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-模拟电子技术-章节资料考试资料-南京信息职业技术学院【】
随堂小测
1、【单选题】在本征半导体中，本征激发产生的载流子是（ ）
A、只有自由电子
B、只有空穴
C、正负离子
D、自由电子和空穴
参考资料【 】
2、【单选题】当PN结的P区加电源正极，N区加电源负极，PN结（ ）
A、变宽
B、变窄
C、不变
D、无法确定
参考资料【 】
随堂小测
1、【判断题】硅二极管的死区电压（开启电压）是0.7V
A、正确
B、错误
参考资料【 】
2、【判断题】对于实际的二极管，只要加在二极管两端的电压大于0，二极管就一定导通。
A、正确
B、错误
参考资料【 】
随堂小测
1、【判断题】利用二极管的正向特性组成整流电路。
A、正确
B、错误
参考资料【 】
2、【判断题】桥式整流电路属于半波整流。
A、正确
B、错误
参考资料【 】
随堂小测
1、【单选题】稳压二极管工作在（ ）状态
A、正偏
B、反偏截止
C、反向击穿
D、不确定
参考资料【 】
2、【单选题】发光二极管工作在（ ）状态
A、正偏
B、反偏
C、反向击穿
D、不确定
参考资料【 】
1 单元测试
1、【单选题】在N型半导体中，多数载流子为电子，N型半导体（ ）
A、带正电
B、带负电
C、电中性
D、不确定
参考资料【 】
2、【单选题】P型半导体中的自由电子浓度___ 空穴浓度（ ）
A、大于
B、小于
C、等于
D、不确定
参考资料【 】
3、【单选题】N型半导体中的自由电子浓度___ 空穴浓度（ ）
A、大于
B、等于
C、小于
D、不确定
参考资料【 】
4、【单选题】半导体中的空穴和自由电子数目相等，这样的半导体称为（ ）
A、P型半导体
B、N型半导体
C、本征半导体
D、不确定
参考资料【 】
5、【单选题】某二极管电路如图所示，电压表指示为0.7V，则可推断出（ ）。
A、D为硅管，且导通
B、D为硅管，且截止
C、D为锗管，且导通
D、D为锗管，且截止
参考资料【 】
6、【单选题】通常情况下，硅和锗二极管的开启电压分别为（　）和（　　）左右。
A、0.5V；0.1V
B、0.7V；0.5V
C、0.1V；0.5V
D、0.5V；0.2V
参考资料【 】
7、【单选题】二极管电路如图所示，D硅管，求电路中输出电压VO（ ）。
A、-5V
B、5V
C、0V
D、-10V
参考资料【 】
8、【单选题】发光二极管电路如图所示，已知发光二极管正向压降UD=2V，发光时的电流为10mA，则电路中的电阻R为(　　　)。<img src="http://edu-image.nosdn.127.net/397D8FB50390F376768378106F91CCC2.png?imageView
A、400Ω
B、200Ω
C、100Ω
D、300Ω
参考资料【 】
9、【判断题】在N型半导体中，多数载流子是空穴，少数载流子是自由电子。
A、正确
B、错误
参考资料【 】
10、【判断题】在纯净的半导体中掺了杂质后，其导电能力大大增强。
A、正确
B、错误
参考资料【 】
11、【判断题】在半导体内部，只有电子是载流子
A、正确
B、错误
参考资料【 】
1 测试进阶
1、【单选题】PN结加正向电压时，空间电荷区将
A、变窄
B、变宽
C、不变
D、不确定
参考资料【 】
2、【单选题】二极管的导通条件是
A、UD大于死区电压
B、UD大于0
C、UD大于导通电压
D、UD大于击穿电压
参考资料【 】
3、【单选题】二极管在反向截止区的反向电流
A、基本保持不变
B、随反向电压升高而升高
C、随反向电压升高而急剧升高
D、随反向电压升高而减少
参考资料【 】
4、【单选题】二极管的正向电阻比反向电阻
A、小
B、大
C、一样
D、不确定
参考资料【 】
5、【单选题】将交流电压Ui经单相半波整流电路转换为直流电压Uo的关系是
A、uo=ui
B、uo=0.45ui
C、uo=0.5ui
D、uo=0.9ui
参考资料【 】
6、【单选题】二极管的反向饱和电流在室温20oC时是5 μA，温度每升高10oC，其反向饱和电流值增大一倍，当温度为30oC时，反向饱和电流值为
A、5 μA
B、10 μA
C、20 μA
D、30 μA
参考资料【 】
随堂小测
1、【单选题】工作在放大区的某三极管，如果当IB从12μA增大到22μA时，IC从1mA变为2mA，那么它的β约为（ ）
A、100
B、50
C、99
D、101
参考资料【 】
2、【单选题】下列三极管中哪个一定处在放大区？（ ）<img src="http://edu-image.nosdn.127.net/95CDBF62C3EEA8D3803465259D879D1E.PNG?imageView
A、A
B、B
C、C
D、D
