光刻机使用193-365nm波长的准分子激光器和二极管激光器产生的深紫外线来蚀刻连接晶体管的复杂电路。
裸晶圆检测
半导体制造的原材料是单晶硅，即所谓的裸晶圆/衬底晶圆。在检测时，有的污染或缺陷只有几微米大小。波长更短的紫外线，在识别晶圆表面缺陷时的准确度为最高。
用紫外线光源照射裸晶圆，并同时用紫外相机、可见光相机和短波红外相机一起捕捉晶圆表面的高分辨率图像。使用图像处理算法进行图像分析，可以对各种缺陷进行识别和分类。有几种类型的缺陷可以通过紫外相机检测出来。其中包括在晶圆制造过程中，偶然从环境引入的微粒（如灰尘等）或划痕。
图案晶圆检查
图案晶圆检测包括识别和分析晶圆表面在进行图案光刻时可能产生的缺陷或错误，如晶圆表面图案的缺陷、错位或特征缺失等问题。在检测时，用紫外线照射晶圆，晶圆表面的图案和周围材料对紫外线有不同程度的吸收或反射。
光掩膜对准
在制造半导体时，要进行光掩膜对准，晶圆表面的图案蚀刻就是在这一过程中进行的。紫外线可以检测到因光掩膜和晶圆表面未对准而导致紫外线吸收或反射的微小差别。这一关键过程，需要获得被照亮的光掩膜的高分辨率图像并对该图像进行分析，然后以此来调整光掩膜的对准情况。
晶圆键合
改工艺段为两个晶圆（薄片材料）连接到一起，形成一个单一的集成结构的过程。这种工艺被广泛用于半导体行业中微电子器件（如传感器、LED、微处理器）的制造。紫外相机可以监测键合过程，确保晶圆进行正确的对准和键合，防止产生缺陷或空隙。紫外光照射到晶圆上可以激活胶粘剂，并在键合过程中促进表面活化。
紫外相机
在为半导体制造场景选择合适的紫外相机时，对检测结果的可靠性和精确性至关重要，有几个关键因素，如：量子效率、分辨率、动态范围、信噪比、光照及一些定制选项等。
