总结

本文首先介绍了目前主流的外存设备有哪些。

然后介绍了NandFlash芯片的接口、结构、常见操作，以及NandFlash控制器相关的内容。

接着介绍了SD卡和inand芯片的接口，以及SD/MMN/iNand控制器相关的内容。

最后利用代码进行说明与验证。

一、主流的外存设备介绍

我们一般把RAM（random access memory，随机访问存储器，特点是任意字节读写，掉电丢失）叫做内存；把ROM（read only memory，只读存储器，特点是掉电不丢失，不能随机地址访问，只能以块为单位来访问）叫外存。

1、软盘、硬盘、光盘、CD、磁带等

这类型的存储设备的存储原理大部分为磁存储。

优点是技术成熟、价格便宜，缺点是读写速度慢、可靠性不好等。

这些存储设备广泛使用在桌面电脑中，但是在嵌入式设备中几乎很少使用。

2、纯粹的Flash：NandFlash、NorFlash

现代存储的发展方向是Flash存储，即闪存技术。

闪存技术是利用电学原理来存储1和0，所以闪存设备没有物理运动，读写速度可以很快，且无物理损耗。

闪存技术分为NAND技术、NOR技术、DINOR技术、UltraNAND技术等，大致分为两类，即NAND技术和NOR技术。采用这两种技术制成的Flash芯片就叫做NandFlash、NorFlash芯片。

最原始的NandFlash、NorFlash芯片由Flash颗粒组成，芯片外部只做了最基本的读写接口。使用这种存储芯片时，需要SoC为它提供Flash读写控制器，以及对Flash进行读写的时序。

这种存储芯片的缺陷是：读写接口时序比较复杂；内部无坏块处理机制，需要SoC自己来管理Flash的坏块；各家厂家的Flash接口不一致，甚至同一个厂家的不同型号、系列的Flash接口都不一致，这就造成产品升级时很麻烦。

换言之，这种存储芯片就相当于最原始的存储容器，它的外观造型是芯片。

3、卡化的Flash：SD卡、MicroSD、MMC卡与TF卡等

（1）这些卡片式的存储器，内部是NandFlash存储颗粒，与NandFlash芯片相比，多了统一的外部封装和标准接口。比如SD卡都遵照SD规范来发布。它规定了SD卡的读写速度、读写接口时序、读写命令集、卡大小尺寸、引脚个数及定义，因此不同厂家的SD卡可以通用。

（2）换言之，这类存储器类似于把NandFlash芯片做成卡片，并添加统一的外观与标准接口。

（3）这些卡遵循MMC协议或者SD协议，SD协议兼容MMC协议。

4、iNand、MoviNand等

（1）电子产品如手机、相机等，前些年的趋势是用SD卡/TF卡等外部扩展卡来扩展存储容量，但近些年的趋势是直接在电子产品内部设置大容量的Flash芯片，比如iNand、MoviNand等等。

（2）这些存储器内部依然由NandFlash存储颗粒构成，内置了块设备管理模块（提供了诸如坏块管理的功能），综合了SD卡为代表的各种卡的优势（有统一的接口标准，比如引脚定义、物理封装、接口时序等，不同厂家的SD卡可以通用），以及原始的NandFlash芯片的优势（以芯片的方式来发布而不是以卡的方式，因为外部扩展卡时间长了其卡槽可能会接触不良）。

（3）换言之，这类存储器类似于将SD卡芯片化，同时内置有块设备管理模块。

（4）这些芯片遵循EMMC协议。这里的E是embedded，是内嵌的意思，意味着芯片化后焊接到开发板上。相对于MMC协议，EMMC协议多了一个字母E，就是指芯片化后焊接到到开发板中。平常我们说的emmc芯片，一般指iNand或者moviNand。（moviNAND是三星的产品，iNand是sandisk的产品，都符合emmc协议。）

