TC551001CPI/CFI/CFTI/CTRI/CSTI/CSRI是东芝（Toshiba）公司生产的一款131,072字×8位的静态随机存取存储器（SRAM）。以下是对该芯片的详细解读：
描述
- 存储容量：1,048,576位，即128Kb（131,072字×8位）。
- 工艺技术：使用东芝的CMOS硅门工艺技术制造。
- 电源：单5V±10%电源供电。
- 功耗：操作电流为5 mA/MHz（典型值），待机电流为1 μA（典型值）。
- 访问时间：最大70纳秒（典型值）。
- 控制输入：有三个控制输入，CE1和CE2用于选择设备和数据保持控制，OE用于提供快速的存储器访问。
- 应用：适用于需要高速、低功耗和电池备份的各种微处理器系统应用。
- 温度范围：保证在-40°C至85°C的温度范围内工作。
- 封装：提供标准的32引脚双列直插封装（DIP）、32引脚小外形封装（SOP）和32引脚薄型小外形封装（TSOP）。
特点
- 低功耗：在操作和待机模式下都有低功耗特性。
- 访问时间：不同型号的访问时间有所不同，例如TC551001CPI/CFI/CFTI/CTRI/CSTI的访问时间为70纳秒，而TC551001CSRI的访问时间为85纳秒。
- 数据保持电压：数据保持电压为2至5.5伏特。
- TTL兼容性：所有输入和输出都与TTL电平兼容。
- 封装：提供多种封装选项，以适应不同的应用需求。
绝对最大额定值
- 电源电压：-0.3至7.0伏特。
- 输入电压：-0.3*至7.0伏特。
- 输入和输出电压：-0.5至VDD + 0.5伏特。
- 功耗：1.0/0.6**瓦特。
- 焊接温度：260°C（10秒）。
- 存储温度：-55至150°C。
- 操作温度：-40至85°C。
推荐操作条件
- 电源电压：4.5至5.5伏特。
- 输入高电平电压：2.4伏特。
- 输入低电平电压：-0.3*伏特。
- 数据保持电源电压：2.0至5.5伏特。
直流特性
- 输入漏电流：±1.0微安（典型值）。
- 输出高电平电流：-1.0毫安（典型值）。
- 输出低电平电流：4.0毫安（典型值）。
- 输出漏电流：±1.0微安（典型值）。
- 操作电流：在不同的控制输入电压下，操作电流有所不同。
交流特性和操作条件
- 读周期时间：70至85纳秒。
- 地址访问时间：无最大值，因为地址访问时间是周期时间的一部分。
- 芯片使能（CE1/CE2）访问时间：70至85纳秒。
- 输出使能（OE）访问时间：35至45纳秒。
- 写周期时间：70至85纳秒。
- 写脉冲宽度：50至60纳秒。
- 芯片使能到写结束时间：60至75纳秒。
- 地址设置时间：0纳秒。
- 写恢复时间：0纳秒。
- 数据设置时间：30至35纳秒。
- 数据保持时间：0纳秒。
时序图
- 读周期：展示了从地址输入到有效数据输出的时序。
- 写周期1（R/W控制）：展示了在R/W控制下的写操作时序。
- 写周期2（CE1控制）：展示了在CE1控制下的写操作时序。
- 写周期3（CE2控制）：展示了在CE2控制下的写操作时序。
数据保持特性
- 数据保持电源电压：2.0至5.5伏特。
- 待机电流：在不同的数据保持电源电压下，待机电流有所不同。
封装尺寸
- DIP32-P-600-2.54：42.5毫米×17毫米。
- SOP32-P-525-1.27：21.1毫米×20.6毫米。
- TSOPI 32-P-0820-0.50：18.4毫米×13.4毫米。
- TSOPI 32-P-0.50A：18.4毫米×13.4毫米。
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