来源:An Explicit Surface Potential Calculation and Compact Current Model for AlGaN/GaN HEMTs(EDL 15年) 摘要
在本文中,我们提出了一种新的紧凑模型,用于基于费米能级和表面电位的显式解来描述AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管。该模型计算…
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