文章目录
- 1. 分类
- 2. 工作原理
- 2.1 擦除操作
- 2.2 写入操作
- 3. 参考资料
1. 分类
2. 工作原理
在存储数据之前，先擦除存储区域（写成全1），进行存储时，将对应位写为0。
注：这里编程不能反向，若写错了，只能重新擦除才能写回1。
结构与MOS管基本无差异，多出一层多晶硅浮栅用于存储数据（“电子”）
2.1 擦除操作
就是将电子注入到浮栅中的过程，将FLOTOX管的源极与漏极接地，而控制栅极接高压（不小于12V），浮栅与漏极之间形成正向强电场，电子从漏极通过隧道氧化层进入浮栅。
2.2 写入操作
对EEPROM存储单元进行“写入”操作，就是将浮栅中电子释放的过程。
将FLOTOX管的源极悬空，漏极接高压（不小于12V），而控制栅极接地，则浮栅与漏极之间形成负向强电场，电子从浮栅通过隧道氧化层回到漏极放电。
栅极正电荷画错？是负电荷？
3. 参考资料
https://www.bilibili.com/video/BV13U4y1h7rE/
https://mp.weixin.qq.com/s/oAKoaveeU5nT8iT4Md-xnA
