举例:M2 M3是一对差分管,噪声贡献差别很大。
理想电感下二者贡献相同,
但在实际电磁仿真后,一个17.6%,一个5.6%
原因是:
电磁仿真存在交叉,不对称,中心抽头不是理想的交流地,如果直接通过一个引线电感(这里是1nH),会存在共模噪声。需要通过在片上接上去耦电容(这里2pF),抑制共模噪声。
这里二者都是11.8%,同时端口贡献从40.13% to 44.56%
噪声系数下降。
举例:M2 M3是一对差分管,噪声贡献差别很大。
理想电感下二者贡献相同,
但在实际电磁仿真后,一个17.6%,一个5.6%
原因是:
电磁仿真存在交叉,不对称,中心抽头不是理想的交流地,如果直接通过一个引线电感(这里是1nH),会存在共模噪声。需要通过在片上接上去耦电容(这里2pF),抑制共模噪声。
这里二者都是11.8%,同时端口贡献从40.13% to 44.56%
噪声系数下降。
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