Au-zealPWCHIPPW8205A6SN沟道增强型MOSFET概述PW8205A6S采用先进的沟槽技术,提供出色的RDS(ON)低栅极电荷和低至2的栅极电压操作。5伏。该设备适用于电池保护或其他开关应用。特征r19vds=20V。ID=6 rds(ON)<21 MQ O VGS=4。5VKeRDS(ON)<27 mo@VGS=2。5V产品可在6引脚SOT23-6封装PW 8205APackageD1/D2产品类型SOT-23-6L绝对最大额定值(a=25c)参数符号额定值I20I栅极源极电压+12漏极电流,VGS 045VDETA-2STE 6漏极电流。VGS 045VDOTA=0C 48ulsed Drain Curlow26WStorag55 150T耐热性。Junction-to-amient625CA