作者通过SimpleSSD仿真模型，采用SLC+QLC混合模式来开展进一步的验证工作。评估过程中，当写入请求到达固态硬盘时，首先会被写入缓存（DRAM），然后才被回写到NAND。文中引入了一个名叫做LRU(Least Recently Used)识别数据热度，以便将热点数据和冷数据分别写入SLC和QLC区域。与页面大小对齐的写入请求会被立即写入SSD，而小于16KB的IO请求则暂时保留在缓存等待与后续的IO聚合。
同时，为了对比不同的workload差异，论文中提供了10个workload压力模型。
在QLC NAND闪存中，由于需要等待一层中的所有字线（WLs）完成粗略编程后才能进行精细编程，因此这个时间间隔在写操作过程中是无法忽略的。研究结果显示，QLC闪存中两次编程步骤间的平均时间要远大于3D TLC闪存中编写一层所需的时间。
不同工作负载之间的时间间隔表现出显著变化，这主要是由于这些工作负载间写请求平均大小的巨大差异所导致。例如，Src2_2和Proj_0这类具有与页面大小相同的小型子请求的工作负载，在数据立即被写入底层NAND闪存的情况下，其经过时间较短。大多数工作负载的平均经过时间接近50ms，最坏情况下甚至可能超过300ms。在这样长的时间段内，由于数据更新操作，发生无效编程问题的可能性非常高。
论文提到影响无效编程严重程度的四个关键因素：
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缓存大小
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Block块大小（即一个块中包含的页数）
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Open Block计数（SSD中可以并行写入的最大块数）
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LRU长度（用于区分冷热数据）
通过改变评估存储系统的这些参数，研究发现无效编程问题在基于3D QLC的存储系统中普遍存在。具体来说，两次编程步骤之间被无效化的页面数量定义为“Invalid Page Count”，完成第一步编程的页面数量定义为“Page Count”，而无效比例（Invalid Ratio）则根据这两个指标计算得出。
此外，文中还提出另外一个参数：“回写比例”。所有写请求所涉及的总页数为“Request Page Count”，即请求页面计数。同时，写到底层NAND闪存的实际页数定义为“Write Back Page Count”。
这个写回比例有助于量化存储系统处理写请求时，实际需要对NAND闪存执行编程操作的数据量，以及缓存系统如何有效地吸收和管理这些写入数据，从而影响整体性能和闪存寿命。随着缓存大小、块大小以及开放块数量等参数的变化，写回比例也会发生变化，这会直接影响无效编程的发生情况。
缓存大小对无效编程（Invalid Programming）也有非常大的影响。在3D QLC NAND闪存中，由于采用两步编程规则，小于Page Size的IO请求首先被写入缓存，随后回写到底层存储设备。当缓存达到其容量上限时，会使用LRU（Least Recently Used）替换算法来淘汰较冷数据，并将其写回到闪存内存中。
实验结果表明，在大多数情况下，随着缓存大小的增加，无效比率（Invalid Ratio）也随之增长。这是因为更大的缓存可以容纳更多的写请求，导致更少的数据需要写到底层闪存中。
对于诸如Prxy_0和Wdev_0这类平均IO请求小于Page Size的工作负载来说，部分写请求会被缓存吸收，写入NAND的比例较低。
简而言之，缓存的大小与无效比率的增长密切相关，缓存越大，能暂存的待处理冷数据越多，进而可能导致无效编程现象增多。
