X电容是接在火线和零线之间，Y电容是接在火零线和地之间。X电容滤除差模干扰，Y电容滤除共模干扰：

高频干扰信号经过X电容后幅度没有变化，相位相差180度：

DW01电池管理芯片：

  

1. M1、M2：这两个为N沟道MOSFET，用于控制充放电过程。
   • M1：主要用于控制放电路径。
   • M2：主要用于控制充电路径。

电路工作原理：

1. 过充电保护：当电池电压超过设定的过充电保护电压（OVP）时，DW01会断开M2，停止充电。
2. 过放电保护：当电池电压低于设定的过放电保护电压（UVP）时，DW01会断开M1，停止放电。
3. 过流保护：当检测到放电电流超过设定的过流保护值（OCP）时，DW01会断开M1，保护电池。

W01电池保护IC的过充电保护电压（OVP）是由其内部的电路设计和制造时预先设定的，通常无法在使用时自行调整。不同型号的DW01芯片会有不同的过充电保护电压设定值，通常在出厂时已固定。但是，如果需要在设计中设定或调整保护电压，可以通过选择不同型号的DW01 IC来实现。例如：

• DW01A：过充电保护电压为 4.3V
• DW01B：过充电保护电压为 4.35V
• DW01C：过充电保护电压为 4.25V

双MOS集成到一个芯片中去，特别适合小家电：

LDO输出与输入之间加一个二极管：

有时候我们会看到LDO稳压输出电路中输出与输入之间会加一下二极管，如上图 1，那么这个二极管是干什么的呢？当输入端断开时，LDO的输入端的电压会降低，如果输出端有容性大负载或并联有大电容则可能导致输出端的电压比输入端的电压下降慢，这将导致LDO的输出电压高于输入电压。如果不加该保护二极管D1，压差过高时对于LDO的伤害是巨大的，从如上图 2 可以看出LDO的输入和输出，分别是三极管的发射极和集电极，对于NPN型晶体管而言，发射极和集电极之间的反向耐压值比较低，加上该保护二极管D1后，由于二极管的钳位作用，使得输出电压最大高于输入电压0.7V。

二极管选择需要注意事项：

1、当输出端并联有大电容时，需要考虑加上该二极管；

2、该二极管的选用普通二极管即可，反向耐压要大于LDO输入电压；

突然发现看公众号也能学到很多东西：

做硬件，拼的都是细节！

保险丝，又称熔断器、熔丝，是一种连接在电路上用以保护电路的元件，通常采用低熔点的铅锡合金、锌、铜、银的丝状或片状材料制成。当电路上电流过大时，使其中的金属线或片产生高温而熔断，导致开路而中断电流，以保护电路免于受到伤害。

保险丝分为一次性保险丝和自恢复型保险丝两种。自恢复型保险丝英文缩写是PPTC。

PPTC，即聚合物正温度系数热敏电阻。PPTC由高分子，基体材料及导电微粒组成。如下图1所示，当有异常过电流通过 PPTC 时，产生的热量（为I2R）使高分子基体材料膨胀，包裹在高分子基体材料外的导电微粒会分开从而切断 PPTC 的导电通道使 PPTC电阻上升，从而减小异常过电流。当异常过电流故障清除后，PPTC高分子基体材料收缩至原来的形状重新将导电微粒联结起来，导电通道会恢复，PPTC电阻又恢复到原来的低阻状态。上述过程可循环多次。

 PPTC关键参数：

  保持电流(IH)          触发电流(IT)           额定电压     最大电流

最大动作时间(Trip)      静态电阻(R)

PPTC（可恢复保险丝）的关键参数如下：

1.保持电流
   - 定义：在不导致PPTC动作（即跳闸）的情况下，可以长期通过的最大电流。
   - 作用：确保电路在正常工作电流下运行而不跳闸。

2. 触发电流：
   - 定义：导致PPTC跳闸的最小电流。超过此电流，PPTC将会加热并增加其电阻，进而限制电流。
   - 作用：保护电路不受过流损害。

3. 额定电压
   - 定义：PPTC可安全操作的最大电压。
   - 作用：确保PPTC在其额定电压范围内可靠工作，超过此电压可能导致PPTC失效或损坏。

4. 最大电流
   - 定义：PPTC可以承受的最大瞬时电流，通常是在跳闸前的短时间内。
   - 作用：保护PPTC免受瞬时高电流的损害。

5. 最大动作时间
   - 定义：PPTC从正常状态跳闸至高阻状态所需的时间，一般在触发电流下测量。
   - 作用：确保PPTC在过流情况下快速反应，以保护电路。

