内存和外存的区别：一般是把这种RAM(random access memory,随机访问存储器，特点是任意字节读写，掉电丢失)叫内存，把ROM（read only memory，只读存储器，类似于Flash SD卡之类的，用来存储东西，掉电不丢失，不能随机地址访问，只能以块为单位来访问）叫外存。

8.1.1软盘、硬盘、光盘、CD、磁带

(1)存储原理大部分为磁存储，缺点是读写速度慢、可靠性差等。优点是技术成熟、价格便宜。广泛使用在桌面电脑中，在嵌入式设备中几乎无使用。

(2)现代存储的发展方向是Flash存储，闪存技术是利用电学原理来存储1和0，从而制成存储设备。所以闪存设备没有物理运动（硬盘中的磁头），所以读写速度可以很快，且无物理损耗。

8.1.2纯粹的Flash：NandFlash、NorFlash

(1)这些是最早出现的、最原始的Flash颗粒组成芯片。也就是说NandFlash、NorFlash芯片中只是对存储单元做了最基本的读写接口，然后要求外部的SoC来提供Flash读写的控制器以和Flash进行读写时序。

(2)缺陷：1、读写接口时序比较复杂。2、内部无坏块处理机制，需要SoC自己来管理Flash的坏块；3、各家厂家的Flash接口不一致，甚至同一个厂家的不同型号、系列的Flash接口都不一致，这就造成产品升级时很麻烦。

(3)NandFlash分MLC和SLC两种。SLC技术比较早，可靠性高，缺点是容量做不大（或者说容量大了太贵，一般SLC Nand都是512MB以下）；MLC技术比较新，不成熟，可靠性差，优点是容量可以做很大很便宜，现在基本都在发展MLC技术。

8.1.3 SD卡、MMC卡、MicroSD、TF卡

(1)这些卡其实内部就是Flash存储颗粒，比直接的Nand芯片多了统一的外部封装和接口。

(2)卡都有统一的标准，譬如SD卡都是遵照SD规范来发布的。这些规范规定了SD卡的读写速度、读写接口时序、读写命令集、卡大小尺寸、引脚个数及定义。这样做的好处就是不同厂家的SD卡可以通用。

8.1.4 iNand、MoviNand、eSSD

(1)电子产品如手机、相机等，前些年趋势是用SD卡/TF卡等扩展存储容量；但是近年来的趋势是直接内置大容量Flash芯片而不是外部扩展卡。

(2)外部扩展卡时间长了卡槽可能会接触不良导致不可靠。

(3)现在主流的发展方向是使用iNand、MoviNand、eSSD（还有别的一些名字）来做电子产品的存储芯片。这些东西的本质还是NandFlash，内部由Nand的存储颗粒构成，再集成了块设备管理单元，综合了SD卡为代表的各种卡的优势和原始的NandFlash芯片的优势。

(4)优势：1、向SD卡学习，有统一的接口标准（包括引脚定义、物理封装、接口时序）。2、向原始的Nand学习，以芯片的方式来发布而不是以卡的方式；3、内部内置了Flash管理模块，提供了诸如坏块管理等功能，让Nand的管理容易了起来

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