背景：

    在我们讲wafer加工好以后，需要进行相关测试，在此阶段，有很多提及到的常用术语，我们依次进行解释。

主要单词含义：

    CP ： Chip Probing（probe card），wafer level 的电路测试含功能；FT ： Final Test，device level 的电路测试含功能；WAT ： Wafer Acceptance Test（也叫PCM（Process Control Monitoring）），wafer level 的管芯或结构测试；

主要功能：

   1、CP：A.把坏的Die挑出来，可以减少封装和测试的成本。可以更直接的知道Wafer 的良率，在pass 的情况下才会去封装。B.对wafer进行测试，检查fab厂制造的工艺水平，包括backgrinding和backmetal（if need），对一些基本器件参数的测试，如vt（阈值电压），Rdson（导通电阻），BVdss（源漏击穿电压），Igss（栅源漏电流），Idss（漏源漏电流）等，一般测试机台的电压和功率不会很高。C.CP 测试对Memory来说还有一个非常重要的作用，那就是通过MRA计算出chip level 的Repair address，通过Laser Repair将CP测试中的Repairable die 修补回来，这样保证了yield和reliability两方面的提升D.CP在整个制程中算是半成品测试，目的有2个，1个是监控前道工艺良率，第2个是降低后道成本（避免封装过多的坏芯片），其能够测试的项比FT要少些。最简单的一个例子，碰到大电流测试项CP肯定是不测的（探针容许的电流有限），这项只能在封装后的FT测。不过许多项CP测试后FT的时候就可以免掉不测了（可以提高效率），所以有时会觉得FT的测试项比CP少很多。2、FT：A.FT是把坏的chip挑出来；检验封装的良率。B.FT是对package进行测试，检查封装厂制造的工艺水平，FT是packaged chip level的Final Test，主要是对于这个（CP passed）IC或Device芯片应用方面的测试，有些甚至是待机测试。C.有些测试项在CP时会进行测试，在FT时就不用再次进行测试了，节省了FT测试时间；但是有些测试项必须在FT时才进行测试（不同的设计公司会有不同的要求）

这里需要强调的是：
一般来说，CP测试的项目比较多，比较全；FT测的项目比较少，但都是关键项目，条件严格。但也有很多公司只做FT不做CP（如果FT和封装yield高的话，CP就失去意义了）。
在测试方面，CP比较难的是探针卡的制作，并行测试的干扰问题。FT相对来说简单一点。还有一点，memory测试的CP会更难，因为要做redundancy analysis，写程序很麻烦

   3、WAT：A.对专门的测试图形（test key）的测试，通过电参数来监控各步工艺是否正常和稳定	。B.WAT的测试项和CP/FT是不同的，对Wafer 划片槽（Scribe Line）测试键（Test Key）的测试，通过电性参数来监控各步工艺是否正常和稳定。C.WAT测试有问题，超过SPEC，一般对应Fab各个Module制程工艺或者机台Shift，例如Litho OVL异常，ETCH CD 偏小，PVD TK偏大等等。WAT有严重问题的Wafer会直接报废。

以上，是关于 在我们讲wafer加工好以后，常用的术语。

–补充，暂时放这里
OM：也叫目检，OM属于表面观察，看不到内部情况。

1.样品外观、形貌检测

2.制备样片的金相显微分析

3.各种缺陷的查找

4.晶体管点焊、检查