当一块Flash芯片中的不同的扇区烧录了不同的程序，而我们只想擦除某个扇区的程序保留其他程序时，Flash的全擦除是不能满足要求的，这时候就需要扇区擦除来实现这一功能。扇区擦除可以对Flash芯片中的某一扇区进行擦除而不改变其他扇区中的存储数据，要擦除扇区的选择通过扇区擦除地址来表示。

1、实验目标

编写扇区擦除工程，擦除事先烧录到Flash中的某程序所占的某个扇区，使该程序不能正常工作。在此次实验工程，我们选择擦除第0个扇区，擦除地址为24’h00_04_25。

2、时序分析

扇区擦除(Sector Erase)操作，简称SE，操作指令为8’b1101_0000(D8h)，具体见图 。

由数据手册中扇区擦除介绍部分可知，扇区擦除指令是将Flash芯片中的被选中扇区的所有存储单元设置为全1，在Flash芯片写入扇区擦出指令之前，需要先写入写使能(WREN)指令，将芯片设置为写使能锁存(WEL)状态；随后要拉低片选信号，写入扇区擦除指令、扇区地址、页地址和字节地址，在指令、地址写入过程 中，片选信号始终保持低电平，待指令、地址被芯片锁存后，将片选信号拉高；扇区擦除指令、地址被锁存并执行后，需要等待一个完整的扇区擦除周期(tSE)，才能完成Flash芯片的扇区擦除操作。扇区擦除操作的详细介绍及时序图，具体见图 

上文全擦除操作中我们提到，扇区擦除(SE)指令写入前必须先对Flash芯片写入写使能(WREN)指令。 结合写使能指令、扇区擦除指令的相关内容和操作时序，绘制完整扇区擦除操作时序图如图 。

3、程序设计

程序设计可参考作者全擦除文章https://blog.csdn.net/qq_52438147/article/details/142622093?spm=1001.2014.3001.5502

Flash扇区擦除模块波形图，具体见图 ：

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