晶圆减薄一体机在先进封装厂中的主要作用是对已完成功能的晶圆(主要是硅晶片)的背面基体材料进行磨削,去掉一定厚度的材料,以满足后续封装工艺的要求以及芯片的物理强度、散热性和尺寸要求。随着3D封装技术的发展,晶圆厚度需要减薄至50-100μm甚至更薄,以实现更好的散热效果和高密度封装。
一、晶圆减薄一体机适用于工序:
1. |晶圆背面的减薄|:在3D IC制造以及先进封装领域,需要将晶圆背面基底材料减薄,并保证极好的平整度与表面质量。
2. |晶圆
晶圆减薄一体机在先进封装厂中的主要作用是对已完成功能的晶圆(主要是硅晶片)的背面基体材料进行磨削,去掉一定厚度的材料,以满足后续封装工艺的要求以及芯片的物理强度、散热性和尺寸要求。随着3D封装技术的发展,晶圆厚度需要减薄至50-100μm甚至更薄,以实现更好的散热效果和高密度封装。
1. |晶圆背面的减薄|:在3D IC制造以及先进封装领域,需要将晶圆背面基底材料减薄,并保证极好的平整度与表面质量。
2. |晶圆
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