常用存储器介绍

注意："易失/非易失"是指存储器断电后，它存储的数据内容是否会丢失的特性。

（一）RAM和ROM

1.1 RAM

RAM即随机存储器，它是指存储器中的数据被读入或者写入与信息所在位置无关，时间都是相同的

1.1.1 DRAM

DRAM即动态随机存储器，它以电容的电荷表示数据，由于电容的充放电效应，所以存储数据需要定时刷新才能保证数据的正确性。它的优点是集成密度远高于SRAM，功耗低，价格也低；缺点是因需要舒心而使外围电路复杂，速度较SRAM慢，但是比任何ROM都快。尽管如此，由于DRAM[1]存储单元的结构简单，所用元件少，集成度高，功耗低，所以目前已成为大容量RAM的主流产品。

根据DRAM的通信方式又可以分为同步和异步，这两种方式根据是否需要时钟信号来区分，由于同步的通信更快，所以同步的DRAM使用更广泛，同步的DRAM又被称为SDRAM
为了进一步提高SDRAM的通信速度，又设计了DDR SDRAM，双倍速率SDRAM，它是在SDRAM上的一种改进，至于DDRII和DDRIII他们的通信方式并没有区别，主要是通信的同步时钟的频率提高了。
小知识：当前计算机的内存条是DDRIII SDRAM

特性	DRAM	SRAM
存取速度	较慢	较快
集成度	较高	较低
生产成本	较低	较高
是否需要刷新	是	否

1.1.2 SRAM

SRAM静态随机存储器，这种存储器是以锁存器的形式存储数据，由于不需要定时刷新充电，所以称为静态的。它的优点是速度快、使用简单、不需要刷新、静态功耗极低，常用作缓存；缺点就是元件较多、集成密度低、运行功耗大，价格高

PSRAM:

基本原理：PSRAM就是伪SRAM，内部的内存颗粒跟SDRAM的颗粒相似，但外部的接口跟SRAM相似，不需要SDRAM那样复杂的控制器和刷新机制，PSRAM的接口跟SRAM的接口是一样的。PSRAM主要应用于手机，电子词典，掌上电脑，PDA,PMP.MP3/4,GPS接收器等消费电子产品与SRAM(采用6T的技术)相比,PSRAM采用的是1T+1C的技术,所以在体积上更小,同时,PSRAM的I/O接口与SRAM相同.在容量上,目前有4MB,8MB,16MB,32MB,64MB和128MB。比较于SDRAM,PSRAM的功耗要低很多。所以对于要求有一定缓存容量的很多便携式产品是一个理想的选择。

1.2 ROM

ROM即只读存储器，一般用于指现代非易失性存储半导体

MASK ROM
MASK(掩膜) ROM就是正宗的"Read Only Memory"，存储在它内部的数据是在出厂时使用特殊工艺固化的，生产后就不可修改，其主要优势是大批量生产时成本低。当前在生产量大，数据不需要修改的场合，还有应用。
OTPROM
OTPROM(One Time Programable ROM)是一次可编程存储器。这种存储器出厂时内部并没有资料，用户可以使用专用的编程器将自己的资料写入，但只能写入一次，被写入过后，它的内容也不可再修改。在NXP公司生产的控制器芯片中常使用OTPROM来存储密钥；STM32F429系列的芯片内部也包含有一部分的OTPROM空间。
EPROM
EPROM(Erasable Programmable ROM)是可重复擦写的存储器，它解决了PROM芯片只能写入一次的问题。这种存储器使用紫外线照射芯片内部擦除数据，擦除和写入都要专用的设备。现在这种存储器基本淘汰，被EEPROM取代。
EEPROM
EEPROM(Electrically Erasable Programmable ROM)是电可擦除存储器。EEPROM可以重复擦写，它的擦除和写入都是直接使用电路控制，不需要再使用外部设备来擦写。而且可以按字节为单位修改数据，无需整个芯片擦除。现在主要使用的ROM芯片都是EEPROM。

（二）NOR FLASH 和NAND FLASH的区别

FLASH 又称为闪存，也有人称为FLASH ROM，它们的容量一般较大，在擦除时一般以多字节为单位。相同点：

Nor flash 和nand flash都是在写入之前进行擦除的

区别：
主要在于Nor flash 的地址线和数据线分开，它可以按字节读取数据，符合CPU的指令译码执行要求，所以NOR FLASH 可以运行代码，即CPU给NOR FLASH 一个地址，NOR FLASH 就能向CPU返回一个数据让CPU执行，不需要额外的操作，NOR的特点是应用简单、无需专门的接口电路、传输效率高。
而NAND FLASH 数据线和地址线共用，只能按块读写数据，即使存储了代码指令，它也无法返回某数据的地址，所以不能运行程序，NAND FLASH结构能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，应用NAND的困难在于flash的管理和需要特殊的系统接口。
由于两种FLASH存储器特性的差异，NOR FLASH一般应用在代码存储的场合，如嵌入式控制器内部的程序存储空间。而NAND FLASH一般应用在大数据量存储的场合，包括SD卡、U盘以及固态硬盘等，都是NAND FLASH类型的。

特性	NOR FLASH	NAND FLASH
同容量存储器成本	较贵	较便宜
集成度	较低	较高
介质类型	随机存储	连续存储
地址线和数据线	独立分开	公用
擦除单元	以扇区为单位	以块为单位
读写单元	可以基于字节读写	必须以块为单位读写
读取速度	较高	较低
写入速度	较低	较高
坏块	较少	较多
是否支持XIP	支持	不支持