TPHR8504PL,LQ(M1W是一种MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),它是40 Volt N-沟道MOSFET,由N型沟道和P型衬底构成,而P-沟道MOSFET则由P型沟道和N型衬底构成。
TPHR8504PL,LQ(M1W N-沟道MOSFET的工作原理是通过控制栅极电压来控制沟道的导电性。当栅极电压高于阈值电压时,沟道打开,导电性增强,允许电流从源极流向漏极。反之,当栅极电压低于阈值电压时,沟道关闭,导电性降低,电流无法通过。
TPHR8504PL,LQ(M1W功能特性:
高速切换
小栅极电荷:QSW=23 nC(典型值)
小输出电荷:Qoss=85.4 nC(典型值)
低漏源导通电阻:RDS(on)=0.7 mΩ (典型值)(VGS=10 V)
低漏电流:IDSS=10µA(最大值)(VDS=40 V)
增强模式:Vth=1.4至2.4 V(VDS=10 V, I D = 1.0 mA)
大家都知道,N-沟道MOSFET具有许多优点,包括低输入电阻、高开关速度、低驱动功率和较低的导通压降。所以,TPHR8504PL,LQ(M1W被广泛应用于电子设备中的功率开关、放大器、逻辑门和各种集成电路中。
TPHR8504PL,LQ(M1W产品运用领域:
高效DC-DC转换器
开关稳压器
电机驱动器
游戏机
监视器
笔记本电脑
家用电器
工业机器人
N沟道功率MOSFET是一种常见的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),它具有N沟道结构。它是一种用于功率放大和开关应用的半导体器件。
N沟道功率MOSFET具有以下特点:
- 低开启电压:相对于P沟道MOSFET,N沟道MOSFET的开启电压较低,可以更容易地实现导通。
- 低导通电阻:N沟道MOSFET的导通电阻较低,可以实现较大的电流输出。
- 高开关速度:N沟道MOSFET的开关速度较快,可以实现高频率的开关操作。
- 适用于负载驱动:由于N沟道MOSFET的导通特性,它更适合用于驱动负载,如电机、灯泡等。