TPHR8504PL,LQ（M1W是一种MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），它是40 Volt N-沟道MOSFET，由N型沟道和P型衬底构成，而P-沟道MOSFET则由P型沟道和N型衬底构成。
TPHR8504PL,LQ（M1W N-沟道MOSFET的工作原理是通过控制栅极电压来控制沟道的导电性。当栅极电压高于阈值电压时，沟道打开，导电性增强，允许电流从源极流向漏极。反之，当栅极电压低于阈值电压时，沟道关闭，导电性降低，电流无法通过。
TPHR8504PL,LQ（M1W功能特性:
高速切换
小栅极电荷：QSW=23 nC（典型值）
小输出电荷：Qoss=85.4 nC（典型值）
低漏源导通电阻：RDS（on）=0.7 mΩ （典型值）（VGS=10 V）
低漏电流：IDSS=10µA（最大值）（VDS=40 V）
增强模式：Vth=1.4至2.4 V（VDS=10 V， I D = 1.0 mA)
大家都知道，N-沟道MOSFET具有许多优点，包括低输入电阻、高开关速度、低驱动功率和较低的导通压降。所以，TPHR8504PL,LQ（M1W被广泛应用于电子设备中的功率开关、放大器、逻辑门和各种集成电路中。
TPHR8504PL,LQ（M1W产品运用领域：
高效DC-DC转换器
开关稳压器
电机驱动器
游戏机
监视器
笔记本电脑
家用电器
工业机器人
N沟道功率MOSFET是一种常见的金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），它具有N沟道结构。它是一种用于功率放大和开关应用的半导体器件。
N沟道功率MOSFET具有以下特点：
- 低开启电压：相对于P沟道MOSFET，N沟道MOSFET的开启电压较低，可以更容易地实现导通。
- 低导通电阻：N沟道MOSFET的导通电阻较低，可以实现较大的电流输出。
- 高开关速度：N沟道MOSFET的开关速度较快，可以实现高频率的开关操作。
- 适用于负载驱动：由于N沟道MOSFET的导通特性，它更适合用于驱动负载，如电机、灯泡等。
