BUCK电路也即降压电路,是应用最广泛的DC-DC变换器
需求决定的参数
V i 和 V o V_{i} 和V_{o} Vi和Vo
f f f
I o I_{o} Io
输出电压纹波率
效率
需要计算:电感量 r r r 占空比 C
参数计算:
当MOS管导通时,电感电压 V O N = V i − V o V_{ON} = V_{i}-V_{o} VON=Vi−Vo
当MOS管关断时,电感电压 V O F F = V o V_{OFF} = V_{o} VOFF=Vo
假设电路处于稳态,则必然满足伏秒平衡即: V O N × T O N = V O F F × T O F F V_{ON} ×T_{ON} = V_{OFF} ×T_{OFF} VON×TON=VOFF×TOFF
整理可得 ( V i − V o ) × T O N = V o × T O F F = ∆ I × L (V_{i}-V_{o}) ×T_{ON} = V_{o}×T_{OFF}=∆I×L (Vi−Vo)×TON=Vo×TOFF=∆I×L
计算占空比
设开关频率为 f f f,占空比为D,则 T O N = D f T_{ON} = \frac{D}{f} TON=fD , T O F F = 1 − D f T_{OFF} =\frac{1-D}{f} TOFF=f1−D
整理可得 ( V i − V o ) × D = V o × ( 1 − D ) (V_{i}-V_{o}) ×D = V_{o}×(1-D) (Vi−Vo)×D=Vo×(1−D)
最终 D = V o / V i D=V_{o}/V_{i} D=Vo/Vi 也即占空比是由输入输出电压决定的
电流关系
设平均电感电流为 I L I_{L} IL
设平均电容电流为 I C I_{C} IC
设平均开关电流为 I S W I_{SW} ISW
设平均二极管电流为 I D I_{D} ID
设平均输入电流为 I i I_{i} Ii
设平均负载电流为 I o I_{o} Io
I L I_{L} IL在导通阶段等于平均开关电流 I S W I_{SW} ISW,在关断阶段等于平均二极管电流 I D I_{D} ID。
但是如果按全周期来算,平均开关电流 I S W I_{SW} ISW和平均二极管电流 I D I_{D} ID应该小于 I L I_{L} IL,因为有部分时间他们都是可能是0.
I S W = I L × D I_{SW} = I_{L}×D ISW=IL×D
I D = I L × ( 1 − D ) I_{D} = I_{L}×(1-D) ID=IL×(1−D)
平均输入电流为 I i I_{i} Ii等于平均开关电流为 I S W I_{SW} ISW
在一个周期内,电容电压不变,所以平均电容电流为 I C I_{C} IC为0.
在导通阶段电感电流=电容电流+负载电流
在关断阶段电感电流=负载电流-电容电流
电容在一个周期内处于安秒(荷秒)平衡状态
I O N × T O N = I O F F × T O F F I_{ON} ×T_{ON} = I_{OFF} ×T_{OFF} ION×TON=IOFF×TOFF
最终可以算出平均负载电流为 I o I_{o} Io等于平均电感电流为 I L I_{L} IL
计算电感
根据公式 ( V i − V o ) × T O N = V o × T O F F = ∆ I × L (V_{i}-V_{o}) ×T_{ON} = V_{o}×T_{OFF}=∆I×L (Vi−Vo)×TON=Vo×TOFF=∆I×L
带入占空比 D D D和和频率 f f f 得 ( V i − V o ) × D f = V o × ( 1 − D ) f V o = ∆ I × L \frac{(V_{i}-V_{o}) ×D}{f} = \frac{V_{o}×(1-D)}{f}V_{o}=∆I×L f(Vi−Vo)×D=fVo×(1−D)Vo=∆I×L
整理可得 L = ( V i − V o ) × D ∆ I × f = V o × ( 1 − D ) ∆ I × f L=\frac{(V_{i}-V_{o}) ×D}{∆I×f} = \frac{V_{o}×(1-D)}{∆I×f} L=∆I×f(Vi−Vo)×D=∆I×fVo×(1−D)
电流纹波率r
电流纹波率只适用于CCM,范围为0-2,一般取值为0.3-0.5,0.4是最优,其实就是在这个等式下面加一些限制条件(不等式),然后去找最合适的解,r确定了加上需求条件就可以确定其他参数,然后去找器件
r = ∆ I I L r=\frac{∆I}{I_L} r=IL∆I 则 ∆ I = I L × r ∆I=I_L×r ∆I=IL×r
伏秒积公式变为
电感计算方程为:
峰值电感电流和电感尺寸
I P K = I L + I A C = I L + ∆ I 2 I_{PK} = I_{L}+I_{AC}=I_{L}+\frac{∆I}{2} IPK=IL+IAC=IL+2∆I
峰值电感电流要特别注意,选电感时一定要高于电路的峰值电流,避免磁芯饱和
电感的能量处理能力与电感尺寸正相关。
而电路需要的能量处理能力为 W = 1 2 L I P K 2 W= \frac{1}{2}L{}I_{PK}^2 W=21LIPK2
频率对电感值和电感尺寸的影响
频率升高,则伏秒积会减小。而输出电流不变,要保持 r r r不变,L必须减小,则电路需要的能量处理能力会减小,电感尺寸减小。故提高频率有很多好处,能够减小电路体积,确定是开关损耗会变大。
负载电流对电感值和电感尺寸的影响
负载电流增大,要保持保持 r r r不变,L必须减小,而峰值电流增大,所以电路需要的能量处理能力会减增大,电感尺寸需要增大
输出电压纹波率的计算
稳态条件下,各开关周期电容储能为0.电感上的脉动电流直流分量流向负载,交流分量流向电容,如下图。下面计算输出电容的脉动电压。
由电荷量Q等于I对时间的积分,对处于X轴上面的三角形积分得
Q = 1 2 × T 2 × ∆ I 2 = ∆ I 8 f Q=\frac{1}{2}×\frac{T}{2}×\frac{∆I}{2}=\frac{∆I}{8f} Q=21×2T×2∆I=8f∆I
U = Q C = ∆ I 8 C f U=\frac{Q}{C}=\frac{∆I}{8Cf} U=CQ=8Cf∆I
从最"恶劣"的工况开始设计:
通过TI手册学习怎么选输出电容 ,输入电容,还有电感
附录:DCM模式下的计算
临界条件
当 I L I_{L} IL等于 ∆ I ∆I ∆I的一般时,处于DCM和CCM的临界条件,即 r = 2 r=2 r=2
根据 L × I L×I L×I法则有
L = E t 2 I L = ( V i − V o ) D 2 f I L = ( 1 − D ) V o 2 f I L L=\frac{E_t}{2I_L}=\frac{(V_i-V_o)D}{2fI_L}=\frac{(1-D)V_o}{2fI_L} L=2ILEt=2fIL(Vi−Vo)D=2fIL(1−D)Vo
当选用电感低于这个临界值时会进入DCM,所以频率降低或者负载变小更容易进入DCM
所以DCM的特点:电流纹波大,轻载,低频
占空比计算
参考西瓜周视频