来源:Capacitance Modeling in Dual Field-Plate Power GaN HEMT for Accurate Switching Behavior (TED 16年)
摘要
本文提出了一种基于表面电势的紧凑模型,用于描述具有栅极和源极场板(FP)结构的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(…
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