目录

一、三极管概述 (Bipolar Junction Transistor)

1.历史：

2.内部结构

3.符号

4.分类

二、三极管三种工作状态 (working position)

1.截止状态

2.放大状态

3.饱和导通

三、三极管输入\输出特性曲线 （characteristic curve）

四、三极管电气参数解读 （Electrical parameter）

五、三极管开关电路应用 (On-off circuit)

---

一、三极管概述 (Bipolar Junction Transistor)

1.历史：

1947年12月23日，美国新泽西州贝尔实验室 3位科学家——巴丁博士、布莱顿博士和肖克莱博士 这3位科学家因此共同荣获了1956年诺贝尔物理学奖。

由于晶体管彻底改变了电子线路的结构，集成电路以及大规模集成电路应运而生， 这就让后来制造现代化的电子计算机之类的高精密装置变成了现实。

三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管

英文名称：Bipolar Junction Transistor，简称 BJT ，三极管图示：

2.内部结构

各极特点：集电极：面积大；基极：薄，掺杂浓度低；发射极：掺杂浓度高。

三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分， 中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。

发射区与基区之间形成的PN结称为发射结，而集电区与基区形成的PN结称为集电结, 三条引线分别称为发射极e（Emitter）、基极b(Base)和集电极c(Collector)。

是一种控制电流的半导体器件，可把微弱信号放大成幅度值较大的电信号。

也可做为无触点开关使用(开关模式)。

3.符号

4.分类

按材料：

• 硅管
• 锗管

按结构：

• NPN
• PNP

按功能：

• 开关管
• 功率管
• 达林顿管
• 光敏管

按功率：

• 小功率<0.5W
• 中功率0.5-1W
• 大功率>1W

按工作频率：

• 低频<3M
• 中频3-30M
• 高频30-500M
• 超高频>500M

按制造工艺：

• 合金型
• 平面型
• 扩散型
• 按封装材料
• 陶瓷
• 玻璃
• 金属
• 塑料
• 薄膜
• 按封装形式
• 贴片
• 直插

二、三极管三种工作状态 (working position)

1.截止状态

当加在三极管发射结的电压小于PN结的导通电压，基极电流为零， 集电极电流和发射极电流都为零，三极管这时失去了电流放大作用， 集电极和发射极之间相当于开关的断开状态，我们称三极管处于截止状态。

2.放大状态

当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压，并处于某一恰当的值时， 三极管的发射结正向偏置，集电结反向偏置，这时基极电流对集电极电流起着控制作用，使三极管具有电流放大作用，其电流放大倍数β=Ic/Ib， 这时三极管处放大状态。

3.饱和导通

当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压，并当基极电流增大 到一定程度时，集电极电流不再随着基极电流的增大而增大，而是处 于某一定值附近不怎么变化，这时三极管失去电流放大作用，集电极 与发射极之间的电压很小，集电极和发射极之间相当于开关的导通状 态。三极管的这种状态我们称之为饱和导通状态。

三、三极管输入\输出特性曲线 （characteristic curve）

三种状态：

• 截止状态：特征：发射结电压小于开启电压，集电结反偏
• 放大状态：特征：发射结正偏，发射结电压大于开启电压，集电结反偏
• 饱和状态：特征：发射结正偏，集电结正偏

输入曲线：

输出曲线：

四、三极管电气参数解读 （Electrical parameter）

参照图：

参数：

五、三极管反相器

六、三极管开关电路应用 (On-off circuit)