这篇文章讲解nand flash和nor flash的特点和区别，不涉及存储原理的讲解
（一）Flash简介
FLASH是一种存储芯片，全名叫Flash EEPROM Memory，通地过程序可以修改数据，即平时所说的“闪存”。Flash又分为NAND flash和NOR flash二种。
（二）Nor Flash的特点
Nor Flash的数据线和地址线是分开的，并允许随机存取存储器上的任何区域，这使的它非常适合取代老式的ROM芯片。当时ROM芯片主要用来存储几乎不需更新的代码，例如电脑的BIOS或机上盒(Set-top Box)的固件。NOR Flash可以忍受一万到一百万次抹写循环，它同时也是早期的可移除式快闪存储媒体的基础。
NOR的特点是芯片内执行( eXecute In Place),这样应用程序可以直接在flash闪存内运行,不必再把代码读到系统RAM中。NOR在开发板中应用的非常广泛，通过JTAG/JLINK把boot烧到NOR中，通电后自动运行。
（三）Nand Flash的特点
Nand Flash的数据线和地址线是公用的，NAND Flash 的I/O接口并没有随机存取外部地址总线，它必须以区块性的方式进行读取，NAND Flash典型的区块大小是数百至数千比特。NAND器件使用复杂的I/O口来串行地存取数据,各个产品或厂商的方法可能各不相同。8个引脚用来传送控制、地址和数据信息；NAND读和写操作采用512字节的块,这一点有点像硬盘管理此类操作,很自然地,基于NAND的存储器就可以取代硬盘或其他块设备。
NAND Flash具有较快的抹写时间, 而且每个存储单元的面积也较小，这让NAND Flash相较于NOR Flash具有较高的存储密度与较低的每比特成本。同时它的可抹除次数也高出NOR Flash十倍。
NAND Flash非常适合用于储存卡之类的大量存储设备。第一款创建在NAND Flash基础上的可移除式存储媒体是SmartMedia，此后许多存储媒体也跟着采用NAND Flash，包括MultiMediaCard、Secure Digital、Memory Stick与xD卡。
（四）两者之间的区别
1）NAND的写入速度比NOR快很多，所以NAND适合用于存储数据
2）NOR的读速度比NAND稍快一些。
3）NAND的4ms擦除速度、编程速度远比NOR的5s快。
4）NAND的擦除单元更小,相应的擦除电路更少。
5）在NAND闪存中每个块的最大擦写次数是一百万次,而NOR的擦写次数是十万次。
6）NAND器件中的坏块是随机分布的，对介质进行初始化扫描发现坏块,并将坏块标记为不可用。在烧写内核到NAND的时候，经常有发现坏块提示。
7）由于Flash固有的电器特性，在读写数据过程中偶然会产生1位或几位数据错误，即位反转，NAND Flash发生位反转的几率要远大于NOR Flash。位反转无法避免，因此，使用NAND Flash的同时，应采用错误探测/错误更正（EDC/ECC）算法。
8）NANDFlash与NOR Flash相比容量大。
9）NOR价格高，呵呵，这才是最重要的。
10) 在NOR器件上运行代码不需要任何的软件支持，在NAND器件上进行同样操作时，通常需要驱动程序，也就是内存 技术驱动程序(MTD)，NAND和NOR器件在进行写入和擦除操作时都需要MTD。
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