-PEWPW8205A8TSN沟道增强型MOSFET概述PW8205A8TS是具有极高单元密度的最高性能沟槽N-h MOSFET,可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的RDSON和栅极电荷。符合Rohs和产品的要求,具有经批准的全功能可靠性。FEATURESDRA!RDS(ON)<27 mo@VGS=4。5VN)<37 MQ@VGS-2 5able in a 8-pin T5SOP8 PackagePW 8205A 801/02 91。D1/D2产品类型绝对最大额定值(A=2s,除非另有规定)参数符号额定漏极源电压栅极源电压Vosin Current-continID.55至150可操作环境热阻连接