公司郑重声明，其正致力于筛选那些能够稳定输出、且可重复使用的关键参数性能。SEMI，这家SiC领域的佼佼者，已经启动了一项独具匠心的专有技术（KGD）筛选程序。该程序旨在为客户提供高品质的、经过严格电气分类与光学检验的先进SiC MOSFET技术，从而轻松应对后端处理及直接模具连接等复杂工艺。

该公司进一步强调，此项筛选程序不仅确保了电气参数的稳定性，更使得客户能够信赖其可重复的性能，从而打造出诸如高压电源、牵引逆变器和功率调节系统等各类高端设备。同时，统一的模具参数也极大地简化了大功率模块中多个设备的连接过程，提升了整体生产效率。

SemiQ公司的产品工程和运营副总裁Michael Tsang对此满怀信心地表示：“SiC技术作为一股强大的推动力，正助力全球实现可持续发展的宏伟目标。而我们SemiQ所推出的已知良好尺寸的SiC MOSFET，凭借其近乎恒定的结电容、极低的插入损耗以及在高频应用中展现出的高度隔离性能，为客户带来了显著的性能优势。”

他进一步补充道：“借助这项计划，我们的客户将能够获取到质量卓越、性能稳定的模具产品。这些模具不仅能够简化生产流程、提高生产效率，更能在高效应用中展现出可预测且可重复的性能表现。”

目前，KGD项目正处于活跃状态，并广泛应用于SemiQ的QSiC1200V SiC MOSFET全系列产品中，涵盖从20米Ω到80米Ω的广泛阻值范围。此外，这些KGD设备还可根据客户需求，在多种载体介质上进行灵活翻译，包括蓝胶带、预固化紫外线胶带以及胶带和卷筒等，以便更好地与客户的生产工艺相集成。

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