1，前言
赛普拉斯(Cypress)公司是一家知名的电子芯片制造商。赛普拉斯在纽约股票交易所上市，在数据通信、消费类电子等广泛领域均提供芯片解决方案。
2020年4月16日赛普拉斯(Cypress)和英飞凌(infineon)同时对外发文宣布：infineon英飞凌已经完成总价值90亿欧元(合人民币693亿元)对Cypress赛普拉斯半导体公司的收购案。至此赛普拉斯成为英飞凌的一部分。
赛普拉斯(Cypress)为消费类电子、计算、数据通信、汽车、工业和太阳能等系统核心部分提供高性能的解决方案。
2，存储器(Memory)芯片命名规则
(1)NOR闪存(NOR Flash)芯片命名规则
1)一般NOR闪存芯片命名规则
第1组编号表示产品前缀
第2组编号表示闪存芯片系列
第3组编号表示闪存芯片家族
第4组编号表示电压
第5组编号表示闪存芯片容量
第6组编号表示闪存芯片制程工艺
第7组编号表示速度
第8组编号表示封装类型
第9组编号表示封装材料
第10组编号表示温度范围
第11组编号表示型号(其他订购选项)
第12组编号表示包装类型
图：闪存芯片命名规则(1～6组编号部分)
图：闪存芯片命名规则(7～12组编号部分)
2)车载级NOR闪存芯片命名规则
第1组编号表示产品前缀
第2组编号表示闪存芯片系列
第3组编号表示闪存芯片家族
第4组编号表示电压
第5组编号表示闪存芯片容量
第6组编号表示闪存芯片制程工艺
图：车载级闪存芯片命名规则
图：车载级闪存芯片命名规则(7～12组编号部分)
附：串行接口类型NOR闪存芯片对照表
图：串行接口类型NOR闪存产品对照表
附：并行接口类型NOR闪存芯片对照表
图：并行接口类型NOR闪存芯片对照表
(2)闪存+随存(Flash+RAM)芯片命名规则
1)一般闪存+随存芯片命名规则
第1组编号表示产品前缀
第2组编号表示存储器芯片系列
第3组编号表示存储器芯片家族
第4组编号表示电压
第5组编号表示闪存芯片容量
第6组编号表示闪存芯片制程工艺
第7组编号表示随存容量
第8组编号表示封装类型
第9组编号表示封装材料(环保)
第10组编号表示温度范围
第11组编号表示型号(其他订购选项)
第12组编号表示包装类型
图：闪存+随存芯片命名规则(1～7组编号部分)
图：闪存+随存芯片命名规则(8～12组编号部分)
2)车载级闪存+内存芯片命名规则
第1组编号表示产品前缀
第2组编号表示闪存芯片系列
第3组编号表示闪存芯片家族
第4组编号表示电压
第5组编号表示闪存芯片容量
第6组编号表示闪存芯片制程工艺
第7组编号表示内存容量
图：车载级闪存+随存芯片命名规则
附：HyperBus存储器芯片对照表
图：HyperBus存储器芯片对照表
(3)铁电随机存取存储器(F-RAM)芯片命名规则
1)串行接口类型F-RAM芯片命名规则
I)SPI接口类型随存芯片命名规则
a)FM前缀系列SPI接口类型
第1组编号表示Cypress产品前缀
第2组编号表示SPI随存芯片系列
第3组编号表示电压
第4组编号表示随存芯片容量
第5组编号表示闪存晶圆版本号
第6组编号表示封装类型
第7组编号表示包装方式
图：SPI接口类型随存芯片命名规则
图：SPI接口类型随存芯片命名规则
b)CY前缀系列SPI接口类型
第1组编号表示Cypress产品前缀
第2组编号表示SPI接口随存芯片系列
第3组编号表示电压
第4组编号表示随存芯片容量
第5组编号表示接口类型
第6组编号表示涌流控制
第7组编号表示频率
第8组编号表示封装类型
第9组编号表示环保要求
第10组编号表示温度范围
第11组编号表示包装方式
图：SPI接口类型随存芯片命名规则
图：SPI接口类型随存芯片命名规则
II)Q-SPI接口类型随存芯片命名规则
第1组编号表示Cypress产品前缀
第2组编号表示Q-SPI接口随存芯片系列
第3组编号表示电压
第4组编号表示随存芯片容量
第5组编号表示接口类型
第6组编号表示涌流控制
