本文主要介绍了 沁恒蓝牙芯片 CH58x 的 DataFlash 分区以及读写操作以及原理
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【沁恒蓝牙mesh】CH58x DataFlash 详解
- 1. flash 分区管理
- 2. DataFlash 详解
- 2.1 读写 dataflash 图解
- 2.2 写 dataflash 过程
- 2.3 flash中 bit的读写行为
- 2.4 如何知道一个空间有没有写入过数据?
- 2.5 库函数 api 接口详解
- 3. 若只写几个字节,怎么操作比较合适?
1. flash 分区管理
参考博文:
【沁恒蓝牙mesh】CH58x flash分区与数据存储管理
2. DataFlash 详解
2.1 读写 dataflash 图解
MCU
中的 Flash
中专门用于存储数据的区域叫做 DataFlash
- page : 写入
Dataflash
的最小单位,ch582
最小该单位为 1字节 - Sector :擦除
Dataflash
的最小单位,ch582
最小该单位为 256 字节
2.2 写 dataflash 过程
- 先擦除该位置所在的 sector
- 然后往该 page中写入数据
2.3 flash中 bit的读写行为
- 数据 bit 为0的区域,在擦除后变为1
- 数据 bit 为1的区域,允许被写成0
- 数据 bit 为0的区域,不允许写操作,需先擦除,再写才做
2.4 如何知道一个空间有没有写入过数据?
读取该地址的数据,若为0xff 则认为该地址没有被写入过数据
2.5 库函数 api 接口详解
//读取数据
//传入的地址是相对地址,0对应dataflash的起始地址
EEPROM_READ(StartAddr,Buffer,Length)//擦除数据
//这里的length 是字节,但是实际的擦除是按照256字节高位对齐,比如传入257字节,实际是擦除了512字节.
//擦除后的区域,使用EEPROM_READ读出来默认是0xff,使用指针方式绝对地址读取,非0xff
//传入的地址是相对地址,0对应dataflash的起始地址
EEPROM_ERASE(StartAddr,Length)//写入数据
//这里的buffer是需要写入的指针数据,不需要进行4字节对齐,数据长度是1的倍数,数据需要在RAM里面
//传入的地址是相对地址,0对应dataflash的起始地址
EEPROM_WRITE(StartAddr,Buffer,Length)
3. 若只写几个字节,怎么操作比较合适?
问题:如果我只想写几个 byte
,每次写之前就要擦除一整个 sector
,效率比较低,不方便。如何解决?
将 dataflash
划分为两个逻辑分区, logical sector1
和 logical sector2
使用之前,先擦除分区1,然后才能在分区1写操作
,为了提高flash 的寿命可以:擦除分区1后,接下来擦除分区2,不要连续擦除分区1,然后在分区2进行操作,使用完分区2后们再次回到分区1使用,循环使用