5、SD卡的进一步介绍

（1）SD卡与其他存储器的对比

SD卡与MMC卡的关系

MMC标准比SD标准早，SD标准兼容MMC标准。

MMC卡可以被SD读卡器读写，而SD卡不可以被MMC读卡器读写。

SD卡和Nand、Nor等Flash芯片差异

SD卡/MMC卡等卡类有统一的接口标准，而Nand芯片没有统一的标准。

SD卡与MicroSD的区别

体积大小区别而已，传输与原理完全相同。

SD卡与TF卡的区别
外观上，SD卡大而TF卡小。

用途上，SD卡用于数码相机等，而TF卡广泛用于手机、GPS等。

时间上，SD卡1999年推出，TF卡于2004年推出。

SD卡由日本松下、东芝与美国SanDisk共同推出，而TF卡由Motorola与SanDisk共同推出。

SD卡有写保护而TF卡没有，TF卡可以通过卡套转成SD卡使用。

SD卡与iNand的区别

SD卡是卡片式的存储器，而iNand可以简单理解为将SD卡芯片化。

（2）SD卡的编程接口

SD卡的物理接口

SD卡由9个针脚与外界进行物理连接，这9个脚中有2个地，1个电源，6个信号线。

SD协议与SPI协议

SD卡与SRAM/DDR/SROM之类的东西的不同，SRAM/DDR/SROM之类的存储芯片是总线式的，只要连接上并初始化好之后就可以由SoC直接以地址方式来访问；而SD卡不能直接通过接口给地址来访问，它的访问需要按照一定的接口协议（时序）来访问。

SD卡虽然只有一种物理接口，但是却支持两种读写协议：SD协议和SPI协议。

SPI协议特点（低速、接口操作时序简单、适合单片机）

SPI协议是单片机中广泛使用的一种通信协议，并不是为SD卡专门发明的。

SPI协议相对SD协议来说速度比较低。

SD卡支持SPI协议，就是为了单片机方便使用。

SD协议特点（高速、接口时序复杂，适合有SDIO接口的SoC）

SD协议是专门用来和SD卡通信的。

SD协议要求SoC中有SD控制器，运行在高速率下，要求SoC的主频不能太低。

二、NandFlash芯片的接口

1、NandFlash芯片的型号

以K9F2G08芯片为例，K9F表示是三星公司的NandFlash系列，2G表示Nand的大小是2Gbit（256MB），08表示Nand是8位的（即数据线有8根）。

2、NandFlash芯片的数据位

Nand有8位数据位的，也有16位数据位的。Nand是并行接口。

Nand的数据线上传递的不一定全部是有效数据，也可能有命令、地址等。

3、NandFlash芯片的功能框图

（1）NandFlash的结构

可以看作一个矩阵式存储器。被分成一个个小块，每一小块可以存储一个bit位。

（2）Page（页）

NandFlash中可以被单次访问的最小单元叫做Page，即NandFlash进行一次读写至少要读写这么多内容，或者是这么多内容的整数倍。K9F2G08芯片中，Page的大小是2KB+64B，这说明要读写K9F2G08，每次至少要读写2KB或者n*2KB，即使只需要其中的一个字节。其中2KB是真正用来存储的，而64B是用来存储ECC数据、块坏标志。这就是我们说的典型的块设备，不过现在有些块设备为了方便，提供了一种random read模式，可以只读取1个字节。

（3）Block（块）

页往上还有一个“块”的概念，1个块等于若干个页，比如K9F2G08中1个块等于64页。

（4）Device

块往上是整个Nand芯片，叫做Device。一个Device有很多个Block，比如K9F2F08有2028个block，所以整个Device大小为2048×64×2K = 256MB。

（5）page与block的意义

块设备不能完全按字节访问而必须块访问，这是物理上的限制，而非人为设置的障碍。对于我们做软件的来说，只能去想办法适应硬件，不是想着超越硬件。在NandFlash中，Page是读写NandFlash的最小单位，Block是擦除NandFlash的最小单位。

（6）Nand芯片的组成：Nand存储颗粒+Nand接口电路

Nand存储颗粒就是纯粹的采用Nand原理的存储单元，类似于仓库；Nand接口电路用来管理存储颗粒，并且给外界提供一个统一的、Nand接口规格的访问接口。

（7）Nand中有许多存储单元，每个单元都有自己的地址，所以Nand的地址是编排精确到字节的，但是实际读写却只能精确到页，所以Nand的很多操作都要求给的地址是页对齐的，比如2K、4K、512K等这样的地址，不能给3000B这样的地址。Nand读写时地址传递是通过IO线发送的，因为地址有32位而IO只有8位，所以需要多个cycle才能发送完毕。一般的Nand都是4cycle或者5cycle发送地址（从这里把Nand分为了4cycle Nand和5cycle Nand）。

