前言与总结

这里说的SD卡启动方式，指的是uboot在SD卡中或者在inand里，且启动介质拨码开关选择SD卡启动方式（对于X210，是拨到远离电源键的一侧）。

uboot在SD卡的分布情况，通过将uboot烧写至SD卡的脚本可以大略知道，即uboot.bin的前16KB位于SD卡的扇区1~32，整个uboot.bin位于SD卡第49扇区开始的地方。

通过（利用fastboot将uboot镜像烧写到inand中的）操作可知，uboot在inand中仅有一个完整的镜像，不像uboot在SD卡中那样有两段且分开。我猜想，uboot也是放在inand的第1个扇区开始处。

但uboot在SD卡还是在inand中，本质应该没什么不同。因为无论uboot在SD卡还是在inand中，BL0都会从它们的第1扇区读取uboot的前16KB内容（也就是BL1）到SRAM中运行。而BL1会初始化DDR，DDR初始化之后，uboot在SD卡和在inand中，两者的区别才表现出来。当uboot位于SD卡时，BL1会从49扇区处将整个uboot拷贝至DDR中，然后利用ldr pc, =main这种远跳转方式，从SRAM中运行的BL1跳转到DDR中运行的BL2。当uboot位于inand中时，BL1是怎样操作的呢？这个应该需要了解uboot的启动过程，这里暂时不表。

1、三星推荐的启动方式

三星推荐将BL1放在SRAM中运行，将BL2也放在SRAM中运行，这意味着bootloader必须大于16KB且小于96KB。推荐即建议，但不一定要遵照。

三星推荐的启动过程

假定bootloader为80KB，则三星推荐的启动方式如下：

（1）开机上电后BL0运行，BL0会从外部启动设备（SD卡或者inand）的第1扇区处，读取bootloader的前16KB（也就是32个扇区）作为BL1加载到SRAM中运行。这是iROM中的BL0规定的，是写死的，第一步必须如此。

（2）BL1运行时，会将BL2（bootloader中80-16=64KB）加载到SRAM（SRAM中第16KB处）中运行。这是三星推荐的方法，但实际上我们没有遵循，而是在BL1中就完成DDR的初始化，并将BL2拷贝到DDR中，而不是拷贝到SRAM中，uboot就是如此。

（3）BL2运行时会初始化DDR，并且将OS搬运到DDR，然后去执行OS，启动完成。

这个过程示意图如下。

2、分散加载启动方式

分散加载的含义

如果文件大于16KB（只要大于16KB，哪怕是17KB，或者是700MB都是一样的），则需要将整个文件分割成两个独立的部分BL1和BL2，其中BL1小于等于16KB，BL2为任意大小，然后分别烧录到sd卡的不同扇区。注意，BL1在SD卡中必须从Block1开始（这个是三星官方规定的），我们定BL1为16KB（也就是32个block），则BL2理论上可以从33扇区开始，但实际上会留一些空扇区作为隔离，比如可以从45扇区开始，并根据BL2的大小来分配长度。

其中BL1在SRAM中运行，它负责将DDR初始化，然后将BL2从SD卡中加载到DDR中，然后在BL1最后（使用地址）强制跳转到BL2所在的地址，转而执行BL2。这种启动方式就叫做分散加载。

注意，DDR初始化好之后，整个DDR都可以使用了，这时在其中选择一段长度足够存储BL2的DDR空间即可，这里我们选0x23E00000，因为我们的BL1中只初始化了DDR1，地址空间范围是0x20000000～0x2FFFFFFF。

BL1和BL2其实是2个独立的程序，链接时也是独立分开链接的，因此不能使用ldr pc, =main这种通过链接地址的方式跳转到BL2。但是可以使用地址进行强制跳转，因为BL1知道BL2将被加载到哪个地址，所以BL1最后直接去执行这个地址即可。这种启动方式实现的例子，见在x210开发板上进行裸机开发的细节中第8点。

S5PV210内置的SD卡拷贝函数

因为BL0中的代码规定到SD卡第一扇区去读取BL1，所以BL1肯定得位于SD卡第一扇区开始的地方。BL2放在SD卡适当的扇区位置就好，因为（BL1将BL2从SD卡拷贝到DDR的）函数中，有一个参数表示BL2放在SD卡哪个扇区，另外一个参数表示读取多少个扇区，还有一个参数表示拷贝到DDR哪个位置，因此我们可以通过传参来设置BL1从SD卡哪个扇区读取BL2，读取多少扇区，读取到DDR哪个位置。并根据这些传参，我们可以修改（将uboot烧写至SD卡的脚本）write2sd文件烧写SD卡的哪个扇区，修改链接脚本中的链接地址。

那么BL1将BL2从SD卡拷贝到DDR的函数，是怎么来的呢？其实它是调用iROM中BL0内置的SD卡拷贝函数（通过函数指针方式来调用），这个函数的地址是0xD0037F98。当初BL0也是利用这个SD卡拷贝函数，将BL1从SD卡加载到SRAM中运行的。

分散加载的缺陷

第一，代码完全分2部分，完全独立，代码编写和组织上麻烦。

第二，无法让工程项目兼容SD卡启动和Nand启动、NorFlash启动等各种启动方式。

3、uboot的SD启动方式

uboot在sd卡的烧写情况

uboot一般大于200KB。将uboot烧录到SD卡时，先截取uboot.bin的前16KB（推荐截取这么大，因为这样就和三星推荐的一致，但实际脚本截取的是8KB）烧录到SD卡的扇区1~32（三星规定BL1必须烧写到SD卡的扇区1开始处），然后将整个uboot烧录到SD卡的某个扇区（比如49扇区）。

与分散加载的异同

由此可知，代码仍然分成BL1和BL2两部分，但是uboot是作为一个整体来组织。

这种方式能够兼容各种启动方式。

uboot的启动过程

（1）上电后BL0运行，BL0从SD卡扇区1开始读取16KB内容到SRAM中。尽管实际脚本截取8KB作为BL1烧写到SD卡，但我猜想，BL0还是会拷贝16KB到SRAM中，因为IROM中的BL0代码规定拷贝大小是16KB。

（2）BL1运行时会初始化DDR，然后从SD卡的49扇区开始拷贝整个uboot到DDR中，然后利用ldr pc, =main这种远跳转方式，从SRAM中运行的BL1跳转到DDR中运行的BL2。

（3）uboot启动后在uboot命令行中去启动OS。