Mos管的工作原理
Mos管的出现，几乎不怎么耗电。因此在集成电路中起了非常大的作用
在某些方面确实比晶体三极管强。
基本原理：依靠电场效应来控制。
电场效应几乎是没有电流的，没有电流几乎是没有功率的。
从控制上来说，消耗的功率特别小。
输入电阻非常高。
场效应管不和三极管一样，有双极，受温度影响大。
它只有多子的存在，因此受温度影响小。
分为两种类型：
结型场效应管
下节讲
绝缘栅型场效应管
比晶体三极管晚了10年(金属氧化物场效应半导体)
在它的基础上，又造出了CMOS电路（相机图像处理大多用的都是CMOS，耗能更小）
N沟道增强型MOS管
结构：
绝缘层，二氧化硅特别薄，
g：栅极，控制器。
s：源极，载流子的发源地
d：漏极，载流子的漏出地
栅极完全绝缘，和谁都不沾边。因此省电
工作原理
如果需要MOS拥有和三极管一样的能力，比如放大能力，就需要让栅极控制某一个输出量（电压或者电流）。
设计成，源极和衬极连在一起。
一旦衬底是单独的，那么d和s是可以互换的。
设计成，源极和衬极连在一起。
-
一旦给Ugs加电压，在电场力（方向向下）的作用下，d区的空穴全部都被提走。因此就变成了耗尽层。
-
继续加电压，空穴全提跑了，自由电子都吸上去了。自由电子上去了以后就形成了N沟道（反型层）。
沟道越宽，d和s之间的电阻越小，越窄，d和s之间的电阻越大。
在这种情况下，我的场效应管就和一个可变电阻器一样。
形成N沟道以后，下一步就是如何产生电流：很简单，给电压就行。
- 如下在
现在需要研究Uds之间的电压，就需要保持UGS不变。
让Uds逐渐上升。
可以看出，随着UDs的增大，Id也在增大。但是斜率没变，我们控制了UGs不变，此时斜率就是UGS。
增加的电压都去抵抗增加的电阻了。
UGS变化，RDs就变化，因此如上图。
一旦进入恒流区域，这里的电流Id，只和UGS有关，通过控制电阻阻值的大小控制电流大大小。
UGS越大，沟道越宽，电阻阻值越小，电流越大。
因此UGS和iD成比例。
结型（PN结型）：是天生就导通的。
根据下面的图，第一部分，可变电阻区的控制，你可以控制它的导通和关闭。
第二部分可以控制电流放大。
结型：天生就有沟道，那绝缘栅可不可以做到这一点？
N沟道耗尽型MOS管
符号变为：
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