SSD的存储介质是什么，它就是NAND闪存。那你知道NAND闪存是怎么工作的吗？其实，它就是由很多个晶体管组成的。这些晶体管里面存储着电荷，代表着我们的二进制数据，要么是“0”，要么是“1”。NAND闪存原理上是一个CMOS管，有两个栅极，一个是控制栅极(Control Gate), 一个是浮栅(Floating Gate). 浮栅的作用就是存储电荷，而浮栅与沟道之间的氧化层(Oxide Layer)的好坏决定着浮栅存储电荷的可靠性，也就是NAND闪存的寿命。
目前市面上主要流通的就是4种NAND类型：SLC、MLC、TLC、QLC。随着每个寿命从高到低依次是SLC>MLC>TLC>QLC.
以TLC 3D NAND为例，当一个存储单元需要存储多位信息时，这些位会被赋予不同的编程延迟，以允许在相同单元内区分它们。
在这种情况下，LSB、CSB和MSB是根据它们的编程延迟来定义的：
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LSB (Least Significant Bit)：最低有效位，这是在同一个存储单元中编程延迟最小的位。对于3位的TLC NAND闪存来说，LSB通常是第一个被写入的位，因为它的编程阈值最低。
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CSB (Central Significant Bit)：中央有效位，位于LSB和MSB之间，其编程延迟介于两者之间。在某些编程模式下，CSB可能是在LSB之后紧接着被编写的位。
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MSB (Most Significant Bit)：最高有效位，具有最高的编程阈值，在同一存储单元中的编程延迟最大。因此，它是最后被编写的位。
上面Vt分布中，理想情况是每个状态都有数据的均匀分布。实际情况，是随着我们对NAND写入数据pattern的不一样，对NAND本身可靠性差异也很大。
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Case1: 写入全是1的数据，写入数据的数据，全部集中在3态。这个时候，FN隧穿效应最为严重（“Fowler-Nordheim stress”，这是一种由于强电场导致的隧道氧化层中的应力。在闪存的操作过程中，这种应力可能导致隧道氧化层的损坏，从而影响闪存的性能和寿命）
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Case2: 分布在1态和3态，这种情况下用ISPP(Incremental Step Pulse Programming)脉冲编程会有影响，导致1态向3态偏移严重。
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Case3: 是最理想的情况，每个状态的比例完全均匀分布。对NAND的可靠性提升是最友好的。
