%的方波。
简单MOSMOSMOS管驱动电路
以IRF3205IRF3205IRF3205为例,这是一个N−MOSN-MOSN−MOS,根据VVVGS–IIID曲线图
可知,VVVGS越大(max(∣V(max(| V(max(∣VGS∣)=20v)I|)=20v)I∣)=20v)ID越大,即MOSMOSMOS管内阻越小。MOSMOSMOS管是压控器件,但同样受电流影响,如果驱动电流过小则MOSMOSMOS管导通速度降低,不利于高频响应,同时也会增加开关损耗,故可用上述的推挽电路来驱动MOSMOSMOS管。
电源电压为12v12v12v,就令VVVGS=12v=12v=12v来驱动MOSMOSMOS管导通,控制信号是频率1kHz1kHz1kHz,占空比50%50\%50%,幅值5v5v5v的PWMPWMPWM波,这个控制信号可由NE555NE555NE555提供,也可由单片机提供,由示波器2
可知,控制信号与MOSMOSMOS管GGG极信号同相,GGG极信号约为0−12v0-12v0−12v的PWMPWMPWM波。根据示波器444查看驱动电流
由图可知,驱动电流达到了上百毫安,再看看MOSMOSMOS管DDD极波形
这个波形几乎没有失真,驱动效果达到要求。
电荷泵升压电路
电荷泵升压电路常用于高压小功率情景,例如运放电源,驱动信号等,电路图如下
电荷泵电路升压的原理是利用电容电压不能突变的原理,三极管通断由高频PWMPWMPWM控制,当三极管导通时,aaa点电位被拉低,电容C3C3C3通过二极管D1D1D1充电,当三极管关断时,aaa点电压变为12v12v12v,bbb点电位被抬高,VVVb=V=V=Va+V+V+Vc3=12v+V=12v+V=12v+Vc3,这个过程是需要时间的,直到电容电压达到12v12v12v,在经过电容CCC4滤波,最终输出电压即CCC4电压达到2Vcc2Vcc2Vcc,也就是24v24v24v。输出电压曲线如图所示
输出电压最终达到了23.7v23.7v23.7v,近似24v24v24v。当不需要这么高的电压时,可降低aaa点电位达到减小输出电压的效果。如图
在三极管关断时,aaa点电位为6v6v6v,那么最终输出电压即电容CCC4电压为12v+6v=18v12v+6v=18v12v+6v=18v,响应曲线如下
输出电压可近似为18v18v18v。
N−MOSN-MOSN−MOS上管驱动
N−MOSN-MOSN−MOS在市场上型号多,价格便宜,而且导通速度高,内阻小,所以在很多场景都使用N−MOSN-MOSN−MOS,N−MOSN-MOSN−MOS一般是用作下管,即SSS极接地,在某些场合,例如HHH桥,buckbuckbuck电路中,N−MOSN-MOSN−MOS也用作上管,即SSS极接负载,等效图如下
尽管GGG极电位达到了12v12v12v,可MOSMOSMOS管并没有完全导通,电阻RRR10两端电压只有8.2v8.2v8.2v。
电荷泵驱动
MOSMOSMOS管导通程度由GGG极和SSS极电位差决定,所以需要提高GGG极电位来增强导通程度,故而使用上述的电荷泵升压可解决这个问题。如图
响应曲线如下
从上图可知,经过几毫秒后,MOSMOSMOS管几乎完全导通,SSS极电位达到了12v12v12v,且GSGSGS极电位差也达到了12v12v12v。在看看PWMPWMPWM控制电路中的效果
示波器111的曲线
从上图可知,MOSMOSMOS管几乎完全导通。再看看示波器333的响应曲线
可见电荷泵电路并未升压至预期电压,因为电荷泵电路只能用在小功率场景,三极管的推挽电路输出电流较大,故而电荷泵升压受限,再看看MOSMOSMOS的驱动电流
驱动电流相比于12v12v12v电源供电时相当,满足驱动MOSMOSMOS管的要求。
自举升压
自举升压同样也是利用电容电压不能突变的原理,MOSMOSMOS管关断时电容CCC7通过DDD1、RRR1、RRR11充电,MOSMOSMOS管导通时,aaa处电位被抬高,由于电容电压不能突变,于是bbb处电位就等于VVVa+V+V+Vc7,即24v24v24v,那么最终在MOSMOSMOS管GGG极电位最高也会达到24v24v24v,GGG极与SSS极电位差VVVGS为12v12v12v。查看示波器
可见,MOSMOSMOS管GGG极信号为幅值24v24v24v的PWMPWMPWM信号,SSS极峰值电压为12v12v12v,GSGSGS极电位差最大为12v12v12v,可知MOSMOSMOS管几乎完全导通。自举升压电路结构简单,成本低,但PWMPWMPWM控制信号占空比不能超过95%95\%95%以上,因为MOSMOSMOS管关断时自举电容CCC7才会充电,所以要给电容留足充电时间。
校正器电路
阻抗法计算传递函数
在实际电路中使用阻抗求传递函数的方法与前面的计算方法一致,例如:
那么他的传递函数如下:
PD校正器
后级是一个反向放大器,前级ZZZ1是电阻RRR2,ZZZ2是电容CCC1和电阻RRR1并联,于是
根据PDPDPD校正器的传递函数,可得:
PI校正器
后级同样是个反向放大器,前级ZZZ1是电容CCC2和电阻RRR2串联,ZZZ2是电阻RRR1,于是
根据PIPIPI校正器的传递函数,可得:
PID校正器
前级ZZZ1是电容CCC2和电阻RRR2串联,ZZZ2是电容CCC1和电阻RRR1并联,于是
根据PIDPIDPID校正器的传递函数,可得:
超前或滞后校正器
前级ZZZ1是电容CCC2和电阻RRR2并联,ZZZ2是电容CCC1和电阻RRR1并联,于是
根据超前或滞后校正器的传递函数,可得:
当a<1a<1a<1时表示超前校正器,当a>1a>1a>1时表示滞后校正器。
滞后超前校正器
前级ZZZ1是电容CCC2和电阻RRR2串联后与电阻RRR4并联,ZZZ2是电容CCC1和电阻RRR1串联后与电阻RRR3并联,于是
根据滞后超前校正器的传递函数,可得: