① 卷积核不停的在原图上进行滑动,对应元素相乘再相加。
② 下图为每次滑动移动1格,然后再利用原图与卷积核上的数值进行计算得到缩略图矩阵的数据,如下图右所示。 import torch
import torch.nn.functional as Finput torch.tensor([[1, 2…
标题:1200V 4H-SiC trench MOSFET with superior figure of merit and suppressed quasi-saturation effect 摘要
本文提出一种具有部分被埋层n区包围的p屏蔽区的优异性能(FoM)1200V 4H-SiC沟槽MOSFET。在准饱和(QS)状态下,埋层n区抑制由p屏蔽区形成的耗…