（8）总结

Nand芯片内部有存储空间，并且有电路来管理这些存储空间，向外部提供统一的Nand接口的访问规则。外部的SoC可以使用Nand接口时序来读写这个Nand存储芯片。理论上，外部SoC可以直接模拟Nand接口来读写Nand芯片，但因为nand接口对时序要求非常严格，而且时序很复杂，所以SoC一般都是通过专用的Nand控制器来操控Nand芯片。

三、NandFlash芯片的结构

1、NandFlash芯片的单元组织：page与block

（1）Nand的页和块设备（比如硬盘）的扇区是类似的。

扇区最早在磁盘中是512字节，后来也有些高级硬盘扇区不是512字节而是1024字节/2048字节/4096字节等。Nand也是一样，不同的Nand的页的大小是不同的，也有512字节/1024字节/2048字节/4096字节等。Nand：页——>块；块设备：扇区——>块。

（2）不同的Nand芯片中，一个block等于多少page也是不定的。

（3）Nand的组织架构挺乱的，接口时序也不同，导致不同厂家的Nand芯片，或者同一个厂家的不同系列型号的nand接口也不一样。一旦升级容量或者换芯片系列则硬件要重新做，软件也要重新移植。

2、带内数据和带外数据

（1）带内数据和带外数据

Nand的每个页由2部分组成，这2部分各自都有一定的存储空间。比如K9F2G08中为2K+64字节。2K字节属于带内数据，是我们真正的存储空间，将来存储在Nand中的有效数据就是存在这2K范围内的（平时计算nand的容量时只考虑这2KB）。64字节的带外数据不能用来存储有效数据，它是作为别的附加用途的，比如用来存储ECC数据、存储坏块标志等……

（2）ECC（error correction code，错误校验码）

Nand的稳定性不够好，因而nand存储的出错（即位反转）概率高。将有效信息存储到Nand中的同时，按照一定的算法（譬如CRC16等校验算法）计算出ECC信息，然后存储到Nand这个页的带外数据区。读取数据时，对数据用同样的算法再计算一次ECC，并且和从带外数据区读出的ECC进行校验。如果校验通过则证明Nand的有效数据可信，如果校验不通过则证明这个数据已经被损坏，只能丢弃或者尝试修复。

（3）坏块标志

Nand芯片在用一段时间后，某些块可能会坏掉（无法擦除或者无法读写），类似于硬盘的坏道。坏块是不可避免的，而且随着Nand的使用坏块会越来越多。当坏块还不太多的时候，这个Nand都可以用，当坏块太多了使用不划算时才会换新的。

为了管理Nand，发明了一种坏块标志机制。Nand的每个页的64字节的带外数据中，文件系统定义了一个固定位置（比如定位第24字节）来标记这个块是好的还是坏的。当某个块已经坏了，文件系统将该块标记为坏块，以后访问nand时直接跳过这个块。

3、NandFlash芯片的地址时序

Nand读写时地址传递是通过IO线发送的，因为地址有32位而IO只有8位，所以需要4cycle或者5cycle发送地址。寻址的最小单位是字节，但是读写的最小单位是页。

在写代码时，Nand读写时的地址要按照Nand要求的时序和顺序去依次写入。

4、NandFlash芯片的命令码

外部SoC要想通过Nand控制器来访问Nand接口，就必须按照Nand接口规定的内容，给Nand接口发送命令、地址、数据等信息来读写Nand。

Nand芯片内部的接口电路本身可以接收外部的命令，然后根据这些命令来读写Nand内容，实现与外部SoC的交互。所以我们对nand进行的所有操作（擦除、读、写……）都要有命令、地址、数据的参与才能完成，而且必须按照Nand芯片规定的流程来做。

四、NandFlash芯片的常见操作

1、坏块检查

Flash设备使用之前要先以块为单位进行擦除，擦除后里面全是1，因此读出来的值是0xff。

检查坏块的思路：先进行块擦除，然后将整块读出来，依次检测各字节是否为0xff，如果是则表明不是坏块，不是则表明是坏块。

2、页写操作（program）

往Flash中写入数据的过程就叫做编程（program）。写Flash之前先确保这个页被擦干净，然后SoC通过命令线、IO线依次发送写命令、写页地址、写数据等进入NandFlash。

