电磁兼容EMC:一文读懂TVS管选型设计

目录

1 TVS管外观结构

2 TVS管常见品牌

​编辑3 TVS管命名规则

4 TVS管工作原理

5 TVS基本特点

6 TVS典型应用

7 TVS管电气参数说明

7.1 VRWM 截止电压,IR 漏电流

7.2 VBR 击穿电压

7.3 IPP 峰值脉冲电流,VC 钳位电压

8 TVS选型注意事项

8.1 最高工作电压VRWM

8.2 TVS功率选型

8.3 VC 钳位电压

8.4 IR 漏电流

8.5  结电容 


瞬态抑制二极管TVS作为电磁兼容设计中最常用的元器件之一,主要应用于防浪涌设计。本文详细说明了TVS的设计应用指南。

1 TVS管外观结构

TVS(Transient Voltage Suppressors),即瞬态电压抑制器,又称雪崩击穿二极管。它是采用半导体工艺制成的单个PN 结或多个PN 结集成的器件。其封装有直插和贴片,主要区别在于瞬态功率大小。在瞬态功率满足的情况下,尽量选择贴片封装元器件,生产工艺简单成本低。

2 TVS管常见品牌

从某元器件采购平台搜索的主要国内外供应商名录。目前国内元器件与国际一流厂家的主要区别在于价格和批量一致性,以及某些极限参数指标。


3 TVS管命名规则

不同厂家的命名规则略有差异,但大体相同。如下前缀表示产品系列,需要注意的是数字有些表示击穿电压值,有的表示截止电压。因此在选型时,一定要对照规格书的命名规则来选,而不只是大概地看一下电压值。

4 TVS管工作原理

TVS 有单向与双向之分,单向TVS 一般应用于直流供电电路,双向TVS 应用于电压交变的
电路。如图1 所示,应用于直流电路时单向TVS 反向并联于电路中,当电路正常工作时,TVS 处于截止状态(高阻态),不影响电路正常工作。当电路出现异常过电压并达到TVS(雪崩)击穿电压时,TVS 迅速由高电阻状态突变为低电阻状态,泄放由异常过电压导致的瞬时过电流到地,同时把异常过电压钳制在较低的水平,从而保护后级电路免遭异常过电压的损坏。当异常过电压消失后,TVS 阻值又恢复为高阻态。

TVS 的伏安特性曲线及相关参数说明如图2 所示,双向TVS 伏安特性曲线第一象限与第三象限极性相反,特性相似,如图3。当TVS 反向偏置时,TVS 有两种工作模式:待机(高阻抗)或钳制(相对的低阻抗),如图2 第三象限。在待机状态下,流过TVS 的电流称为待机电流(IR)或漏电流,该电流的大小随TVS 的结温而变化。在TVS 的伏安特性曲线中,由高阻抗(待机)向低阻抗(钳位)转变是雪崩击穿的开始,当TVS 完全雪崩击穿时, TVS 会瞬间把高电压转化为流过其体内的大电流并保持PN 结两端相对较低的钳位电压。

5 TVS基本特点

TVS 内部芯片为半导体硅材料,采用半导体工艺制成,具有较高的可靠性。
TVS 具有较低的动态内阻,钳位电压低。
TVS 较其他过压保护器件,具有较快的响应速度。
TVS 电压精度高,击穿电压一般为±5%的偏差,在特殊应用场合,还可以通过工艺改善或参数筛选达到更高的精度。
TVS 封装多样化,贴片封装有SOD-123、SMA(DO-214AC)、SMB(DO-214AA)、SMC(DO-214AB)、DO-218AB等,插件封装有DO-41、DO-15、DO-201、P-600 等。
TVS 在 10/1000μs 波形下瞬态功率可达200W~30000W,甚至更高。在8/20μs 波形下瞬态峰值脉冲电流可达3kA、6kA、10kA、16kA、20kA 甚至更高。
工作电压范围可从3.3V~600V,甚至更高。

6 TVS典型应用

TVS 由于具有响应速度快,钳位电压低,电压精准等优点,因而应用于对保护器件要求较高的场合,如汽车电子、工业控制、照明,通信等行业,如DC 电源线,RS485 接口,通信电源,I/O 口等。图4 至图7 是一些典型应用案例。

7 TVS管电气参数说明

以SMAJ5.0A型号的TVS管参数表,对电气参数一一说明

7.1 VRWM 截止电压,IR 漏电流

VRWM ,截止电压, TVS 的最高工作电压,可连续施加而不引起TVS 劣化或损坏的最大的直流电压或交流峰值电压。在VRWM 下,TVS 认为是不工作的,即是不导通的。
IR,漏电流,也称待机电流。在规定温度和最高工作电压条件下,流过TVS 的最大电流。TVS 的漏电流一般是在截止电压下测量,对于某一型号TVS, IR 应在规定值范围内。
VRWM 和IR 测试回路如图4 所示,对TVS 两端施加电压值为VRWM,从电流表中读出的电流值即为TVS 的漏电流IR,其中虚线框表示单向TVS 测试回路。如对于我司型号为SMAJ5.0A 的TVS,当加在TVS 两端的电压为5VDC 时,流过TVS的电流应小于800μA。对于同功率和同电压的TVS,在VRWM≤10V 时,双向TVS 漏电流是单向TVS 漏电流的2 倍。

