在实际应用中，我们经常会使用到功率MOS，这时通常不会将它当成一个开关使用，而是当成一个放大器来使用，那这就需要让其工作在放大状态。
参考下图中的mos管的特性曲线，右图中的输出特性曲线中有一根红色的分界线，这个线就是区分mos管工作状态的分界线，在红线的左边，mos管工作在可变电阻区，也就是线性区；在红线的右边mos管工作在恒流区，也就是饱和区。当然，还有一个截止区。

本文分析主要运用模电课本中的理论计算验证。

如上图所示，是在multisim中绘制的放大电路，便于仿真验证。使用的MOS管的型号为2N7000。计算中需要使用的关键参数
$$U_{GSTH}=2V$$$$K=0.0502A/V^2$$

第一步判断此MOS是否工作在放大状态？那么就需要先分析其静态。分析静态的时候，电容开路，那么就会简化电路如下：

MOS管栅极电压用电阻分压可以求得
$U_{GQ}=12V\ast R3/(R2+R3)=2.26V$ （1）
这里的源极也就是S极直接接地了，所以可以得到
$U_{GSQ}=U_{GQ}=2.26V$ （2）
然后需要借助下面这个公式（3）
$I_{DQ}=K\ast (U_{GSQ}-U_{GSTH}{)}^2=3.49mA$（3）
（3）式是MOS管转移特性曲线的方程，式中这个K值是个比较关键的点，我们后面分析。
$U_{DSQ}=12V-R1\ast I_{DQ}=5.02V$ （4）
以上这几个公式求出来的值就是MOS管在静态工作时的几个关键参数。
我们可以先在仿真中验证一下正确性：

如上图，我们在电路中串入一个直流电流表测量电路中的$I_{DQ}$;并联一个直流电压表测量$U_{DSQ}$。将两个表测量的值和上面计算出来的值对比发现，结果非常接近，说明计算正确。

接下来是判断MOS管的工作状态：
在本例中，由上面计算得到的静态参数可以进行下面的计算验证。
$U_{DSQ}>U_{GSQ}-U_{GSTH}$ （5）
当满足该条件时，MOS管即工作在放大状态，当然，前提条件是
$U_{GSQ}>U_{GSTH}$保证当前MOS处于导通状态。

下面是小信号的动态等效电路分析：

该等效电路是对MOS管模型的等效，等效出一个压控电流源，即$u_{gs}$控制$i_d$，也就是图中的
$i_d=g_m\ast u_{gs}$（6）

该等式我们要注意两点：
①注意等式中使用的字母和下标都是小写，表明这里的值都是纯交流，没有直流信号
②式中的$g_m$表示跨导，即MOS管的转移特性曲线的斜率。小信号的等效就说明输入信号是一个幅值很小的信号，往往分析的时候就是计算在静态工作点Q处的$g_m$。

$g_m=2\ast \sqrt{K\ast I_{DQ}}$（7）
$g_m=2\ast \sqrt{0.0502A/V^2\ast 3.49mA}=26.47mA/V$

至此，计算中需要用到的一些公式参数基本都出现了，接下来开始计算验证。

首先计算一下$i_d$
$i_d=g_m\ast u_{gs}=2\ast \sqrt{0.0502A/V^2\ast 3.49mA}\ast u_i$
这里我只计算幅值，$i_{{}_{d}pk}=374.37uA$

然后计算信号放大倍数
$A_V=\frac{u_o}{u_i}=-48.126$
则对于输入信号$u_{ipk}=14.142mV$
$u_{{}_{o}pk}=-48.126\ast 14.142mV=-680.599mV$

观察仿真波形：

可以看到，这里主要观察了 $i_d$和 $u_o$的值，我们看到这里的两个幅值和计算的幅值相差无几，说明整个分析过程正确。注意波形图中设置的是交流形式，意即没有包含直流信号。如果我们调整为观察交直流信号。

$u_o$输出信号是经过电容滤波之后的信号，没有直流信号。我们调整观察点到电容前端，就可以观察到直流信号，如下图所示：

至此我们简单分析了基于三电阻的MOS管放大电路的计算。分析中涉及到的理论计算均来自模拟电路课本，参考包括杨老师的新概念等。
针对计算中给出的$K$值,在考试中往往会给出该值，所以计算较为方便。但是在实际应用电路中，在某个MOS的datasheet中是不会给出该值的，所以往往会无法计算。结合杨老师在新概念课堂中的建议，可以在对应的转移特性曲线上取一点，找出对应的$u_{GS}$和$i_D$的值，可以求解出一个$K$值。
但是在实际分析电路中可知，针对不同点，求解出的$K$值相差比较大，因此在实际应用中，会存在一定偏差。