（1）写操作的过程

SoC通过内部的Nand控制器和外部的Nand芯片完成顺序对接，然后按照时序要求将一页数据发给Nand芯片内部的接口电路。

Nand芯片内部的接口电路先将数据放到自己的缓冲区，然后再集中写入Nand芯片的存储区域中。

Nand芯片内部的接口电路将一页数据从缓冲区中写入Nand存储区域中需要一定的时间，这段时间内Nand芯片不能再响应SOC发过来的其他命令，所以SoC要等待Nand芯片内部的接口电路忙完。

SoC通过不断读取状态寄存器的状态位（这个状态寄存器有2种情况：一种是SoC的Nand控制器自带的，另一种是SoC通过发命令从命令响应得到的），得知页数据是否已经写完。

（2）ECC校验

Nand的读写可能出错，为了安全进行ECC校验。

软件式校验

Nand芯片手册上推荐的方式是将刚才写入的1页数据读出来，和写入的内容进行逐一对比。如果读出的和写入的完全一样，说明刚才的写入过程正确完成了；如果读出来的和写入的不完全一样那就说明刚才的写入有问题。

硬件式ECC

一般情况下，SoC内部的Nand控制器会提供硬件式ECC，即Nand控制器中有一个硬件模块专门做ECC操作。

在写入Nand芯片时，打开ECC生成开关，则在写入Nand芯片的过程中，Nand控制器的ECC模块会自动生成ECC数据，并放在相应的寄存器中，然后将ECC数据写入Nand芯片的带外数据区。

在读取Nand芯片时，打开硬件ECC开关，则在读取Nand芯片的过程中，硬件ECC会自动计算读进来的一页数据的ECC值，并放到相应的寄存器中。然后读取带外数据区中原来写入时存入的ECC值，和这会读取时得到的ECC值进行校验，校验通过则说明读写正确，校验不通过则说明读写不正确。

3、擦除操作（erase）

擦除时必须给块对齐的地址。如果给了不对齐的地址，结果是不可知的（有些Nand芯片没关系，它内部会自动将其对齐，而有些Nand会返回地址错误）。

读写时给的地址也是一样，要求是页对齐地址。如果给了不对齐的，结果是不可知的。

4、页读操作（read）

待写。

五、S5PV210的NandFlash控制器

1、Nand控制器的作用

Nand芯片本身通过Nand接口电路来存取数据，Nand接口电路和SOC之间通过Nand接口时序来通信。但Nand接口时序相对复杂，如果完全用软件来实现Nand接口时序，则难以保证时序正确与稳定，代码很难写。解决方案是在SoC内部集成一个Nand控制器，其实质是一块硬件电路，其完全满足Nand接口时序的操作，然后将接口时序的操作寄存器化。

在SoC没有Nand控制器时，需要SoC来处理接口时序，编程很麻烦，需要程序员看Nand芯片的接口时序图，严格按照接口时序图中编程。在SoC有Nand控制器时，SoC只需要编程操控Nand控制器的寄存器即可，Nand控制器内部硬件会根据寄存器值来生成合适的Nand接口时序和Nand芯片通信。因此读写Nand芯片时不用再关注Nand接口时序，只要关注SoC的Nand控制器的寄存器，编程变得简单。

扩展来说，现在的技术趋势是硬件加速。目前几乎所有的外设在SoC内部都有对应的控制器来与其通信。SoC内部集成的各种控制器越多，则SoC硬件能完成的功能越多，使用此SoC来完成相应任务时，软件编程越简单。比如图形处理和图像处理领域，现在大部分的应用级别的SoC都集成有内部编码器，像S5PV210就有，更复杂的比如4418、6818也有。利用这些硬件编码器来进行快速编解码，软件工作量和大大难度降低。

2、NandFlash控制器结构框图

S5PV210的NandFlash控制器结构框图，位于数据手册Section 5内的第4节，第693页。

（1）特殊功能寄存器SFR

这是后续编程的关键，编程时就是通过读写SFR来产生Nand接口时序以读写Nand芯片的。

（2）Nand interface

这是NandFlash控制器的硬件接口，将来和Nand芯片的相应引脚进行连接

（3）ECC生成器

3、NandFlash控制器的主要寄存器

NandFlash控制器的主要寄存器有NFCONF、NFCONT、NFCMMD、NFADDR、NFDATA、

NFMECCD0、NFMECCD1、NFSECCD、NFSTAT。

六、NandFlash操作代码解析

1、擦除函数

待写。

2、页读取函数

待写。

3、页写入函数

待写。

4、总结

（1）NandFlash这类芯片，一般通过专用的接口时序和SoC内部的控制器相连。这种连接方式是非常普遍的，像LCD、DDR等都是类似的连接。这种接法和设计，对我们编程来说，关键在于两点：SoC的控制器的寄存器理解、Nand芯片本身的文档和流程图等信息。

