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存储器Flash页、扇区、块的区别
这是我一个知识星球朋友的提问
刚开始我没有认真去思考这个问题，之后我仔细查了下资料，里面的内容还挺多。
先看看EMMC的结构
EMMC 是在nand flash的基础上增加了一个控制器，cpu和emmc交流实际上是和它的控制器进行交流。相当于emmc多了一个管家。
NAND FLASH的特点
1) 初始存储为1
2）写0只要操作一个page
3）写1需要操作整个block，1个block包含多个page
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假装解释下为什么写 FLASH前，要先判断里面的内容
从读写速度上解释
上面是我从一个EMMC的规格书上截图出来的资料，EMMC的读写速度是不同的，不同的读写速度肯定是存在不同的读写时序，既然读写时序不同，那当然应该让代码越快越好。
所以，从这点上看，先读判断数值是应该的。
EMMC 可以无限次读写吗？
刚开始在微信群里面讨论的时候，得到的信息是，EMMC可以无限次读，但是不能无限次写。
因为写会意味着需要对存储区进行擦擦操作，这个我是可以理解的。
但是实际上是怎样的，我还是一知半解
然后，得到一个小姐姐指导之后，大概的理解是这样的。
EMMC完全写满后擦除算一次，普通的EMMC可以擦除3000次，所以容量*3000 就是EMMC可以写入的内容大小。「计算寿命这点我还是持怀疑态度」
后面查资料了解到，不同的flash颗粒，它的擦除次数和速度是不同的，这就是不能无限写的关键原因。
我们平时使用的EMMC是TLC种类，这样的EMMC一个cell有3个bit位，可以表示 2^3 = 8中电平状态。
状态越少，需要表示的电平就约不精细，计算也就会越快，当然了，价格越贵，体积会越大，这样反而不利于消费电子。
如上图，SLC的速度很快，只需要两个电压级别。
TLC的速度会比较慢，需要8个电压级别来表示。
为什么EMMC的规格书上面都不写上最大擦除或者写入的次数？「也就是emmc的寿命」
到目前我也没有得到特别准确的答案，有了解的同学可以在评论区回答。我猜测是，因为EMMC有控制器，如果你不断的擦除一个位置，即使的超过最大次数，但是因为EMMC的控制器存在，它可以改变实际存储的EMMC地址，让你做不到在同一个区域不断的擦除。再加上容量的不确定，就不好确定EMMC的寿命了。
特斯拉召回是怎么回事？
我猜测，可能这个系统上的EMMC配置很小，可能就真的存在某个程序在不断的写入，导致EMMC擦除次数达到上限。
参考：
https://blog.csdn.net/weixin_42151788/article/details/114577735
https://szlin.me/2017/08/23/kernel_seccomp/
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