RAMSUN提供的MR25H10CDFR是一款具备1,048,576位存储容量的磁阻随机存取存储器(MRAM)设备,由131,072个8位字构成。该设备提供与串行EEPROM和串行闪存兼容的读/写时序,无写延迟,并且其读/写寿命是不受限制的。
与其它串行存储器不同,MR25H10CDFR支持在内存中随机进行读取和写入操作,且两次写入之间无需等待。对于那些需要使用有限的I/O引脚快速存储和检索数据及程序的应用场景,MR25H10CDFR是理想的存储器选择。
MR25H10CDFR采用8DFN封装,与串行EEPROM、闪存和FeRAM产品兼容。该产品能在广泛的温度范围内提供高度可靠的数据存储,支持工业级(-40°至+85℃)和AEC-Q1001级(-40℃至+125℃)的工作温度范围。
对于需要使用最少数量的引脚快速存储和检索数据及程序的应用,MR25H10CDFR是理想的MRAM芯片选择。它提供AEC-Q1001级合格选项,具备40MHz的读写速度和无限的耐力。数据具有非易失性,可保留长达20年,并在断电时自动保护。此外,它还支持块写保护,拥有快速且简单的SPI接口,时钟速率高达40MHz,工作电压范围为2.7至3.6伏,并具备低电流睡眠模式。该产品符合工业温度标准,并提供8引脚DFN封装或符合RoHS标准的小标志包装,可直接替换现有的串行EEPROM、闪存和FeRAM。