（2）学习NandFlash要注意的是：
第一，要结合SoC的数据手册、Nand芯片的数据手册、示例代码三者来理解。
第二，初学时不要尝试完全不参考自己写出Nand操作的代码，初学时应该是先理解实例代码，知道这些代码是怎么写出来的，必要时对照文档来理解代码。代码理解之后去做实践，实践成功后以后再考虑自己不参考代码只参考文档来写出nand操作的代码。

七、iNand的结构与接口

1、MMC卡、SD卡、iNand的关联

（1）最早出现的是MMC卡。它是卡片式结构，按照MMC协议设计。相较于NandFlash芯片来说，MMC卡有2个优势：第一是卡片化，便于拆装；第二是统一了协议接口，兼容性好。

（2）后来出现的SD卡，兼容MMC协议。SD卡较MMC有一些改进，比如写保护、速率、容量等。SD卡遵守SD协议，有多个版本。多个版本之间向前兼容。

（3）iNand在SD卡的基础上发展起来。较SD卡的区别就是将SD卡芯片化，解决了卡的接触不良问题，便于设备迷你化。eMMC是一种协议，iNand是Sandisk公司符合eMMC协议的一种芯片系列名称。

2、iNand的结构框图

和NandFlash结构特性类似，iNand内部也是由存储系统和接口电路构成，不同之处在于接口电路功能不同。iNand的接口电路更复杂，功能更健全。

（1）提供eMMC接口协议，和SoC的eMMC接口控制器通信对接。

（2）提供块的ECC校验相关的逻辑，也就是说iNand本身自己完成存储系统的ECC功能，SoC使用iNand时不用写代码来进行ECC相关操作，大大简化了SoC的编程难度。

（3）iNand芯片内部使用MLC Nand颗粒，所以性价比很高。（NandFlash分2种：SLC和MLC，SLC更稳定，但是容量小价格高；MLC容易出错，但是容量大价格低）。

（4）iNand接口电路还提供了cache机制，所以inand的操作速度很快。

3、iNand的物理接口

S5PV210芯片本身支持4通道的SD/MMC，在X210中实际是在SD/MMC0通道接了iNand芯片，而SD/MMC2接了SD卡（SD/MMC3也接了SD卡）。

对比inand和SD卡接线，发现这两个接线几乎是一样的，唯一的区别就是SD卡IO线有4根，而iNand的IO线有8根。在实际操作iNand芯片时和操作SD卡时几乎是一样的（物理接线几乎一样，软件操作协议几乎一样）。iNand/eMMC其实就是芯片化的SD/MMC卡，软件操作和SD卡相同。分析iNand芯片的操作代码时，其实就是以前的SD卡的操作代码。

一些细节的区别就是为了区分各种不同版本的SD卡、iNand的细节差异。

八、SD卡/iNand芯片操作

从上面的分析可知，操作iNand芯片和操作SD卡，几乎是一样的，所以这里混为一说。

1、硬件接口：DATA、CLK、CMD

（1）iNand芯片的IO线有8根，支持1、4、8线并行传输模式；SD卡IO线有4根，支持1、4线并行传输模式。

（2）CMD线用来传输命令，CLK线用来传输时钟信号。

（3）工作时，主机SoC通过CLK线传输时钟信号给SD卡/iNand芯片。这说明SD卡/iNand芯片是同步的，SD卡/iNand芯片的工作速率是由主机给它的CLK频率决定的。

2、“命令+响应”的操作模式

SD协议事先定义很多标准命令（CMD0、CMD1……），每个命令都有它的作用和使用条件和对应的响应。在一个命令周期中，主机先发送CMD给SD卡，接着SD卡解析这个命令并且执行这个命令，然后SD卡根据结果回发给主机SoC一个响应（有些命令不需要响应，这时SD卡不会给主机回发响应，主机也不用等待响应）。标准的“命令+响应”的周期中，主机发完一个命令后应该等待SD卡的响应而不是接着发下一条命令。

