一、区别说明

1. 操作目标：

   • Precharge（预充电）：此操作的主要目标是关闭存储器中某个或所有Bank中现有的工作行（active row），并准备打开新的工作行。这是为了确保存储器的连续访问能够高效、可靠地进行，同时维护数据的完整性和低功耗设计。Precharge操作通常发生在read/write命令之后，但某些特定场景也允许执行。
   • Self-Refresh（自刷新）：此操作是针对整个存储单元进行的，目的是定期更新存储单元中的数据，以防止数据丢失。与Precharge操作不同，Self-Refresh操作不需要关闭或重新打开工作行，而是直接对存储单元中的数据进行刷新。

2. 触发条件：

   • Precharge：此操作可以由用户手动触发，也可以由内存控制器在特定条件下自动触发。例如，在读写操作完成后，为了准备下一次的读写操作，内存控制器可能会自动发出Precharge命令。
   • Self-Refresh：此操作通常是由芯片内部逻辑触发的，当DRAM处于低功耗模式（如power-saving模式或sleep模式）时，即使没有外部时钟输入，DRAM也会自动进入Self-Refresh状态以保持数据不丢失。

3. 应用场景：

   • Precharge：主要应用于DRAM和同步动态随机存取存储器（SDRAM）的常规操作中，以确保存储器的连续访问效率和数据完整性。
   • Self-Refresh：主要应用于DRAM的低功耗应用场景中，如便携式设备、服务器等在待机或低功耗模式下需要保持数据不丢失的情况。

二、表格对比