7.2 VBR 击穿电压

击穿电压,指在V-I 特性曲线上,在规定的脉冲直流电流IT 或接近发生雪崩的电流条件下测得TVS 两端的电压。对于低压TVS,由于漏电流较大,所以测试电流选取的IT 较大,如SMAJ5.0A,测试电流IT 选取10mA。VBR 测试电路如图5 所示,使用脉冲恒流源对TVS 施加IT 大小的电流时,读出TVS 两端的电压则为击穿电压。电流施加时间应不超过400ms,
以免造成TVS 受热损坏。VBR MIN.和VBR MAX.是TVS 击穿电压的一个偏差,一般TVS 为±5%的偏差。

7.3 IPP 峰值脉冲电流,VC 钳位电压

IPP,峰值脉冲电流,给定脉冲电流波形的峰值。TVS一般选用10/1000μs 电流波形(图6)。
VC,钳位电压,施加规定波形的峰值脉冲电流IPP时,TVS 两端测得的峰值电压。

IPP 及VC 是衡量TVS 在电路保护中抵抗浪涌脉冲电流及限制电压能力的参数,这两个参数是相互联系的。对于TVS 在防雷保护电路中的钳位特性,可以参考VC 这个参数。对于相同型号TVS,在相同IPP 下的VC 越小,说明TVS 的钳位特性越好。TVS 的耐脉冲电流冲击能力可以参考IPP,同型号的TVS,IPP 越大,耐脉冲电流冲击能力越强。

图7 为TVS 峰值脉冲电流(IPP),钳位电压(VC)测量试验回路示意图,测量时应考虑到TVS 的散热问题,两次测试时间间隔不能太短,以免对TVS 造成损坏。

以上对于TVS 的测量,图中所示电路为电路的基本原理,目前市面上有多种TVS 电性检测仪器,如晶体管图示仪,TVS检测仪等,浪涌发生器、TVS 逆向功率测试仪等。

8 TVS选型注意事项

8.1 最高工作电压VRWM

在电路正常工作情况下, TVS应该是不工作的,即处于截止状态,所以 TVS的截止电压应大于的截止电压应大于被保护电路的最高工作电压。这样才能保证 TVS在电路正常工作下不会影响。但是在电路正常工作下不会影响。但是 TVS的工作电压高低也决定了的工作电压高低也决定了 TVS钳位电压的高低,钳位电压的高低,在截止电压大于线路正常工作的情况下, TVS工作电压也不能选取的过高,如果太钳位会较所以工作电压也不能选取的过高,如果太钳位会较所以在选择 VRWM时,要综合考虑被保护电路的工作压及后级承受能力。

8.2 TVS功率选型

TVS产品的额定瞬态功率应大于电路中可能出现的最瞬态浪涌功率,具体参照如下计算方法。大于电路中可能出现的最瞬态浪涌功率,具体参照如下计算方法。
TVS的额定功率记为 PPPM,则 PPPM的功率可估算如下

其中, VC为 TVS的钳位电压, IPP 为 TVS在 10/1000μs波形的峰值脉冲电流。波形的峰值脉冲电流。对于不同功率等级的 TVS,相同电压规格的,相同电压规格的 TVS其 VC值是一样的,只值是一样的,只IPP 不同。故不同。故 PPPM 与 IPPM成正比, IPPM越大, PPPM也越大。对于某一电路,有对应的测试要求,设有对应的测试要求,设实际电路中的最大测试流为 I actual,则 I actual可估算为:

其中U actual为测试电压,Ri为测试内阻。
TVS要通过测试,故实际电路中要求10/1000μs波形下TVS的最小功率Pactual为:

其中𝑘𝑝1𝑝2为波形转换系数,如实际测试波形为其他波形,如8/20μs波形,建议𝑘𝑝1𝑝2 取13~5 ,如测试波形为10/700μs,建议𝑘𝑝1𝑝2取11.5~2,𝑘𝑝1𝑝2与TVS的材质有关。
实际选型中,TVS应留有一定的裕量,TVS的功率PPPM选择应遵循PPPM≥Pactual。


8.3 VC 钳位电压

TVS钳位电压应小于后级被保护电路最大可承受的瞬态安全电压,大多数TVS的VC与VBR及IPP都成正比。对于同一功率等级的TVS,其击穿电压越高VC也越高。

8.4 IR 漏电流

在一些低功耗电路或高精度采集电路中,IR过大可能导致电路功耗过大或信号的采集精度超标。因低压(VRWM<10V)TVS 的IR较大,如果后级电路耐受能力较强的话,尽量选择10V 或以上的TVS;如果后级电路耐受能力不足,需要选择小IR且低电压的TVS,我司也可以提供这类产品

8.5  结电容 

TVS的结电容一般在几十皮法至几十纳法。对于同一功率等级的TVS,其电压越低,电容值越大。在一些通信线路中,要注意TVS的结电容,不能影响电路正常工作。工作频率越高的电压,结电容要求越小。

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