第7组编号表示频率
第8组编号表示封装类型
第9组编号表示环保要求
第10组编号表示温度范围
第11组编号表示包装方式
图：Q-SPI接口类型随存芯片命名规则
III)I2C接口类型随存芯片命名规则
a)FM前缀系列I2C接口类型
第1组编号表示Cypress产品前缀
第2组编号表示SPI随存芯片系列
第3组编号表示电压
第4组编号表示随存芯片容量
第5组编号表示闪存晶圆版本号
第6组编号表示封装类型
第7组编号表示包装方式
图：I2C接口类型随存芯片命名规则
图：I2C接口类型随存芯片命名规则
b)CY前缀系列I2C接口类型
第1组编号表示Cypress产品前缀
第2组编号表示I2C随存芯片系列
第3组编号表示电压
第4组编号表示随存芯片容量
第5组编号表示接口类型
第6组编号表示封装类型
第7组编号表示环保要求
第8组编号表示温度范围
第9组编号表示包装方式
图：I2C接口类型随存芯片命名规则
2)并行接口类型F-RAM芯片命名规则
a)FM前缀系列并行接口类型
第1组编号表示Cypress产品前缀
第2组编号表示随存芯片系列
第3组编号表示电压
第4组编号表示随存芯片容量
第5组编号表示随存晶圆版本号
第6组编号表示封装类型
第7组编号表示包装方式
图：并行接口类型随存芯片命名规则
b)FM前缀系列并行接口类型
第1组编号表示Cypress产品前缀
第2组编号表示随存芯片容量
第3组编号表示电压
第4组编号表示数据总线
第5组编号表示访问时间
第6组编号表示封装类型
第7组编号表示包装方式
图：并行接口类型随存芯片命名规则
图：并行接口类型随存芯片命名规则
图：并行接口类型随存芯片命名规则
c)CY前缀系列并行接口类型
第1组编号表示Cypress产品前缀
第2组编号表示随存芯片系列
第3组编号表示电压
第4组编号表示随存芯片容量
第5组编号表示数据总线
第6组编号表示封装类型
第7组编号表示访问时间
第8组编号表示环保要求
第9组编号表示温度范围
第10组编号表示包装方式
图：并行接口类型随存芯片命名规则
附：铁电随机存取存储器芯片对照表
图：铁电随机存取存储器芯片对照表
(4)静态随机存取存储器(SRAM)芯片命名规则
1)非易失性静态随存(nvSRAM)
I)串行(SPI)接口类型
第1组编号表示Cypress产品前缀
第2组编号表示随存芯片系列
第3组编号表示电压
第4组编号表示随存芯片容量
第5组编号表示SPI串行接口类型
第6组编号表示晶圆版本
第7组编号表示频率
第8组编号表示封装类型
第9组编号表示封装环保材料
第10组编号表示温度范围
第11组编号表示包装方式
图：SPI接口类型nvSRAM芯片命名规则
II)串行(I2C)接口类型
第1组编号表示Cypress产品前缀
第2组编号表示随存芯片系列
第3组编号表示电压
第4组编号表示随存芯片容量
第5组编号表示I2C串行接口类型
第6组编号表示封装类型
第7组编号表示封装环保材料
第8组编号表示温度范围
第9组编号表示包装方式
图：I2C接口类型nvSRAM芯片命名规则
III)并行接口类型
第1组编号表示Cypress产品前缀
第2组编号表示随存芯片系列
第3组编号表示电压
第4组编号表示随存芯片容量
第5组编号表示数据总线
第6组编号表示晶圆版本
第7组编号表示封装类型
第8组编号表示速度
第9组编号表示封装环保材料
第10组编号表示温度范围
第11组编号表示包装方式
图：并行接口类型nvSRAM芯片命名规则
附：非易失性静态随存芯片对照表
图：非易失性静态随存芯片对照表
2)异步静态随存(AsynSRAM)芯片命名规则
I)快速异步静态随存芯片命名规则
第1组编号表示Cypress产品前缀
第2组编号表示SRAM代号
第3组编号表示CMOS技术
第4组编号表示快速特性
第5组编号表示容量
第6组编号表示数据总线
第7组编号表示制程工艺
第8组编号表示电压
第9组编号表示速度
