Marin说PCB之如何在CST仿真软件中添加三端子的电容模型？--02

小编我在上期文章的结尾给大家留下一个小问题就是：在三端子电容创建模型中间的部分我有说了一句就是：（其中有一个creat reference pin 设置我们也默认不勾选），这个勾选不勾选有啥区别呢？这期文章就来给大家一起解密一下。

首先我们还是按照正常的电源网络的PDN仿真步骤，把需要仿真的电源网络上电容都使能上（配置好各个封装尺寸电容相应的S参数的模型）这个有点就是我们会发现我们在给电容附上对应的S参数模型的时候没有找到三端子的电容在电源网络使能的器件库中，

主要原因是我们的三端子电容使用的默认的一阶RLC参数模块或者是电容的参数模型没有被定义。即使在上面的电容使用库找不到也没有关系，主要是你需要把你电源网络上使能的三端子电容在软件中设置好仿真参数模型即可。

三个三端子电容的仿真参数模型设置：C794，C728，C729。

我们把这三个电容找到其对应的S参数使用上就好，至于如何添加我就不再赘述了，之前的文章中有详细的描述。之前文章有提及过三端子电容由于其低ESL的特性可以通过其独特的结构优势从而改善寄生电感的影响，但是这个结论是否正确呢？

case1:没有加三端子电容模型，电源DDR47_VDDI的PDN曲线图如下所示：

结论分析：通过曲线上可以发现在频率4MHZ-7MHZ的这个区间电源网络的阻抗值是高于限值曲线的，电容C728和C729是属于同一种类型的，其PN值为：NFM15HC435D0E3，频率特性曲线如下所示：

电容C794的PN值为：NFM18HC106D0G3，频率特性曲线如下所示：

仿真结论：其实对电源完整性能有一定研究的小伙伴们可以看出来这个区间的阻抗值偏高的原因主要是三端子电容是没有在这个电源网络电路起到该有的作用的，至于是如何看出来的，上图也给了一部分的提示。

case2，把三个三端子电容分部加上了三端子电容模型，电源DDR47_VDDI的PDN曲线图如下所示：

诸位道友们是不是感觉这个就可以结束了呢？细心的道友们会发现其实即使现在的曲线确实是在目标限值下面的，但是其电源网络PDN的曲线图有点过于平滑了一些吧，有点不太正常的感觉。

这个究竟是什么原因导致的呢？文章的开头第一句话不知道大家是否还记得：在三端子电容创建模型中间的部分我有说了一句就是：（其中有一个creat reference pin 设置我们也默认不勾选），

打开电容C728的仿真模型：

大家会发现上面的设置中有两个选项需要去设置，一个是Model Instance Terminals,另外一个就是Internal Connection。至于这两个大的选项对我们的仿真结果有什么影响，小编我这边也做了以下四种不同情况的CASE来比对一下。

case1,加三端子电容模型没有加参考地PIN（电容模型内部电路默认连接）

A,模型设置图：

B,仿真图：

case2,加三端子电容模型没有加参考地PIN（修改电容模型内部电路连接）

A,模型设置图：

B,仿真图：

case1和case2整体比对：

结论是：三端子电容的仿真模型设置的时候，其模型的Internal Connection（内部连接方式对整体的影响不大，不影响仿真结果的，大家不放心这个结论下面的两个case也会验证到这个点的）

case3，加了三端子电容模型而且设置了参考地PIN（电容模型内部电路默认连接）

A,模型设置图：

B,仿真图：

case2：加了三端子电容模型而且设置了参考地PIN(修改了电容模型内部电路连接)

A,模型设置图：

B,仿真图：

case1和case2整体比对：

结论是：三端子电容的仿真模型设置的时候，其模型的Internal Connection（内部连接方式对整体的影响不大，目前来看是不影响我们的软件的仿真结果的，建议最好也是按照其电容要求一一对应连接的。但是前面的这个端口的配置是需要加上参考GND脚的，不管你的三端子电容端子是的Feed through and non feed through。

以上就是本期的所有内容了，我们下期文章再见。