S3C2440的存储控制器提供了访问外设所需要的信号，它有如下特性：
支持大/小端字节(通过软件选择)；
每个BANK的地址空间为128MB，总共1GB(8个BANK)；
可编程控制的总线宽度(8/16／32bit)，BANK0只有两种位宽(16／32bit)；
总共8个BANK：BANK0-BANK5可以支持外接ROM、SRAM等；BANK6-BANK7除了支持ROM、SRAM外，还支持SDRAM等；
BANK0-BANK6七个BANK的起始地址固定；
BANK7的起始地址可编程选择；
每个BANK的访问周期均可编程控制；
通过外部的wait信号延长总线的访问周期；
在外接SDRAM时，支持自刷新和省电模式模式。
S3C2440对外引出的27根地址线ADDR0-ADDR26的访问范围只有128MB，而八个片选信号nGCS0-nGCS7对应于BANK0-BANK7，当访问BANKx的地址空间时，nGCSx引脚输出低电平用来选中外接的设备。每个nGCSx对应128MB地址空间，8个nGCSx信号总共对应了1GB。
在TQ2440开发板中BANK6连接SDRAM，CPU对其提供了一组用于SDRAM的信号：
SDRAM时钟有效信号LSCKE；
SDRAM时钟信号LSCLK0/LSCLK1；
数据掩码信号LnWBE0/LnWBE1/LnWBE2/LnWBE3；
SDRAM行地址选通脉冲信号LnSRAS；
SDRAM列地址选通脉冲信号LnSCAS；
写允许信号LnWE
1、SDRAM介绍
SDRAM的内部是一个存储阵列，如同一个二维表格，将数据填进去。其检索原理和表格相同，先指定一个行地址，再指定一个列地址就可以准确找到所需要的单元格。这个单元格被称为存储单元，而表格则称为逻辑BANK(L-BANK)，SDRAM一般有4个L-BANK其逻辑图为上图所示。
访问SDRAM可以分为如下四个步骤：
1、CPU发出的片选信号LnSCS0有效；
2、SDRAM中有4个L-BANK，需要两根地址线来选中其中一个，从图中可知使用ADDR24、ADDR25作为L-BANK选择信号；
3、对选中的芯片进行统一行/列(存储单元)寻址；
4、找到存储单元后，被选中的芯片进行同一的数据传输。
在TQ2440开发板中使用了两片16位的ADRAM芯片并联组成32位的位宽，与CPU的32根数据线(DATA0-DATA31)相连。BANK6的起始地址为0x30000000，所以SDRAM的访问地址为0x30000000-ox33ffffff，共64MB。
2、存储控制器的寄存器使用
在S3C2440中，存储控制器一共有13个寄存器，BANK0-BANK5只需要设置BWSCON和BANKCONx(x为0-5)两个寄存器，BANK6/BANK7外接SDRAM时，除了WSCON和BANKCONx(x为6-7)外，还需要设置REFRESH、BANKSIZE、MRSRB6、MRSRB7等四个寄存器。下面分别说明每个寄存器。
位宽和等待控制寄存器BWSCON
BWSCON
说明
STx
启动/禁止SDRAM的数据掩码引脚，对于SDRAM，此位为0；对于SRAM，此位为1
WSx
是否使用存储器的WAIT信号，通常设为0
DWx
使用两位来设置相应BANK的位宽，0b00对应8位，0b01对应16位，0b10对应32位，0b11保留
对于BANK0，它没有ST0和WS0、DW0([2:1])，bank0只支持两种位宽16/32。
BANK控制寄存器BANKCONx(x为0-5)，控制BANK0-BANK5外接设备的访问时序，使用默认的0x0700即可满足TQ2440开发板。
BANK控制寄存器BANKCONx(x为6-7)，在8个BANK中，只有BANK6和BANK7可以外接SRAM或SDRAM，因此其设置方法有所不同。
BANKCONn
说明
MT [16:15]
用于设置BANK外接的是SRAM或SDRAM，00 = ROM or SRAM，11 = Sync. DRAM
Trcd [3:2]
RAS to CAS delay，推荐设置0b01
SCAN [1:0]
SDRAM的列地址位数，00 = 8-bit 01 = 9-bit 10= 10-bit
刷新控制寄存器REFRESH
REFRESH
说明
REFEN [23]
0，禁止SDRAM的刷新功能，1，开启SDRAM的刷新功能
TREFMD [22]
SDRAM的刷新模式。0 = CBR/Auto Refresh 1 = Self Refresh(一般系统休眠时使用)
Trp [21:20]
一般设置为0
Tsrc [19:18]
设为默认值11
Refresh Counter [10:0]
SDRAM的刷新值，Refresh period = (211-SDRAM时钟频率(MHX)+1)/sdram刷新周期(us)
BANKSIZE寄存器
BANKSIZE
说明
BURST_EN [7]
0，禁止ARM核突发传输；1，ARM核支持突发传输
SCKE_EN [5]
0，不使用SCKE信号令SDRAM进入省电模式；1，使用SCKE信号令SDRAM进入省电模式
SCLK_EN [4]
0，时刻发出SCLK信号；1，仅在访问SDRAM期间发出SCLE信号
BK76MAP [2:0]
配置BANK大小
SDRAM模式设置寄存器MRSRBx(6-7)
MRSRBx
说明
CL [6:4]
SDRAM时序的时间参数设置
3、存储控制器实验;点亮LED灯
从NAND Flash启动CPU时，CPU会通过内部的硬件将NAND Flash开始的4KB数据复制到称为Steppingstone的4KB的内部RAM中(起始地址为0)，然后跳转到地址0开始执行。
本实验先使用汇编语言设置好存储控制器，使外接的SDRAM可用，然后把程序本身从Steppingstone复制到SDRAM，最后跳转到SDRAM中执行。
