参考链接1: 驱动芯片的驱动电流的选型和计算
参考链接2: NMOS栅极驱动电阻Rg阻值和功率的计算，NMOS栅极驱动电阻Rg的作用，如何防止NMOS误开通 单片机直接驱动NMOS的方法 RLC谐振电路 智能车BLDC

  在此感谢各位前辈大佬的总结，写这个只是为了记录学习大佬资料的过程，内容基本都是搬运的大佬博客，觉着有用自己搞过来自己记一下，如果有大佬觉着我搬过来不好，联系我删。

1.通过规格书计算

$$C_{iss}=C_{gs}+C_{gd}$$$$C_{rss}=C_{gd}$$$$C_{oss}=C_{gd}+C_{ds}$$

  用示波器测试$V_{gs}$波形如上图，计算震荡频率。震荡频率与线路寄生电感、MOS输入电容有如下关系式：
$$f=\frac{1}{△t}=\frac{1}{2\pi \sqrt{L\ast C_{iss}}}$$
  $f$可从示波器中得出，$C_{iss}$可从MOS规格书中得到，因此通过上式可得到线路板中该MOS路与驱动芯片的寄生电感$L$。

  驱动电阻取值应满足以下关系：
$$Rg\ge 2\sqrt{\frac{L}{C_{iss}}}$$
  上式求出的阻值还应该减去驱动芯片输出内阻$R_{HI}$，MOS管的输入内阻$R_{G.I}$。

  查看MOS规格书其中驱动芯片输出内阻$R_{HI}=\frac{V_{cc}}{I_o}=\frac{15V}{0.5A}=30\Omega$

  查看MOS规格书，其中MOS管的输入内阻$R_{G.I}=1.1\Omega$
综上所述：
$$Rg\ge 2\sqrt{\frac{L}{C_{iss}}}-R_{HI}-R_{G.I}$$

2.电阻功率选择：

$$P\ge \frac{1}{2}{C}_{iss}\ast V_{gs-peak}^2\ast f_{sw}$$
$C_{iss}$为MOS结电容，$V_{gs-peak}$为MOS开启电压的峰值，$f_{sw}$为MOS开关频率