以下信息可能比较针对三极管的手册信息来罗列出来。

全部参数

• 反向击穿电压

  $V_{CBO}$集电极-基极电压，$V_{CEO}$集电极-发射极电压，$V_{EBO}$发射极-基极电压

• 集电极连续电流$I_C$

• 集电极耗散功耗$P_C$（$P_{CM}$）

  $P_C$ = $I_C$ * $V_{CE}$

• 存储温度$T_{stg}$

• 结温(承受最大温度)$T_J$

• 截止电流

  $I_{CBO}$集电极截止电流，$I_{EBO}$发射极截止电流，$I_{CEO}$集电极发射极穿透单流

• 直流电流增益$h_{FE}$（电流放大倍数）

  $h_{FE}$($\beta$) = $I_C$ / $I_B$

   c手册中写的$h_{FE1}$,$h_{FE2}$，其实都是代表同一个直流增益，只是说是表达$I_C$不同的情况下，增益的不同，增益并非线性关系。
    $h_{FE}$和$\beta$在数值上相近，但它们的定义和实际意义不同，$h_{FE}$是三极管H参数，全称“共发射极低频小信号输出交流短路电流放大系数”。而$\beta$是集电极电流$I_C$ 与基极电流$I_B$函数关系的表达式（即$\beta$ = $I_C$ / $I_B$）

• 饱和压降

  集电极-发射极饱和压降$V_{CE}$，基极-发射极饱和压降$V_{BE}$

• 特征频率$f_T$

    当f= $f_T$时，三极管完全失去电流放大功能。如果工作频率大于$f_T$，电路将不正常工作。

    $f_T$称作增益带宽积，即$f_T$=${\beta f}_o$。若已知当前三极管的工作频率$f_o$以及高频电流放大倍数，便可得出特征频率$f_T$。随着工作频率的升高，放大倍数会下降．$f_T$也可以定义为β=1时的频率．

    上述表达总结来说，就是当工作频率等于特征频率时，失去放大电流的效果，约等于输入电流等于输出电流。要是工作频率大于特征频率时，电路将不正常工作。

  当然手册中除了标定上述参数的参考值外，注意还不要忘了温度的变化也会对参数产生的影响。一般芯片手册后面也会有图表来基本演示参数与温度之间的影响关系，也可以去参考。

手册图表

  在手册中的图标可以看到一些在手册中没有指出的参数，例如常谈的导通电压，就要到图表中查看$I_C$与$V_{BE}$的关系，才能知道开启电压的范围与能导通的电流之间的关系，才能进一步的确定工作时，所需的导通电压。