产品概述:
此器件在一个双 Power 33 (3 mm X 3 mm MLP) 封装中包括了两个特制的 N 沟道 MOSFET。 开关节点已经内部连接,可实现同步降压转换器的轻松布置和布线。 控制 MOSFET (Q1) 和同步 MOSFET (Q2) 可提供最佳功率效率。
产品特性:
- Q1: N沟道
- 最大值 RDS(开)= 32mΩ(VGS系列= 4.5V,我D= 5A
- )Q2: N沟道
- 符合RoHS标准
规格书参数:
引脚图:
产品概述:
此器件在一个双 Power 33 (3 mm X 3 mm MLP) 封装中包括了两个特制的 N 沟道 MOSFET。 开关节点已经内部连接,可实现同步降压转换器的轻松布置和布线。 控制 MOSFET (Q1) 和同步 MOSFET (Q2) 可提供最佳功率效率。
产品特性:
规格书参数:
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