6. 静态电阻（R）
   - 定义：PPTC在正常操作温度和电流下的电阻值。
   - 作用：影响PPTC在电路中的功耗和电压降。在设计电路时，需要考虑PPTC的静态电阻对整体性能的影响。

在逆变器中，直流部分和交流部分的供地和隔离是非常重要的。正确处理供地和隔离可以确保系统的安全性和可靠性。以下是详细说明：

AC与DC共地问题：

1. 直流部分工地：直流部分通常包括输入电源、直流-直流转换器、电池等。这些部分需要有一个共同的地，以确保电压参考点一致。
2. 交流部分共地：交流部分通常包括逆变器输出、负载等。这些部分也需要有一个共同的地，以确保安全和稳定运行。

变压器隔离：使用隔离变压器可以有效地实现直流和交流部分的电气隔离。变压器可以将直流部分的能量传递到交流部分，同时保持两部分之间的电气隔离。

• 高频变压器：在高频逆变器中，通常使用高频变压器进行隔离。高频变压器体积小，效率高，适用于高功率应用。
• 工频变压器：在低频逆变器中，可能使用工频变压器。虽然体积较大，但结构简单，适合某些特定应用。

磁珠：

1.额定电流(Ir)

磁珠由于有电阻损耗所以会发热，磁珠能通过的最大电流，可以理解为有效值，它指温升电流。

1.直流导通电阻(DCR)

磁珠的直流电阻值，与封装（导线长度和线的直径）有关系。

1.标称阻抗Z@100MHz

阻抗频率曲线，标称值为100MHz处，选型需要看曲线，主要看Z的值.

二极管的钳位作用：

继电器并联二级管的作用：

当VCC断电的时候，继电器由于是感性元件可以简化为内部存在一个电感，由于电感两端电流不能突变，所以当电源断开时电感仍然有电，此时二极管可以为继电器提供放电回路，避免损坏后端器件。

信号线串接电阻的作用：

吸收反射信号，干扰信号，做阻抗匹配，方便调试测试

pcb设计时板边为什么要打地孔：

EMI,EMC

晶振，或者电感下面千万不要走线：

反馈线一般画到背面，接到电源出线的小电容上，不能画在电感下面：

wifi 或者蓝牙信号需要包地处理，而且下面不能铺铜：

ESD和TVS区别总结:

1. 保护对象：

   • ESD保护针对静电放电，主要保护静态敏感元件。
   • TVS保护针对瞬态高压脉冲，主要保护电源线和信号线等传输线。

2. 工作原理：

   • ESD保护器件在静电放电发生时导通，迅速将电压钳位在安全水平。
   • TVS二极管在瞬态高压出现时导通，将电压钳位在其额定电压水平。

3. 应用场景：

   • ESD保护通常用于低能量、高频率的静电放电事件。
   • TVS保护用于高能量、低频率的瞬态高压脉冲事件。

快速辨别NMOS与PMOS:

无论是PMOS 还是NMOS,两条线连在一起的一定是S极，单独一条线引出来的是D极：

MOS管中的寄生二极管是由MOSFET的结构本身引起的，并非特意设计的元件。它的作用和特性如下：

1. 防止反向电流：

   • 在功率MOSFET中，寄生二极管通常位于源极和漏极之间，并且是一个PN结二极管。这个二极管可以防止电流在特定方向上反向流动。特别是在电源转换电路中，当MOSFET关断时，寄生二极管可以提供反向电流通路，保护电路中的其他元件。

2. 续流路径：

   • 在感性负载（如电动机或电感）驱动电路中，感性元件在断电瞬间会产生反向电动势。这时寄生二极管可以为感性负载提供一个续流路径，防止电感产生的高电压损坏电路。

3. 保护功能：

   • 在一些应用中，寄生二极管还可以保护MOSFET免受反向电压的损坏。当漏极电压低于源极电压时，寄生二极管会导通，防止过大的反向电压加在MOSFET的漏-源极上。

4. 影响开关速度：

   • 寄生二极管的存在会影响MOSFET的开关速度和效率。特别是在高频开关应用中，寄生二极管的恢复时间（从导通到截止的时间）会导致功率损耗和效率下降。因此，在这些应用中，可能会采取额外的措施，如在外部并联一个性能更好的肖特基二极管来替代寄生二极管的作用。

一种恒流电路：

晶振不区分正负极，但是还是要按照有角的一角贴：