3、SD/iNand的体系结构

SD卡内部有一个接口控制器，类似于一个单片机，功能是通过CMD线接收外部主机SoC发给SD卡的命令码，然后执行这个命令并回发响应给主机SoC。这个单片机处理命令及回发响应遵循的就是SD协议。这个单片机同时可以控制SD卡内部的存储单元，可以读写存储单元。

4、SD/iNand的寄存器

这里说的是SD卡内部的寄存器，而不是主机SoC内部的SD控制器的寄存器。很多外置芯片内部都是有寄存器的，这些寄存器可以按照一定的规则访问，访问这些寄存器可以得知芯片的一些信息。

SD卡内部的寄存器，最重要的是RCA寄存器，即相对地址寄存器。我们在访问SD卡时，实际上SD卡内部每个存储单元的地址没有绝对数字，都是使用相对地址。相对地址由SD卡自己决定的，就存放在RCA寄存器中。

5、SoC的SD/MMC/iNand控制器简介

S5PV210的SD卡控制器在Section8.7部分。不同的SoC可能在SD/MMC/iNand等支持方面有差异，但都通过内部提供SD控制器来支持。

九、SD/iNand代码实战分析

1、命令码CMD和ACMD

SD卡工作在“命令+响应”的模式下。

SD协议的命令分2种：CMDx和ACMDx。CMD是单命令命令，就是单独发一个CMD即可表示一个意思。ACMD是一种扩展，就是发2个CMD加起来表示一个意思。可以认为ACMDx = CMDy+CMDz（y一般是55）

2、卡类型识别

MMC协议、SD协议、eMMC协议本身是一脉相承的，所以造成了一定的兼容性。连接到主机SoC上的可能是一个MMC卡，SD卡，或者iNand芯片。主机SoC需要识别这个卡的类型。

SoC如何区分卡的类型？因为不同卡的内部协议不同的，所以对命令的响应也不同。SoC通过发送一些命令，然后听取响应，就可以根据不同的响应判定卡的版本。

3、SD卡状态

SD卡内部的接口控制器类似于一个单片机，这个单片机其实是一个状态机。所以SD卡任何时候都处于某一种状态（空闲状态、准备好状态、读写状态、出错状态等等，这些状态都是事先定义好的），在这种状态下能够接受的命令是一定的（如果主机发过来的命令和当前状态不符，状态机就不会响应），接受到命令之后执行操作，然后根据操作结果会跳转为其他状态。

4、SD卡回复类型
一般来说，SD卡的工作模式是“命令+响应”，但也有极少数的SD卡命令是不需要回复的。

SD卡对命令的回复有R1、R7等8种类型，每种回复类型都有自己的解析规则。SD卡在特定状态下对特定命令回复哪种类型，都是SD协议事先规定好的，详细细节要查阅协议文档。

5、linux内核风格的寄存器定义

定义一个基地址，然后定义要访问的寄存器和基地址之间的偏移量，则寄存器的地址就等于基地址+偏移量。这里的的代码中宏定义是不完整的，很多宏定义只能从字面意思来理解，对应，无法通过语法完全获得。这样写代码的好处是可以见名知意，就算代码不全都能读。

6、SD/iNand相关的GPIO初始化
GPG0相关的GPIO初始化，参考LED部分的设置技术。

时钟设置参考裸机第六部分，设置时使用到了位操作技巧，参考C高级第二部分。

要求能够在两三分钟之内完全看懂这些代码涉及到的知识，要能够在数据手册、原理图中找到相对应的点，要能够瞬间明白代码中涉及到的C语言语法技巧，这样才叫融会贯通。

7、SD/iNand的时钟设置
SD卡本身工作需要时钟，但是它又没有时钟发生单元，依靠主机SoC的控制器（通过SD接口中的CLK线）传一个时钟过来给SD卡内部使用。所以主机SD卡控制器先初始化好自己的时钟，然后将自己的时钟传给SD卡。

主机SoC刚开始和SD卡通信时，因为不清楚SD卡属于哪个版本（高版本和低版本的SD卡的读写速率不同，高版本的可以工作在低版本的速率下，低版本的SD卡不能工作在高版本速率下），所以先给SD卡发400KHz的低速率时钟，SD卡拿到这个时钟后就能工作了。然后主机SoC在与SD卡进一步通信时，会识别SD卡的版本号，然后再根据SD卡的版本进一步给它更合适的时钟。

8、命令发送函数解析

9、卡类型识别操作时序及代码分析

10、卡读写时序及代码分析