第10组编号表示封装类型
第11组编号表示封装环保材料
第12组编号表示温度范围
第13组编号表示包装方式
图：快速异步静态随存芯片命名规则
II)低功率异步静态随存芯片命名规则
第1组编号表示Cypress产品前缀
第2组编号表示SRAM代号
第3组编号表示容量
第4组编号表示数据总线
第5组编号表示制程工艺
第6组编号表示电压
第7组编号表示低功率特性
第8组编号表示速度
第9组编号表示封装类型
第10组编号表示封装环保材料
第11组编号表示温度范围
第12组编号表示包装方式
图：低功率异步静态随存芯片命名规则
III)ECC异步静态随存芯片命名规则
第1组编号表示Cypress产品前缀
第2组编号表示SRAM代号
第3组编号表示容量
第4组编号表示数据总线
第5组编号表示制程工艺
第6组编号表示ECC特性
第7组编号表示电压
第8组编号表示速度
第9组编号表示封装类型
第10组编号表示封装环保材料
第11组编号表示温度范围
第12组编号表示包装方式
图：ECC异步静态随存芯片命名规则
附：异步静态随存芯片对照表
图：异步静态随存芯片对照表
3)同步静态随存(SynSRAM)芯片命名规则
I)标准同步和NoBL系列
第1组编号表示Cypress产品前缀
第2组编号表示SRAM代号
第3组编号表示CMOS技术
第4组编号表示容量代码
第5组编号表示制程工艺
第6组编号表示ECC特性(NA)
第7组编号表示电压
第8组编号表示速度
第9组编号表示封装类型
第10组编号表示封装环保材料
第11组编号表示温度范围
第12组编号表示包装方式(NA)
同步静态随存芯片命名规则
II)QDR系列
第1组编号表示Cypress产品前缀
第2组编号表示SRAM代号
第3组编号表示CMOS技术
第4组编号表示容量代码
第5组编号表示制程工艺
第6组编号表示(NA)
第7组编号表示电压
第8组编号表示速度(频率)
第9组编号表示封装类型
第10组编号表示封装环保材料
第11组编号表示温度范围
第12组编号表示包装方式(NA)
图：QDR-II同步静态随存芯片命名规则
图：QDR-II+同步静态随存芯片命名规则
图：QDR-II+Xtreme同步静态随存芯片命名规则
图：QDR-IV同步静态随存芯片命名规则
附：同步静态随存芯片对照表
图：同步静态随存芯片对照表
(5)HyperBus存储器芯片命名规则
1)HyperFlash闪存芯片命名规则
第1组编号表示HyperFlash芯片家族
第2组编号表示芯片容量
第3组编号表示制程工艺
第4组编号表示速度
第5组编号表示封装类型
第6组编号表示封装环保材料
第7组编号表示温度范围
第8组编号表示型号(其他订购选项)
第9组编号表示包装方式
图：HyperFlash芯片命名规则
2)HyperRAM随存芯片命名规则
第1组编号表示HyperRAM芯片家族
第2组编号表示芯片容量
第3组编号表示制程工艺
第4组编号表示速度
第5组编号表示封装类型
第6组编号表示封装环保材料
第7组编号表示温度范围
第8组编号表示型号(其他订购选项)
第9组编号表示包装方式
图：HyperRAM芯片命名规则
图：HyperRAM芯片命名规则
3)HyperFlash+HyperRAM芯片命名规则(参照Flash+RAM芯片命名规则)
第1组编号表示HyperBus MCP芯片家族
第2组编号表示存储器芯片系列
第3组编号表示存储器芯片家族
第4组编号表示电压
第5组编号表示HyperFlash芯片容量
第6组编号表示闪存芯片制程工艺
第7组编号表示HyperRAM容量
第8组编号表示封装类型
第9组编号表示封装材料(环保)
第10组编号表示温度范围
第11组编号表示型号(其他订购选项)
第12组编号表示包装类型
图：HyperBus MCP芯片命名规则
附：HyperBus存储器芯片对照表
图：HyperBus存储器芯片对照表
附：HyperBus存储器和传统存储器方案对比
