STM32C011开发(3)----Flash操作

STM32C011开发----3.Flash操作

概述
硬件准备
视频教学
样品申请
源码下载
参考程序
生成STM32CUBEMX
串口配置
堆栈设置
串口重定向
FLASH
数据初始化
FLASH 读写
演示

概述

STM32C011 系列微控制器内置 Flash 存储器，支持程序存储与数据保存，具备页面擦除、双字写入、读写保护等功能。本文将简要介绍 STM32C011 的 Flash 结构与特性，并通过实际代码示例，讲解 Flash 的擦除、写入与读取等基本操作。

最近在弄ST的教程，需要样片的可以加群申请：615061293/925643491 。

硬件准备

首先需要准备一个开发板，这里我准备的是自己绘制的开发板，需要的可以进行申请。
主控为STM32C011F4P6

在这里插入图片描述

视频教学

https://www.bilibili.com/video/BV1KTBtY4EpD

STM32C011开发(3)----Flash操作

样品申请

https://www.wjx.top/vm/OhcKxJk.aspx#

源码下载

参考程序

https://github.com/CoreMaker-lab/STM32C011_TSSOP20

https://gitee.com/CoreMaker/STM32C011_TSSOP20

生成STM32CUBEMX

用STM32CUBEMX生成例程，这里使用MCU为STM32C011F4P6。
配置时钟树，配置时钟为48M。

在这里插入图片描述

串口配置

查看原理图，PA0和PA1设置为开发板的串口。

在这里插入图片描述

配置串口，速率为115200。

在这里插入图片描述

堆栈设置

在这里插入图片描述

若无法正常运行需要修改优化等级。

在这里插入图片描述

串口重定向

打开魔术棒，勾选MicroLIB

在这里插入图片描述

在main.c中，添加头文件，若不添加会出现 identifier “FILE” is undefined报错。

/* USER CODE BEGIN Includes */
#include "stdio.h"
/* USER CODE END Includes */

函数声明和串口重定向：

/* USER CODE BEGIN PFP */
int fputc(int ch, FILE *f){HAL_UART_Transmit(&huart1 , (uint8_t *)&ch, 1, 0xFFFF);return ch;
}
/* USER CODE END PFP */

FLASH

STM32C011 的嵌入式 Flash 通过 AHB 总线与 Cortex-M0+ CPU 连接，支持访问、擦除和编程操作。
Flash 构成：
● 存储单元：Flash 单元为 64 位宽，用于存储代码及数据。
● 主存储器结构：
○ 共 16 页，每页大小为 2 KB，总计 32 KB。
● 信息块区域：
○ 包括选项字节（2 KB）、工程字节（1 KB）、OTP（1 KB）及系统存储器（6 KB）。

在这里插入图片描述

要向 FLASH 写入数据，需要依次完成以下四个步骤：

解锁 FLASH
擦除 FLASH
写入 FLASH
锁定 FLASH
需要注意，FLASH 的擦除只能按页或整块进行。
STM32C011F4P6 的 FLASH 容量为 16 KB，共分为 8 页，每页大小为 2 KB。
我们可以将数据写入第 7 页，其地址范围为 0x08003800 - 0x08003FFF。
单次写入的单位为 64 位（8 字节）。

数据初始化

● WriteFlashData：
○ 这是一个待写入的 64 位数据数组，包含 3 个双字（64 位）数据。
○ 每个元素的大小是 8 字节，总计 24 字节的数据。
● addr 和 Page：
○ addr 是目标地址，表示从 Flash 的第 7 页（Page 7）开始写入。
○ STM32 的 Flash 以 2 KB 为一页，因此第 7 页的起始地址是 0x08003800。

/* USER CODE BEGIN 0 */
uint64_t WriteFlashData[3] = {0x1111222233334444,0x5555666677778888,0x9999AAAABBBBCCCC};//数据uint32_t addr = 0x08003800;//page 7
uint32_t		Page = 7;void PrintFlashTest(uint32_t L,uint32_t Page);
void WriteFlashTest(uint32_t L,uint64_t Data[],uint32_t Page,uint32_t addr);/* USER CODE END 0 */

FLASH 读写

/* USER CODE BEGIN 4 */
/* FLASH 写入程序 */
void WriteFlashTest(uint32_t L, uint64_t Data[], uint32_t Page, uint32_t addr)
{uint32_t i = 0;uint32_t PageError = 0;// 1/4 解锁 FLASHif (HAL_FLASH_Unlock() != HAL_OK){printf("Error: Failed to unlock FLASH.\n");return;}// 2/4 初始化擦除结构体并擦除指定页FLASH_EraseInitTypeDef FlashSet;FlashSet.TypeErase = FLASH_TYPEERASE_PAGES; // 擦除类型：页擦除FlashSet.Page = Page;                       // 页索引FlashSet.NbPages = 1;                       // 一次擦除 1 页if (HAL_FLASHEx_Erase(&FlashSet, &PageError) != HAL_OK){printf("Error: Failed to erase FLASH. PageError: %d\n", PageError);HAL_FLASH_Lock();return;}printf("FLASH Page %u erased successfully.\n", Page);// 3/4 将数据写入指定地址for (i = 0; i < L; i++){if (HAL_FLASH_Program(TYPEPROGRAM_DOUBLEWORD, addr + 8 * i, Data[i]) != HAL_OK){printf("Error: FLASH program failed at address 0x%08X.\n", addr + 8 * i);HAL_FLASH_Lock();return;}}printf("FLASH programming completed successfully.\n");// 4/4 锁住 FLASHHAL_FLASH_Lock();
}/* FLASH 读取并打印程序 */
void PrintFlashTest(uint32_t L, uint32_t addr)
{uint32_t i = 0;uint64_t data = 0;printf("Reading FLASH data from address 0x%08X:\n", addr);for (i = 0; i < L; i++){data = *(__IO uint64_t *)(addr + i * 8); // 按 64 位读取数据printf("Address: 0x%08X, Data: 0x%016llX\n", addr + i * 8, data);}printf("FLASH read completed.\n");
}
/* USER CODE END 4 */

测试 FLASH 写入和读取功能，分为两次写入操作，并在每次写入后进行验证。
● 两次写入操作，分别测试不同数据的写入和读取。
● 验证写入是否正确，通过读取打印结果进行比对。

  /* USER CODE BEGIN 2 */printf("=== First Write and Read ===\n");WriteFlashTest(3,WriteFlashData,Page,addr);PrintFlashTest(3,addr);//WriteFlashData[3] = {0x1111222233334444,0x5555666677778888,0x9999AAAABBBBCCCC};//数据printf("\n=== Modify Data and Rewrite ===\n");WriteFlashData[0]=0x9999;WriteFlashData[1]=0x8888;WriteFlashData[2]=0x7777;WriteFlashTest(3,WriteFlashData,Page,addr);PrintFlashTest(3,addr);/* USER CODE END 2 */