通过扩散工艺，在本征半导体中掺入少量合适的杂质元素，可得到杂质半导体。

按掺入的杂质元素不同，可形成N型半导体和P型半导体

控制掺入杂质元素的浓度，可以控制杂质半导体的导电性能。

一、N型半导体（negative Semiconductor）

五价元素

在纯净的硅晶体中掺入五价元素（如磷P），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了N型半导体。

浓度 多子 少子

N型半导体中自由电子的浓度 > 空穴的浓度，故称自由电子为多数载流子（简称多子）；空穴为小数载流子（简称少子）。

自由电子导电

N型半导体主要靠自由电子导电，掺入的杂质越多，多子（自由电子）的浓度越高，导电性能越强。

施主原子

由于杂质原子可以提供电子，故称之为施主原子。

二、P型半导体

三价元素

在纯净的硅晶体中掺入三价元素(如硼B)，使之取代晶格中硅原子的位置，就形成P型半导体。

多子 少子

P型半导体中，空穴为多子，自由电子为少子。

空穴导电

P型半导体主要靠空穴导电，掺入的杂质越多，空穴的浓度越高，导电性能越强。

受主原子

因杂质原子中的空位吸收电子，故称之为受主原子。