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一、异步SRAM

二、同步SRAM

三、DRAM

四、字长位数扩展

五、字数的扩展

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        RAM是另一大类存储器，它与ROM的最大区别就是数据易失性，一旦失去电源供电，所存储的数据立即丢失。最大优点是可以随时快速地从其中任一指定地址读出（取出）或写入（存入）数据。RAM又分为静态RAM(SRAM)和动态RAM(DRAM)。 

一、异步SRAM

        静态RAM常称为SRAM，它的基本结构与ROM类似，由存储阵列、地址译码器和输入/输出控制电路三部分组成。

        SRAM的存储单元由锁存器构成，因此其属于时序逻辑电路，且只要不断电，数据可以永久保存。

二、同步SRAM

        读写操作是在时钟脉冲节拍控制下完成的。 因此，同步SRAM最明显的标志是有时钟脉冲输入端 。

        除了输出使能控制信号OE外，其他所有输入均在时钟脉冲CP上升沿被取样存入寄存器。

        同步SRAM具有的另一个特点是丛发(Burst，也译为突发)读写操作模式0。在该工作模式下，只要外部给定读写存储单元的首地址，在时钟脉冲作用下，由内部地址计数器提供首地址后的 一 组连续地址，就可以连续读写接下来的若干个地址单元，而不再需要外部输入地址。同步SRAM 的这种丛发模式，在连续读／写多个字时，可以减少外部地址总线的占用时间，提高读写效率。

三、DRAM

        SRAM存储单元由6个MOS管构成，所用的管子数目多、功耗大，集成度受到限制，动态RAM克服了这些缺点。动态RAM也称为DRAM，其存储单元由一个MOS管和一个容量较小的电容器构成，它利用电容器的电荷存储效应来存储数据0或1。

        当电容C充有电荷、呈现高电压时，相当于存有1值，反之为0值。MOS 管T相当于一个开关，当行选择线为高电平时，T导通，C与位线连通，反之则断开。由于电路中漏电流的存在，电容器上存储的数据 （电荷）不能长久保存，因此必须定期给电容补充电荷，以免存储数据丢失，这种操作称为刷新 ( Refresh ) 或再生 。

        改进型 DDR II （二代）和 DDR III （三代）同步 DRAM 已成为个人电脑的主流内存。

四、字长位数扩展

        利用芯片并联方式实现，输入输出及地址独立，共用控制、片选。

五、字数的扩展

        共用所有低位地址线，高位地址线用作片选，共用读写控制线。

        实际应用中，常将两种方法相互结合，以达到同时扩展字和位的要求。可见，无论需要多大容量的存储器系统，均可利用容报有限的存储器芯片，通过位数和字数的扩展来构成 。