双扩散金属氧化物半导体（DMOS）应用广泛 超结VDMOS市场需求空间大

双扩散金属氧化物半导体简称DMOS，是MOS管的一种。MOS管全称为金属氧化物半导体场效应管，又称为MOSFET，是一种利用改变电压来控制电流的半导体器件。

　　根据新思界产业研究中心发布的《2024-2029年双扩散金属氧化物半导体（DMOS）行业市场深度调研及投资前景预测分析报告》显示，MOS管在汽车电子、消费电子、通讯等领域应用广泛，其中汽车电子是主要应用领域，2023年占比达24.0%以上。近年来，MOS管发展迅速，2023年我国MOS管市场规模达50亿美元以上。DMOS作为其细分产品，市场规模也处于增长态势。

　　根据沟道方向不同，DMOS分为垂直双扩散金属氧化物半导体（VDMOS）、横向双扩散金属氧化物半导体（LDMOS），两者各具特点。VDMOS具有垂直沟道，击穿电压和电流处理能力更高，但导通电阻较大；LDMOS具有横向沟道，相比于VDMOS器件，其导通电阻更低、开关速度更快。

　　VDMOS分为常规VDMOS和超结VDMOS，其中超结VDMOS是在常规VDMOS基础上，引入超结结构得到。超结VDMOS主要有多次外延工艺、深槽刻蚀加掺杂工艺两种实现方式。多次外延工艺难度较低，但超结结构需要多次外延和光刻，导致其制造成本较高；深槽刻蚀加掺杂工艺成本低，根据掺杂方式不同，其分为深槽刻蚀加外延填充、深槽刻蚀加斜角注入掺杂、深槽刻蚀加气相掺杂等工艺。

　　根据新思界产业研究中心发布的《2024-2029年中国垂直双扩散金属氧化物半导体（超结VDMOS）行业市场深度调研及发展前景预测报告》显示，超结VDMOS具有低电阻、高导通能力、开关速度快、热稳定性好等特点，在高功率电子器件中应用广泛，目前已在电动工具、喷墨打印、电源开关、消费电子、汽车电子、通讯电源等产品中得到广泛应用。

　　导通电阻、击穿电压、开启电压、栅源漏电等是MOS管的关键参数，由于其通态功耗较高，导通电阻受击穿电压限制而存在“硅极限”。超结VDMOS克服了MOS管存在的导通电阻随击穿电压急剧增大的问题，系统效率更高，随着需求升级，未来超结VDMOS应用将更加广泛。

　　全球范围内，DMOS相关企业有安森美半导体公司、意法半导体公司、英飞凌科技、Wolfspeed公司、Fairchild公司、富士电机、上海华虹半导体、龙腾半导体等。

　　新思界行业分析人士表示，DMOS出现于上世纪70年代，凭借其优势，DMOS在消费电子、汽车电子、喷墨打印、电源开关等领域得到了广泛应用。我国是全球电子器件制造中心，DMOS市场需求空间广阔，尤其是超结VDMOS。经过不断发展，国产DMOS与进口DMOS之间的差距逐渐缩小，但在高端DMOS领域，国外企业仍具有明显竞争优势。