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STM32F103RC使用HAL库对FLASH的擦除与写入（代码模块）

一、芯片FLASH简介

二、FALSH的擦除

三、FALSH的写入

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STM32F103RC使用HAL库对FLASH的擦除与写入（代码模块）

一、芯片FLASH简介

stm32f103rc芯片的flash大小为256KB，分为128页，每页大小为2KB。

二、FALSH的擦除

uint8_t flash_erase(void)
{uint32_t PageError = 0;uint8_t *p;p = (uint8_t *)((uint32_t *)0x08004000UL)FLASH_EraseInitTypeDef  FlashEraseInit = {.TypeErase = FLASH_TYPEERASE_PAGES,.Banks = FLASH_BANK_1,.PageAddress = 0x08004000,.NbPages = 120,}printf("擦除前FLASH地址0x08004000存放的数据为：%#x",*p);HAL_FLASH_Unlock();if(HAL_FLASHEx_Erase(&FlashEraseInit,&PageError) != HAL_OK){return 1;}HAL_FLASH_Lock();printf("擦除后FLASH地址0x08004000存放的数据为：%#x",*p);return 0;
}

stm32f103rc芯片的擦除方式有两种：1、按页擦除（FLASH_TYPEERASE_PAGES）   2、按块擦除（FLASH_TYPEERASE_MASSERASE）当使用页擦除方式擦除某一页或者几页时，需要设置： .TypeErase = FLASH_TYPEERASE_PAGES,    //擦除方式.Banks = FLASH_BANK_1,                 //擦除哪个块，该项只有擦除方式为按块擦除时才有效.PageAddress = 0x08004000,             //擦除起始地址.NbPages = 120,                        //擦除页数当使用块擦除方式擦除某一块时，需要设置： .TypeErase = FLASH_TYPEERASE_MASSERASE,//擦除方式.Banks = FLASH_BANK_1,                 //擦除哪个块，该项只有擦除方式为按块擦除时才有效.PageAddress = 0x08004000,             //擦除起始地址.NbPages = 1,                          //擦除页数

三、FALSH的写入

uint8_t flash_write(volatile uint32_t FlashAddress, uint32_t *Data, uint32_t DataLength)
{uint32_t i = 0;HAL_StatusTypeDef   ret;HAL_FLASH_Unlock();for(i=0; (i < DataLength) && (FlashAddress < APP_END_ADDR); i++){ret= HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_WORD,FlashAddress,*(uint32_t*)(Data+i));if(ret == HAL_OK){if(*(uint32_t *)FlashAddress != *(uint32_t *)(Data + i)){return 2;   //数据校验错误}FlashAddress += 4;}else{return 1;       //数据写入错误}}HAL_FLASH_Lock();return 0;
}

函数形参：FlashAddress：待写入FLASH的地址Data：待写入数据的缓存区地址DataLength：待写入数据的长度
说明：   APP_END_ADDR：为宏定义#define APP_END_ADDR    ((uint32_t)0x0803FFFFUL)HAL库接口函数HAL_FLASH_Program的写入方式有三种：1、半字写入（FLASH_TYPEPROGRAM_HALFWORD）  16bit（2字节）2、整字写入（FLASH_TYPEPROGRAM_WORD）      32bit（4字节）3、双字写入（FLASH_TYPEPROGRAM_DOUBLEWORD）64bit（8字节）