首先在head.S文件中，完成的工作是设置SDRAM，将程序复制到SDRAM中，然后跳转到SDRAM继续执行。
.equ MEM_CTL_BASE, 0x48000000
.equ SDRAM_BASE, 0x30000000
.text
.global _start
_start:
bl disable_watch_dog @ 关闭WATCHDOG，否则CPU会不断重启
bl memsetup @ 设置存储控制器
bl copy_steppingstone_to_sdram @ 复制代码到SDRAM中
ldr pc, =on_sdram @ 跳到SDRAM中继续执行
on_sdram:
ldr sp, =0x34000000 @ 设置堆栈
bl main
halt_loop:
b halt_loop
disable_watch_dog:
@ 往WATCHDOG寄存器写0即可
mov r1, #0x53000000
mov r2, #0x0
str r2, [r1]
mov pc, lr @ 返回
copy_steppingstone_to_sdram:
@ 将Steppingstone的4K数据全部复制到SDRAM中去
@ Steppingstone起始地址为0x00000000，SDRAM中起始地址为0x30000000
mov r1, #0
ldr r2, =SDRAM_BASE
mov r3, #4*1024
1:
ldr r4, [r1],#4 @ 从Steppingstone读取4字节的数据，并让源地址加4
str r4, [r2],#4 @ 将此4字节的数据复制到SDRAM中，并让目地地址加4
cmp r1, r3 @ 判断是否完成：源地址等于Steppingstone的未地址？
bne 1b @ 若没有复制完，继续
mov pc, lr @ 返回
memsetup:
@ 设置存储控制器以便使用SDRAM等外设
mov r1, #MEM_CTL_BASE @ 存储控制器的13个寄存器的开始地址
adrl r2, mem_cfg_val @ 这13个值的起始存储地址
add r3, r1, #52 @ 13*4 = 54
1:
ldr r4, [r2], #4 @ 读取设置值，并让r2加4
str r4, [r1], #4 @ 将此值写入寄存器，并让r1加4
cmp r1, r3 @ 判断是否设置完所有13个寄存器
bne 1b @ 若没有写成，继续
mov pc, lr @ 返回
.align 4
mem_cfg_val:
@ 存储控制器13个寄存器的设置值
.long 0x22011110 @ BWSCON
.long 0x00000700 @ BANKCON0
.long 0x00000700 @ BANKCON1
.long 0x00000700 @ BANKCON2
.long 0x00000700 @ BANKCON3
.long 0x00000700 @ BANKCON4
.long 0x00000700 @ BANKCON5
.long 0x00018005 @ BANKCON6
.long 0x00018005 @ BANKCON7
.long 0x008C07A3 @ REFRESH
.long 0x000000B1 @ BANKSIZE
.long 0x00000030 @ MRSRB6
.long 0x00000030 @ MRSRB7
在leds.c文件中，完成led循环闪烁的实验：
#define GPBCON (*(volatile unsigned long *)0x56000010)
#define GPBDAT (*(volatile unsigned long *)0x56000014)
/*
* LED1,LED2,LED4对应GPB5、GPB6、GPB7、GPB8
*/
#define GPB5_out (1<
#define GPB6_out (1<
#define GPB7_out (1<
#define GPB8_out (1<
void wait(volatile unsigned long dly)
{
for(; dly > 0; dly--);
}
int main(void)
{
unsigned long i = 0;
// LED1,LED2,LED3,LED4对应的4根引脚设为输出
GPBCON = GPB5_out | GPB6_out | GPB7_out | GPB8_out;
while(1){
wait(30000);
GPBDAT = (~(i<<5)); // 根据i的值，点亮LED1,2,3,4
if(++i == 16)
i = 0;
}
return 0;
}
Makefile的编写为：
sdram.bin : head.S leds.c
arm-linux-gcc -c -o head.o head.S
arm-linux-gcc -c -o leds.o leds.c
arm-linux-ld -Ttext 0x30000000 head.o leds.o -o sdram_elf #链接代码段的起始地址为0x30000000
arm-linux-objcopy -O binary -S sdram_elf sdram.bin
arm-linux-objdump -D -m arm sdram_elf > sdram.dis
clean:
rm -f sdram.dis sdram.bin sdram_elf *.o
代码的具体流程图为：
实验结果：
相比于直接在内部SRAM运行结果，可以发现在外部SDRAM运行的LED点灯程序，LED闪烁变慢 。本程序只能将内部SRAM的4KB程序复制到外部SDRAM，当程序大于4KB时，要复制4KB后的代码，就需要使用NAND Flash控制器。
实验代码