参考资料【 】
3、【单选题】测得晶体管3个电极的静态电流分别为0.06mA，3.66mA和3.6mA，则该管的β为（ ）
A、60
B、61
C、0.98
D、无法确定
参考资料【 】
随堂小测
1、【判断题】通过直流通路和交流通路，判断电路能实现正常放大吗？（ ）
A、正确
B、错误
参考资料【 】
2、【判断题】通过直流通路和交流通路，判断电路能实现正常放大吗？（ ）
A、正确
B、错误
参考资料【 】
随堂小测
1、【判断题】有两个放大倍数相同，输入电阻和输出电阻不同的放大电路A和B，对同一个具有内阻的信号源电压进行放大。在负载开路的条件下，测得A放大器的输出电压小，这说明A的输入电阻小。
A、正确
B、错误
参考资料【 】
2、【判断题】对放大器的分析存在静态和动态两种状态，动态值在特性曲线上所对应的点称为Q点
A、正确
B、错误
参考资料【 】
3、【填空题】某放大电路在负载开路时的输出电压为5V，接入12kW的负载电阻后，输出电压降为2.5V，这说明放大电路的输出电阻为 kW
A、
参考资料【 】
随堂小测
1、【判断题】共集电极放大电路的输入电阻很小，输出电阻很大。
A、正确
B、错误
参考资料【 】
2、【判断题】射极输出器的 输出电压与输入电压近似相同。
A、正确
B、错误
参考资料【 】
第2章 单元测试
1、【单选题】为了使高内阻信号源与低电阻负载能很好的配合，可以在信号源与低电阻负载间接入（ ）组态的放大电路
A、 共发射电极
B、 共基电极
C、不确定
D、 共集电极
参考资料【 】
2、【单选题】已知放大电路中某晶体管三个极的电位分别为VE=-1.7V，VB=-1.4V，VC=5V，则该管类型为（ ）
A、PNP型锗管
B、NPN型锗管
C、PNP型硅管
D、NPN型硅管
参考资料【 】
3、【单选题】晶体管的电流放大系数β是指（ ）
A、工作在饱和区时的电流放大系数
B、工作在放大区时的电流放大系数
C、工作在截止区时的电流放大系数
D、工作在击穿区时的电流放大系数
参考资料【 】
4、【单选题】利用微变等效电路可以计算晶体管放大电路的（ ）
A、输出功率
B、静态工作点
C、交流参数
D、不确定
参考资料【 】
5、【单选题】射极输出器无放大（ ） 的能力
A、电压
B、电流
C、功率
D、不确定
参考资料【 】
6、【单选题】测得晶体管三个电极的静态电流分别为 0.06mA，3.66mA 和 3.6mA 。则该管的β为（）
A、40
B、50
C、60
D、70
参考资料【 】
7、【单选题】若两级放大电路的Au1=Au2=30dB，电路将输入信号放大了（ ）db
A、60
B、900
C、600
D、90
参考资料【 】
8、【判断题】双极型三极管是指它内部的参与导电载流子有两种。
A、正确
B、错误
参考资料【 】
9、【判断题】三极管的C、E两个区所用半导体材料相同，因此，可将三极管的C、E两个电极互换使用。
A、正确
B、错误
参考资料【 】
10、【判断题】三极管工作在放大区时，若iB为常数，则uCE增大时，iC几乎不变，故当三极管工作在放大区时可视为一电流源。
A、正确
B、错误
参考资料【 】
11、【判断题】放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。
A、正确
B、错误
参考资料【 】
12、【判断题】只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真。
A、正确
B、错误
参考资料【 】
13、【判断题】只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用。
A、正确
B、错误
参考资料【 】
14、【判断题】由于放大的对象是变化量，所以当输入信号为直流信号时，任何放大电路的输出都毫无变化。
A、正确
B、错误
参考资料【 】
第2章 测试进阶
1、【单选题】基本共射放大电路中，集电极电阻Rc的主要作用是（）。
A、限制集电极电流的大小
B、防止信号源被短路
C、保护直流电压源
D、将输出电流的变化量转化为输出电压的变化量
参考资料【 】
2、【单选题】对于如图所示放大电路，当用直流电压表测得VCE≈0时，有可能是因为（）。
A、Rb开路
B、 RL短路
C、Rc短路
D、Rb过小
参考资料【 】
3、【单选题】在如下基本共射放大电路中，当β一定时，在一定范围内增大IE，电压放大倍数|Au|将（）。
A、增大
B、减小
C、不变
D、不确定
参考资料【 】
4、【单选题】分压式偏置单管共射放大电路的发射极旁路电容CE因损坏而断开，则该电路的输入电阻将（）。
A、增大
B、减小
C、不变
D、不定
参考资料【 】
5、【单选题】在单级放大电路的三种接法中，它们相互比较起来正确的说法是（）。
A、共发射极电路的电压增益最大、输入电阻最小、输出电阻最小
