• 特点

Static Random Access Memory：速度快、存储一位需要元器件更多、功耗较大、集成度低、更贵

Dynamic Random Access Memory：容量大、需刷新、附属电路更复杂、功耗较小、集成度高

• 存储位元

SRAM

DRAM

• 逻辑结构

SRAM

典型的SRAM芯片有6116（2K×8位）、6264（8K×8位）、62256（32K×8位）、628128（128K×8位）等

SRAM6264(8K×8)

DRAM

NC(Not Connected):空脚。 芯片中NC引脚没有任何用途，只是限于封装形式，该引脚必须存在

典型DRAM2164

• 工作原理

SRAM

DRAM

读出时，仅靠电容保存的少量电荷，是不足以判断IO和/IO之间的电流方向，是区分不了0和1的

因此，需要读出时预充

不读也不写的时候，需要保持，电容容量有限且电荷量会逐渐减少，因此需要刷新，刷新也需要预充。(其实就等同于一次不完整的读操作)

为了进一步提高存储密度，就需要保留核心元件(电容)，裁剪冗余电路，于是就有了现在的单管DRAM