华为 2024 届实习校园招聘-硬件通⽤/单板开发——第八套

部分题目分享，完整版带答案(有答案和解析，答案非官方，未仔细校正，仅供参考）（共十套）获取（WX:didadidadidida313，加我备注：CSDN huawei硬件单板题目，谢绝白嫖哈）


华为 2024 届校园招聘-硬件通⽤/单板开发
（第⼋套）
1、⼀空⽓平⾏板电容器，两级间距为 d，充电后板间电压为 u。然后将电源断开，在平板间
平⾏插⼊⼀厚度为 d/3 的⾦属板。此时电容器原板间电压变为：
A.U/3
B.2U/3
C.3U/4
D.不变
解析：电容的⼤⼩不是由 Q（带电量）或 U（电压）决定的，⽽是 C=εS/4πkd。其中，ε 是
⼀个常数，S 为电容极板的正对⾯积，d 为电容极板的距离，k 则是静电⼒常量。⽽常⻅的
平⾏板电容器，电容为 C=εS/d.（ε 为极板间介质的介电常数，S 为极板⾯积，d 为极板间的
距离。） 电容器的电势能计算公式：E=CU^2/2=QU/2。
2、8086CPU 内部包括哪些单元？
A.ALU,EU
B.ALU,BIU
C.EU,BIU
D.ALU,EU,BIU
解析：80x86 从功能上分执⾏单元 EU(Execution Unit)，和总线接⼝单元 BIU(Bus Interface
Unit)，执⾏单元由 8 个 16 位通⽤寄存器，1 个 16 位标志寄存器，1 个 16 位暂存寄存器，1
个 16 位算术逻辑单元 ALU 及 EU 控制电路组成。
总线接⼝单元由 4 个 16 位段寄存器（CS,DS,SS,ES），1 个 16 位的指令指针寄存器，1 个与
EU 通信的内部暂存器，1 个指令队列，1 个计算 20 位物理地址的加法器∑及总线控制电路
构成。
3、为了避免 50Hz 的电⽹电压⼲扰放⼤器，应该⽤那种滤波器：
A.带阻滤波器
B.带通滤波器
C.低通滤波器
D.⾼通滤波器
4、关于 SRAM 和 DRAM，下⾯说话正确的是：
A.SRAM 需要定时刷新，否则数据会丢失
B.DRAM 使⽤内部电容来保存信息
C.SRAM 的集成度⾼于 DRAM
D.只要不掉电，DRAM 内的数据不会丢失
解析：SRAM 和 DRAM 都是随机存储器，机器掉电后，两者的信息都将丢失。它们的最⼤区
别就是：DRAM 是⽤电容有⽆电荷来表示信息 0 和 1，为防⽌电容漏电⽽导致读取信息出
错，需要周期性地给电容充电，即刷新；⽽ SRAM 是利⽤触发器的两个稳态来表示信息 0 和
1，所以不需要刷新。另外，SRAM 的存取速度⽐ DRAM 更⾼，常⽤作⾼速缓冲存储器 Cache。
DRAM 的集成度要⾼。因为 SRAM 需要更⼤的体积。
5、在 RS232 串⼝中，采⽤哪⼀种校验⽅式：
A.CRC 校验
B.明码校验
C.多种校验⽅式的组合
D.奇偶校验
6、对于 D 触发器来说，为了保证可靠的采样，数据必须在时钟信号的上升沿到来之前继续
稳定⼀段时间，这个时间称为:
A.保持时间
B.恢复时间
C.稳定时间
D.建⽴时间
7、本征半导体中加⼊（）元素可形成 N 型半导体。
A.五价
B.四价
C.三价
D.⼆价
解析：掺杂 3 价的原⼦形成 P 性，掺杂 5 价格的形成 N 形半导体
8、模拟信号数字化的过程是
A.采样->量化->编码
B.采样->编码->量化
C.编码->采样->量化
D.量化->编码->采样
9、在 Buck 电路中，不能起到减⼩纹波作⽤的措施是
A.采⽤多项并联的模式
B.开关管内置，提⾼电源的开关频率
C.输出滤波电容由陶瓷电容改为电解电容
D.增⼤输出滤波电感量
10、关于 PCI 总线的描述，错误的是:
A.PCI 总线是⼀个 16 位宽的总线
B.PCI 的地址线与数据线是复⽤的
C.PCI 是⼀种独⽴于处理器的总线标准，可以⽀持多种处理器
D.PCI ⽀持即插即⽤功能
解析：总线宽度为 32/64 位。
11、中继器、以太⽹交换机、路由器分别⼯作在 OSI 模型的哪位层次上：
A.物理层、链路层、⽹络层
B.物理层、⽹络层、链路层
C.物理层、链路层、传输层
D.链路层、链路层、⽹络层
12、Vgs 在可⽤的电压范围内，Vgs 越⼤, MOSFET 的漏源的导通电阻的变化是
A、变⼤
B、变⼩
C、不变
13、下⾯的哪个电路属于组合逻辑
A 计数器
B 移位寄存器
C 译码器
D 触发器
14、相啮合的标准⻮轮，⼩轮的⻮根厚度与⼤轮的⻮根厚度相⽐
A ⼩⻮轮更⼤
B ⼤⻮轮更⼤
C 相等
解析：⼀对相啮合的标准⻮轮中,⼩⻮轮的⻮根厚度⼩于⼤⻮轮的⻮根厚度,⽽⼩⻮轮的⼯作
条件往往⽐⼤⻮轮恶劣,故容易损坏。
15、下⾯不能⽤带使能的⼆进制译码器实现的是（）
A 多路数据分配器
B 地址译码器
C 七段数字显示译码器驱动
D 计数器
16、基于 IA 64 架构的软件可以运⾏在 IA32 位数的处理器上
A 正确
B 错误
17、 N 形的半导体的多⼦是⾃由电⼦，所以它带负电荷
A 正确
B 错误
解析：多⼦确实是电⼦，但是整体是电中性的
18、对板料进⾏多次的拉伸，为了消除形变强化，中途应该（）
A 完全退⽕
B 再结晶退⽕
C 正⽕