- address
该地址由一个行地址和一个列地址组成。行地址标识要访问的page、block和LUN。列地址标识要访问的page中的byte或word。
- asynchronous
异步是指数据用WE_n信号进行写，RE_n信号进行读。
- block
由多个page组成，是擦除操作的最小可寻址单元。
- column
页面寄存器中的byte(x8 devices）或word(x16 devices）位置。
- CTT
Center Tapped Termination
- data burst
一组连续的数据输入或数据输出周期，没有暂停。
- data burst end
退出data burst后，主机将发出一个新命令。这将退出NAND读取模式，并结束data burst。
- data burst exit
在data burst期间，主机会使CE_n、ALE或CLE变高。当处于退出状态时，ODT将关闭（如果启用），如果在退出后继续执行data burst，则会重新发出预热周期（如果启用）。
- data burst pause
在数据突发期间，主机停止DQS（input burst）或RE（output burst）。ODT（如果启用）保持启用，继续暂停时间时不会重新发出预热周期（如果启用）。
- DBI
Data Bus Inversion
- DDR
double data rate
- defect area
由制造商标记工厂缺陷的地方
- Deselected (ODT state)
当使用on-die termination时，LUN可能处于取消选择、选择或提示状态，每个状态都有相关的操作。
- device
NAND package装置。一个设备由一个或多个NAND目标组成。
- differential signaling
差分信令是通过两个互补的信号来传输信息的一种方法。相反的技术被称为单端信号传输。RE_n和DQS信号可各具有互补信号，以提高噪声免疫能力。
- Dword
一个Dword是32位的数据。Dword可以表示为32位、两个word或四个byte。
- Host Target
一组共享同一主机CE_n信号的NAND目标。如果不使用CE_n还原，则主机目标相当于NAND目标。
- latching edge
数据总线的内容被锁定的CLK、RE_n、WE_n或DQS信号的边缘。
对于NV-DDR，数据周期的latching edge都是DQS信号的上升边和下降边。对于命令和地址循环，latching edge是CLK信号的上升边缘。
对于NV-DDR2和NV_DDR3，数据周期的latching edge都是DQS信号的上升边和下降边。对于命令和地址周期，latching edge是WE_n信号的上升边。
- LTT
Low Tapped Termination
- LUN (logical unit number)
能够独立执行命令和报告状态的最小单位。每个NAND目标有一个或多个lun。
- na
na代表“not applicable”。不使用标记为“na”的字段。
- NAND Target
在一个NAND package中共享一个CE_n信号的一组lun
- O/M
代表可选要求/强制性要求。当设置为“M”时，该项是必需项。当被设置为“O”时，该项目是可选的。
- on-die termination (ODT)
一种电终端，其中终端由NAND装置提供。On-die termination通常指它的缩写词ODT。
- page
用于读取和程序操作的最小的可寻址单元。
- page register
寄存器用于读取从Flash阵列传输的数据。对于程序操作，在将数据传输到Flash阵列之前，将数据放在这个寄存器中。
- read request
读取请求是来自主机的数据输出周期请求，它导致数据从设备传输到主机。有关数据输出周期的信息
- row
指要访问的块和页面
- SR[ ]
SR是指在特定LUN中包含的状态寄存器。SR[x]是指关联LUN的状态寄存器中的位x。
- target
相当于一个NAND Target。当NAND Target和Host Target之间没有潜在混淆时，使用缩写的“Target”。
- Uncorrectable Bit Error Rate, or ratio (UBER)
数据错误发生率的一个度量指标，等于每位读取的数据错误数。在数学上，它可以表示为： UBER =累积数据错误数/累积位读取数
- Volume
是指向NAND目标的指定地址。Volume被用作Volume寻址的一部分。
- VREFQ
输入参考电压
- Vtt
终端电压。
- word
一个word是16 bits数据。
的使用)
)