B、共集电极电路的电压增益最小、输入电阻最大、输出电阻最小
C、共基极电路的电压增益最小、输入电阻最小、输出电阻最大
D、共发射极电路的电压增益最小、输入电阻最大、输出电阻最大
参考资料【 】
6、【单选题】图示电路中，欲增大UCEQ，可以（）。<img src="http://edu-image.nosdn.127.net/F1BADB3373D9CCBB1E8325E9A64FCDFE.png?imageView
A、增大Rc
B、增大Rb2
C、增大Rb1
D、减小Rb1
参考资料【 】
随堂小测
1、【判断题】场效应管利用外加电压产生的电场来控制漏极电流的大小，因此它是电压控制器件
A、正确
B、错误
参考资料【 】
2、【判断题】对于增强型N型沟道MOS管，UGS只能为负，并且只能当UGS小于开启电压 时，才能形有漏极电流。
A、正确
B、错误
参考资料【 】
随堂小测
1、【判断题】场效应管放大器常用偏置电路一般有自偏压电路和分压式偏置压电路两种类型。
A、正确
B、错误
参考资料【 】
2、【判断题】自偏压电路适用于所有的场效应管。
A、正确
B、错误
参考资料【 】
随堂小测
1、【单选题】跨导gm反映了场效应管（ ）对漏极电流 控制能力。
A、栅源电压
B、栅漏电压
C、漏源电压
D、源漏电压
参考资料【 】
2、【单选题】对于耗尽型MOS管，UGS可以为（ ）。
A、正
B、负
C、0
D、都可以
参考资料【 】
第3章 单元测试
1、【判断题】结型场效应管外加的栅源电压应使栅源之间的PN结反偏，以保证场效应管的输入电阻很大。
A、正确
B、错误
参考资料【 】
2、【判断题】场效应管放大电路和三极管放大电路的小信号等效模型相同。
A、正确
B、错误
参考资料【 】
3、【判断题】开启电压是耗尽型场效应管的参数；夹断电压是增强型场效应管的参数。
A、正确
B、错误
参考资料【 】
4、【判断题】与三极管放大电路相比，场效应管放大电路具有输入电阻很高、噪声低、温度稳定性好等优点。
A、正确
B、错误
参考资料【 】
5、【判断题】场效应管放大电路中，共源极电路具有电压放大能力，输出电压与输入电压反相。
A、正确
B、错误
参考资料【 】
6、【判断题】场效应管放大电路中，共漏极电路具有电压放大能力，输出电压与输入电压反相。
A、正确
B、错误
参考资料【 】
7、【填空题】场效应管用于放大时，应工作在（ ）区。（填写恒流/可变电阻/夹断）
A、
参考资料【 】
8、【填空题】UGS＝0V时，不能够工作在恒流区的场效应管有（ )。（填写增强型MOS管/耗尽型MOS管/JFET）
A、
参考资料【 】
9、【填空题】下图为（ ）管的特性曲线图。(填写N沟道耗尽型MOSFET/P沟道耗尽型MOSFET/N沟道增强型MOSFET)
A、
参考资料【 】
10、【填空题】一个结型场效应管的转移特性曲线如图所示，则它是( )沟道的效应管。（填写N/P）<img src="http://edu-image.nosdn.127.net/4EE00C7AE64D79DAE5581D4AC0B3F29D.PNG?imageView
A、
参考资料【 】
11、【填空题】对于增强型N型沟道MOS管，UGS只能为（ ）电压。（填写正/负）
A、
参考资料【 】
第3章 测试进阶
1、【单选题】结型场效应管利用栅源极间所加的（）来改变导电沟道的电阻。
A、反偏电压
B、反向电流
C、正偏电压
D、正向电流
参考资料【 】
2、【单选题】P沟道结型场效应管的夹断电压Up为（）。
A、正值
B、负值
C、零
D、任意值
参考资料【 】
3、【单选题】结型场效应管中，外加电压UGS和UDS 的极性（）。
A、无特殊要求
B、必须相反
C、必须相同
D、不确定
参考资料【 】
4、【单选题】P沟道耗尽型MOS管中，外加电压UGS的极性为（）。
A、正
B、负
C、可正可负
D、不确定
参考资料【 】
5、【单选题】在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用（）构建放大电路可获得更好的放大效果。
A、双极型晶体管
B、场效应管
C、均可以
D、不确定
参考资料【 】
6、【判断题】结型场效应管通常可采用两种直流偏置电路，即自偏压方式和分压式自偏压电路。
A、正确
B、错误
参考资料【 】
7、【判断题】增强型MOS管可以采用自偏压和分压自偏压两种偏置方式。
A、正确
B、错误
参考资料【 】
8、【判断题】场效应管和三极管均有多子和少子两种载流子参与导电；场效应管和晶体管的温度稳定性和抗辐射能力相差不大。
A、正确
B、错误
参考资料【 】
9、【判断题】场效应管栅极几乎不取电；而三极管工作时基极总要吸取一定的电流。因此场效应管的输入电阻比三极管的输入电阻高。
A、正确
B、错误
参考资料【 】